本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 设计指南-热功率器件设计中的几点思考 直播回放： 如何使用 Microchip 安全方案为 IoT 设备保驾护航 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全国大学生电子设计竞赛经验交流----【电源类】(1)7月份，召开全国专家组工作会议，初步确定竞赛题目基本方向，审议竞赛题目基本框架。(2)8月17日至8月18日，召开全国大学生电子设计竞赛组织工作会议；部署竞赛事宜，包括宣传竞赛规则及竞赛期间有关注意事项。(3)8月24日至9月2日，召开全国专家组命题工作会议，编制并确定2013年全国大学生电子设计竞赛题目，报全国竞赛组委会审批，同时，制定评分标准及有关评分原则、表格等。(4)8月28日上午，网 paulhyde 问一个关于结构体中数据对齐的问题 arm92440，ADS下裸机调试。在调试的程序总遇到这样一个结构体，各个变量后边的注释是我打印的地址。typedefstruct{BOOLa;//0x33FF576CWORDb;//0x33FF5770UINT8c;//0x33FF5774WORDd;//0x33FF5776ADDRESSe;//0x33FF5778BOOLf www780625 spwm波用单片机怎么编程？ spwm波用单片机怎么编程？如果用定时计数器的话，初值怎么选定？spwm波用单片机怎么编程？你用DSP还是AVR很简单、DSP看看他的EV事件管理那。AVR定时器那块！没有内部的pwm你就用定时器参见相对应的MCU产品手册，有具体的应用说明定时器的初值是根据你的PWM周期来确定的51的话只能用定时器了 九尤nn ROM的时序控制 今天用FPGA读写内部ROM，仔细研究ROM时序发现:无输出锁存的ROM，给出地址后，延迟一个CLk后，取有效数据；否則，延迟一2个CLK，取有效数据。连续地址取数据，无CLK使能，即使能长期有效。连续给地址后，延迟（据不同配置的ROM）一或两个CLK。ROM的时序控制这么好的内容，大家还不支持下。 eeleader 网友正在看 在Allegro软件中，其PCB封装的后缀的含义是什么？ 第十六课 PLL锁相环介绍与简单应用 Multiclass Classification- One-vs-all 语言要素 数据类型 基本AT命令程序设计(二) 设备独立软件 数模混合信号电路设计 TI 新能源汽车电机解决方案 - B
