本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 数字电子技术基础 Arduino步进电机：极限精度的大理石切割机！ TI 新能源汽车电机解决方案 TI 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被动元件埋入被动元件埋入技术是PCB设计中最常见的埋入式应用。这种技术主要将电阻、电容和电感等无源器件直接集成到PCB内层中,可以显著减少PCB的表面积占用,提升产品的整体集成度。在高频电路设计中,埋入式被动元件能够有效降低寄生电感和寄生电容的影响,改善信号完整性。这种方案特别适合智能手机、可穿戴设备等对体积和性能都有严格要求的电子产品。通过合理规划被动元件的埋入位置,还可以优化信号传输路径,降低信号损耗。芯片埋入芯片埋入技术代表了更高级的PCB埋入 为昕科技 时域反射计的技术原理和应用场景 时域反射计（TDR，TimeDomainReflectometer）的技术原理和应用场景可以归纳如下：技术原理时域反射计的基本原理是利用反射波来测量电路或传输线中的阻抗变化。其核心思想是在一个传输线路（如金属电缆或光纤）中发送一个脉冲信号，当信号遇到阻抗变化时（如连接器、PCB的拐角、过孔、断点等），会发生部分反射。通过测量这些反射信号的电压幅度和到达信号源的时间，可以推导出阻抗的不连续点位置及其阻抗值。反射信号的幅度和特性与传输线的阻抗密切相关。应用场景时域反射计在多个领 维立信测试仪器 FPGA Verilog/VHDL 学习软件解惑！求指教 知道这里有很多参加工作的大家们，想了解一下现在涉及到此方面的软件哪种应用的公司更多，Quartus?Synplify?还是其他的。现在我们学校的实验室各种软件基本都有，基本上电子、集成电路的各种软件都很齐全，也都是正版的，就是一下子不知道学哪种的好了。忘指教。FPGAVerilog/VHDL学习软件解惑！求指教QUARTUS目前使用率比较高。果断quartus，因为使用的人多，资料肯定也多啊，对快速入门肯定有好处的啊QUARTUS好些楼主。。xilinx的ISE好。。用过Qua 似水如烟 示波器探头 我测了一下示波器探头的电阻，发现x1档的电阻为200多，而x10档的电阻有9M多。这是什么原因???x10档能衰减10倍的原理是什么???示波器探头正常的，利用探头阻抗和示波器的输入阻抗构成分压。 farme 网友正在看 基于RE46C190的光电式烟雾报警器的评估板(用于家用火灾报警器的RE46C190芯片) 第八章 第1节 符号表的组织与操作 orcad怎么创建Homogeneous类型的元器件封装？ 8位加法器的实现 Wedge 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