本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Introduction继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 直播回放: Allegro 下一代磁感应解决方案：XtremeSense™ TMR 技术如何促进高效应用 不得不知的高速PCB设计中各类地的处理 用树莓派和Python开发机器人教程 计算机网络（哈尔滨工业大学） 通过FPD-Link实现J6与车载显示器之间稳健接口的设计考虑 电机和电机控制的简介：永磁同步（PMS）电机 飞思卡尔 5 W 单线圈无线充电发送器参考设计 一个外国人自制电子三极管的过程 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向／刮水／后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法；里面自带pb例程；希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 说说对二极管参数的了解，工程师设计需要知道哪些关键参数？ (1)最大反向工作电压：二极管在常温条件下工作时允许外加的最大反向电压值。(2)平均整流电流Io：二极管在常温条件下工作所允许通过的最大正向平均电流。(3)反向电流：二极管在常温条件下，和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。(4)正向压降（Vf）：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。(5)反向恢复时间（trr)：二极管截止后，从导通到关断所用的时间。(6)最大功率：二极管中有电流流过，就会吸热，而使得自身温度升高。最大功率P为功率的 world001 KiCad 6.0.0 发布 https://www.kicad.org/blog/2021/12/KiCad-6.0.0-Release/项目管理和核心功能 集成自动项目备份系统（JonEvans） 插件和内容管理器(AndrewLutsenko) 具有独立设置的并排安装(JonEvans) 扩展的鼠标和触摸板设置(JonEvans) Linux和macOS上的暗模式支持(JonEvans) 支持以英寸为单 dcexpert 《FPGA三国志》FPGA比CPLD的优越性在那里 目前CPLD主要有：I/OExpanderprotocalbridgegluelogicconfigorpowersequencemanagement.FPGA:基本上已经可以构建很多SOPC的应用了，因为目前FPGA的发展也是1--向32nm工艺前进2--内置超过120万以上的LE（按照每个产品比前一代扩大一倍来算）3--内置更多，而且不同容量的块RAM，实现更好的包通讯和DSP的数据缓冲4--可以很容易放置软核CPU，来实现必要的调试和管理功能5--具 liumnqti 操作系统奉行拿来主义 产品大都类iPhone 有分析师认为，智能手机操作系统的市场正趋于开源化；此外，苹果和RIM的封闭系统也在不断壮大，微软正面临两面受困的局面。在去年11月底以2亿美元收购联想移动后的短短1个多月，昨日，联想集团正式发布其移动互联网战略———“乐计划”，并推出第一代移动互联网终端产品“乐phone”。这个颇具“phone味”的小玩意使用谷歌Android操作系统。这样一来，联想终端设备的产品线微软平台、ophone平台、谷歌平台和Skylight智能本使用Linux的平台均有涉足，还不包括非智能手机。事实上，这种情 clark 电容三点式振荡电路，频率漂移，怎么办？该选什么三极管？ 我搭了个电容三点式振荡电路，发现温漂严重，该怎么处理？我需要的是：改变电感，频率变化的振荡电路，现在频率设计在10KHz~30KHz间，使用的是8050的三极管和104瓷片电容电容三点式振荡电路，频率漂移，怎么办？该选什么三极管？减少接触面积频率漂移的因素很多：管子，电感、电容。低频时，实际上管子的影响比其它的要小。电感的，特别是它的骨架，随温度变形要小，才能使电感变化小。电容，有的温度系数很大的，如：可见，其值随温度变化是很大的。所以，从元件上着手，要选择温度系数低的。第二 jianglit LED显示屏基础知识 Timson，如果您要查看本帖隐藏内容请回复LED显示屏基础知识想学习一下。学习了学习学习回复楼主探路者的帖子学习......支持一下，，，学习下，顶！回复楼主探路者的帖子学习下，顶！回复楼主探路者的帖子顶顶，，具体点xuexi学习顶一下学习了学习最近對LED感興趣!!推推mark看看`````````````````````````````````````````````````谢谢LZ分享！ 探路者 网友正在看 MCP8024简介 光纤传感器的调制形式 安装Python，编写Python脚本控制MP3播放命令 SYS BIOS简介(3)——硬件中断和空闲线程_1 ARM常用开发工具使用分析 下 MOSFET的基本特性（二十） 经典同步问题一 杂质再分布-2硅表面浓度
