本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 直播回放: TI MSPM0 MCU 在汽车系统中的应用 自己动手写嵌入式操作系统 直播回放: 满足汽车电池管理系统 (BMS) 不断发展的安全标准 直播回放: SimpleLink™无线平台最新软硬件解决方案 采用低成本、低功耗CPLD开发套件制作音乐，实现更多功能 TI 新生代快速充电技术 直播回放: Microchip 安全系列13 - 一次性产品的防伪保护 物联感知技术应用 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード（ＬＥＤ）の測光方法－第１部：ＬＥＤパ.pdf 热门帖子 北电3G疲劳症爆发 将全力准备4G “3G技术的成熟期太长了，我们将全力准备4G。”在上任后的首次媒体见面会上，北电大中国区总裁吴振生透露了这家通信业百年老店的重大战略调整。 吴振生是8月16日正式接过北电中国帅印的，他已在北电工作了13年。此前的北电一直风雨飘摇，久陷于财务丑闻和业绩亏损阴霾中。他们认为一项新技术——WIMAX——将帮助北电重现辉煌。 “如今WIMAX技术突破，速度是3G的5到10倍，这是我们最大的一个突破点，预计明年年底到2008年会大量的开花结果。”吴振生说。 尽管不愿正面证实退出3G市场，但 liudong2008lldd 请教一个串口通信问题 我用的核心板是AT91RM9200，用的是标准的linuxC函数输出和获取用户空间信息。（printf和gets等等）操作系统是linux2.4.27我想在系统启动的时候自动加载我的程序，可是自动运行之后发现它是从串口0输出的，串口1看不见任何东西。后来在inittab中看了一下串口的加载，发现它是在初始化登陆界面的时候才加载的串口1，是以此种方式加载的ss:123:respawn:sbin/mingettyttysss:12345:respawn:sbin/getty-L gdq 散分！感谢wxf为饼子堂提供的经济帮助！ 如题，看谁是1楼？散分！感谢wxf为饼子堂提供的经济帮助！1JF太快了...章鱼?不是吧...传说中的大哥都来了!!!怎么有人这么快啊！??郁闷接分好同志123来晚了。没有想到竟然有人如此之快。。。1楼的你太有才啦！14uP1jfcbcup完了,这个被村长遗忘在角落里的帖子看来要到明年才结了!!这贴估计没分了帮顶up lzjcjwl 请问这样的错误如何解决？KeiL C51 */linking...***ERRORL107:ADDRESSSPACEOVERFLOWSPACE:HCONSTSEGMENT:?FC?OVTFONT_4_CE_D7LENGTH:0076F8H***ERRORL120:CONTENTBELONGSTOERRONEOUSSEGMENTSEGMENT:?FC?OVTFONT_4_CE_D7ProgramSize:data=42.6xdata=13346const=208382 petrified 这里有没有学凌阳SPCE061A板的？ 这里有没有学凌阳SPCE061A板的？有的话大家一起学，学习中好多困惑一起来解决啊！这里有没有学凌阳SPCE061A板的？有！有什么问题！说出来交流！Re:这里有没有学凌阳SPCE061A板的？我没Re:这里有没有学凌阳SPCE061A板的？我也是学SPCE061A的,一起交流啊.QQ305516172Re:这里有没有学凌阳SPCE061A板的？你们学校是不是开的是凌阳的课，我们学校开的是MCS51系列的，所以我得学两种啊，凌阳的是自己买的，也是自学，感觉凌阳的难点，教材写 yanys113 关于ARM汇编的一个菜鸟问题？ BEQ%F1B%B0其中的%F1和%B0是什么意思，是一个什么样的运算规则？怎么在书上没有找到相关解释。关于ARM汇编的一个菜鸟问题？应该是立即操作数。不是的我知道了 tianhj2001 网友正在看 内核模块简介 新能源电动车——从电池到电机的整体测试方案 零输入与零状态响应的合成 面向高电压应用的多节电池组监视器 IC 物理系统的响应特性（六） 控制的基本概念 驱动物联网工作的三元素 ThreadX lab - step1 - First thread creation
