本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 如何使用Java Pi4J对树莓派I/O口编程 Keil MDK 开发工具 Version 5 中的软件包和组件 WEBENCH FPGA Power Architect功能导览 黑科技探头：碰一下就知电流大小（英文） 直播回放: TI 德州仪器基于 Arm 的 AM62 处理器简介 Atmel Studio 6仿真器介绍 PMSM控制技术：功率级 - 第3章电机控制电子实验室 PRoC BLE 低功耗蓝牙射频片上系统简介 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向／刮水／后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法；里面自带pb例程；希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 关于STM32F4驱动ESP8266发送数据 小弟打算应用ESP8266无线串口模块发送STM32ADC+DMA采集到的数据，刚接触这块，找的是网上别人的ESP8266的配置程序，调试通过可以发送字符串常量，或者字符数组。。。。可是当我将ADC采集到的数字量拆解得到高8位，低8位的char数组，如左图，调用ESP8266发送时，在网络串口助手上接收的是却是如下右图：这又是什么问题？？？？菜鸟弄起来各种问题。。。关于STM32F4驱动ESP8266发送数据第三幅图是ESP8266发送字符串函数，使用透传ENABL EdwardsThompson 华为：出征欧洲 《市场圈》杂志 华为总裁任正非 2005年，任正非和他率领的华为取得了国际化的丰硕成果。华为已经做好成为国际一流电信设备商的准备。 文/郑一飞 今年前9个月，华为总计收入了60亿美元，其中62%均来自海外市场，预计公司的海外收入还将继续增长。华为计划今年营收额实现34%的增长率，达75亿美元。从长远来看，华为的目标是成为一家真正国际化的企业，如今的华为离这个目标越来越近了。 虎口夺食 去年12月8日的荷兰海牙，华为总裁任正非和荷兰Telfort公司CEO共同签署了 mdreamj PB导出SDK安装时出错啊 用pb编译了一个内核，没什么错误，导出sdk也没错误，可是在安装时出错了，如下：这样安装后在EVC里找不到，卸载时也会出现同样的错误。什么原因啊？谢谢PB导出SDK安装时出错啊错误信息看不到!!!啊，还可以贴图吗？贴图有问题吧，是弹出一个对话框，内容如下：Anexceptionoftype\'RuntimeError\'wasnothandled.Wouldyouliketodebugtheapplication?标题：microsoftd Dream1231 做winCE6应用和驱动的都进来下: CE6, 三星2440, CreateDIBSection/LCD驱动的问题 这个问题并不是那么容易发现,表面上看起来好像没有问题一样.如果您们对界面执行效率要求不高,也许根本就发现不了环境三星2440,windowsCE6.0800×480的分辨率.我们有一个程序在windowsCE5.0下跑得很流畅,但同样的代码移植到三星2440的windowsce6.0后发现界面很卡,而移植到A4方案上的机器上又不卡.这个问题有些奇怪,之前也没有遇到过,我们怀疑过很多东西,甚至怀疑是不是windowsCE6.0系统本身的问题.经过我们一点一点的分析 comnet001 关于TO-220封装的可控硅引脚之间的距离的困惑 TO-220封装的可控硅,比如:BTA12,很普遍的可控硅,A1,A2两个引脚间的中心距离是2.4—2.7mm,边缘的距离大约是1.8mm,焊到PCB上后,两个焊盘的边缘的距离就更小了,可能只有1mm.当可控硅不导通的时候,两个引脚之间的电压差应该是220V,看到很多讲电气间隙和爬电距离的文章说,220V的电位差需要有2.5mm—3mm的距离,这是怎么回事呢,请高手指教.相信这种封装肯定是没有问题的,只是该如何解释呢?如MOC3063的datasheet中的典型应用所示. 关于TO-22 offset 【2024 DigiKey 创意大赛】二月柳絮大作战项目——作品提交 二月柳絮大作战作者：Maker_kun一、作品简介二月柳絮大作战主控板使用乐鑫科技ESP32-S3-LCD-Ev-Board，该开发板集成ESP32S3WiFi模块，同时开发板具备480*480的LCD液晶屏幕，对于用户界面设计非常友好；传感器使用sensrion公司的SPS30激光颗粒物传感器，可以感知PM2.5PM10以及颗粒物粒子大小，传感器可连续工作6年之久；空气状态显示采用ws2812LED构成8*8构成的点阵屏幕，可以直观通过颜色展示当前空气质量；负载 Maker_kun 网友正在看 14-4_RaspberryPi_USBWebCam_4_AR_D BIST2 Intro Allegro软件中热风焊盘的作用是什么呢？ Xilinx原语的使用（第一讲） ④平板触控示波器的水平系统 蓄电池的工作特性 电子封装中的力学（十九） RT-Thread Nano-自动初始化及MSH-EXPORT-1
