本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 可编程模块化DIY无人机Airblock Arduino雷达项目 直播回放：ADI新一代高阻抗输入SAR ADC的优势与应用 TI 车身控制解决方案 linux驱动策略及框架 宽带信号的产生与分析 研讨会 : 贝能国际新型玻璃破碎检测方案 从零开始写容器 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 verilog实现仪用显示调节器 请问这个流程图用Verilog语言如何实现verilog实现仪用显示调节器消灭0回复，专业提供湿度卡，干燥剂。。。 xiaohu666 编解码器 - 针对 C55x 器件进行了优化 C55XCODECS 编解码器免费提供，附带生产许可且现在可供下载。全部经过生产测试，可轻松集成到音频和语音应用中。单击获取软件按钮（上方），以获取经过测试的最新编解码器版本。该页面及每个安装程序中都包含有数据表和发布说明。TMS320C5504C5505eZdsp™USB记忆棒开发工具C55x编解码器经过优化，可用于任何TM320C55x器件上。C55x编解码器提供： 免费、带有产品许可的对象代码 WINDOWS安装程序 C55x音频编解 fish001 谈谈单/多模光纤光端机的选用 目前常用的光纤按模式分有两大类：多模光纤和单模光纤。以多模光纤制成的光缆是最早投入商用的光缆，由于存在色散严重、衰耗大、可用带宽窄、成本高等问题，已经退出了作为光缆主战场的电信运营商光纤网络平台，只是在智能楼宇的光纤布线方面还保留有一定的市场份额。当多模光缆用于视频图像传输时，只能满足最远3～5km左右的传输距离，并且对视频光端机的带宽（针对模拟调制）和传输速率（针对数字式）有较大的限制，一般适用于短距、小容量、简单应用的场合。特别是因色散的影响大大限制了采用高速率传输的非压缩数字光端机在 xyh_521 全志V5 资料---lindeni V5开发板 目前市面上使用全志V5芯片的开发有两款：sochip家和lindeni家的，我购买的是lindeni的。声明我和lindeni没有任何的利益干系！如图：这款的芯片主要对标海思的HI3519,性能是达不到3519的高度的，实际测试V5的ISP性能和3519差距较大，其中之一就是3DNR（3D降噪），具体待后续再来细说。但是这个芯片价格大概50RMB左右，而3519要100rmb以上，并且V5的有两路的ISP，两路基本都达到了4K30帧，带有类似海思IVE的CVE模块 IC爬虫 【为C2000做贡献】ucos在2812上的移植 ucos在2812上的移植，大家也跑跑系统【为C2000做贡献】ucos在2812上的移植就是没板子不然可以练练了 vvv9876 《Linux内核深度解析》--进程管理 Linux内核把进程称为任务（task），进程的虚拟地址空间分为用户虚拟地址空间和内核虚拟地址空间，所有进程共享内核虚拟地址空间，每个进程有独立的用户虚拟地址空间。进程有两种特殊形式：没有用户虚拟地址空间的进程成为内核线程，共享用户虚拟地址空间的进程称为用户线程，通常在不会引起混淆的情况下把用户线程简称为线程。共享同一个用户虚拟地址空间的所有用户线程组成一个线程组。--------------------------------------------------- lmyyz 网友正在看 在Allegro软件中，其PCB封装的后缀的含义是什么？ 第十六课 PLL锁相环介绍与简单应用 Multiclass Classification- One-vs-all 语言要素 数据类型 基本AT命令程序设计(二) 设备独立软件 数模混合信号电路设计 TI 新能源汽车电机解决方案 - 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