本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 Microchip超低功耗LCD单片机PIC18F87K90 电子电路基础知识讲座 NI桥梁结构健康监测系统演示 数学线性系统理论 马斯克再次改写历史，Space X“重型猎鹰”运载火箭首飞成功，将跑车送上天 直播回放：富士通 FRAM 无加密算法（频谱）的真赝验证解决方案 安全的革新，世界首创全新的验证方式 直播回放: Microchip 安全系列 8 平台固件的安全弹性 基于树莓派的报靶器 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向／刮水／后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法；里面自带pb例程；希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 WiMAX始终是3G服务的配角 来源：中国高新技术产业导报作者：李辉在3G的一派大热之中，结合了宽带和移动两大特征的WiMAX一直是业界关注的焦点。3G和WiMAX谁将主导无线市场的未来？在近日召开的2005年WiMAX全球峰会上，业内人士普遍认为，WiMAX的无线宽带技术虽然具有很多优势，但在产业化进行度、商业化模式、标准建设等方面还需要进一步完善和加强。 替代还是补充 WiMAX和3G的关系在业界一直争论不休。最初WiMAX被视为3G的挑战者和终结者，而近几年来WiMAX更多地被视为3G技术的补充 mdreamj SpaceX第三次成功在陆地上回收火箭 北京时间2月20日，美国太空探索技术公司(SpaceX)周日发射的“猎鹰9号”任务取得圆满成功。SpaceX不仅成功将“龙”飞船送往国际空间站(ISS)，还在卡纳维拉尔角实现了“猎鹰9号”一级火箭的陆地回收。这是SpaceX第三次成功在陆地上回收火箭。现在，SpaceX回收的一级火箭总量已达到8枚。SpaceX第三次成功在陆地上回收火箭对此事表示再次的关注,更关心的是:回收成功的这几次,是否同一枚火箭?发动机是一次性的还是反复使用的?发动机作过何种维修?是否换过发动机? maychang 【一起玩esp8266】复位死掉解决方法 接触esp8266好多天了，发现一个问题，打开PuTTY，当复位后会死掉，无法输入，每次都是，解决方法，关掉PuTTY后，重新打开PuTTY就好了，或者用SecureCRT，不会出现这个问题【一起玩esp8266】复位死掉解决方法我感觉是在切换输入法之后就死掉了，除非关掉，否则再也回不来了。可能和PuTTY有冲突你们使用的是windows版的putty吧，在linux下用putty没有这个问题的。 是的，每次都这样，我换SecureCRT就没有问题 可能是软件本身的问题 qwerghf 受打击了,看了一下午的ARM开发板的用户手册,连烧程序都没学会 受打击了,看了一下午的ARM开发板的用户手册,连烧程序都没学会初学？恩,今天才摸这玩意什么型号的ARM？有单片机基础的话学ARM也很快的。哈哈，没什么打击的，你这是学，不是工作，压力没那么大，当然会效率低啦。。要相信自己的能力啊。。换到工作的环境，就两下子搞定了。对于初学者来说，把整套开发环境弄熟悉也是一项很大的工程。。。个人认为如果有一个人带着自已熟悉环境，那么入门的门槛将低很多，很多。。。。你买的什么开发板啊，手册没说清楚啊，烧程序很简单啊，通过JTAG或者串口烧录fr slamdunk 关于ADC输入带宽的疑惑 我在一个ADC的数据手册里看到这样一句话EN2=0时−3dB输入带宽设为28MHz，而EN2=1时−3dB输入带宽设为9MHz。仅在采样速率为2MSPS这款ADC的型号是AD7960最高采样率为5MSPS，EN2是用来设置输入带宽的引脚让我比较迷糊的是：1、这里的−3dB是什么意思？2、为什么输入带宽为9MHz时采样率应该是2MSPS？输入带宽不是应该低于实际采样率吗？3、为什么不只提供一个28MHz，多一个9MHz的选 littleshrimp 让我们一起DIY个 FPGA开发板，上电路图，欢迎查错 自从让我们一起DIY个FPGA开发板，报名喽~~~之后很久没给大家消息了，附件是电路图，protel99格式的，之前只画过简单的，所以希望大家给予指教……一点相关资料：AlteraConfigurationHandbook&cyclone_device_handbook让我们DIY一个FPGA开发板，预备中：不打算做成成品了，电路图给大家参考下吧让我们一起DIY个FPGA开发板，上电路图，欢迎查错不错来看一看aaaaaaa jyl 网友正在看 嵌入式处理器（2） 双极型晶体管（五） 十面埋伏的并发(四)：互斥锁 MOS管的手工分析模型 OneOS工作队列编程实战 Microchip Timberwolf™ 音频处理器在线研讨会 Equilibrium Carrier Concentration - Recap bluenrg-1 rng ws2812b
