本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 C2000™概述及产品路线图_2016 TI 嵌入式产品研讨会实录 英飞凌新能源汽车方案 TDA2x 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这个函数怎么用？该加的都加了#includeWinbase.h#pragmacomment(lib,coredll.lib)出现错误提示：无法解析的外部符号GetSystemPowerStatusEx2，该符号在函数public:void__cdeclCCD720威特V11Dlg::OnBnClickedBtnScope(void)(?OnBnClickedBtnScope@CCD720威特V11Dlg@@QAAXXZ)中被引用1Mini2440-CE6- sunxj02 MSP430单片机定时器TA捕获程序 #includemsp430x42x.h#includeLCD_Display.hunsignedintTA_OverflowCnt;//TA溢出次数存放变量unsignedlongintPeriod;//脉宽测量结果存放变量unsignedintRiseCapVal;//上升沿时刻捕获值存放变量unsignedcharEdge=0;//当前触发沿#defineRISE0#d Aguilera Hercules入门小知识 什么是Hercules?Hercules安全微处理器是基于TI针对汽车电子市场的20多年安全关键型系统专业技术、行业协作而发展成熟的硬件。该平台包含三个基于ARMCortex™的微处理器系列（RM48x、TMS570和TMS470M），可提供可扩展的性能、连接、内存和安全功能。与强烈依赖于软件以获得安全功能的某些微处理器不同，Hercules微处理器在硬件内实施安全保护，从而使性能最佳化并减少软件使用量。产品系列现已推出全部Hercules3 anvy178 感知负载电压以稳定输出电压？ 这个电路最大的特点就是运放使用的供电电源是输入电压，这么高的输入电压想找到这样的运放成本偏高； 1、输入电源经稳压器到输出端，同时输出电压直接经电阻限流到运放同相输入端，运放接成跟随电路形式输出等于输入； 2、该运放1脚和8脚的运放是什么作用？4脚接成这样到地是什么原因？ 3、运放输出电压等于输入，那么这个偏置是怎么形成参考电压的？ 感知负载电压以稳定输出电压？【该运放1脚和8脚的运放是什么作用？】LM301的1脚和 乱世煮酒论天下 网友正在看 在进行布线的时候，如何设置让走线从焊盘里面出线呢？ differential amplifiers（1） 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