本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 PSoC Creator 特色概述：如何使用工作区域窗口 正点原子手把手教你学 NIOS II THS6222 宽带 PLC 线路驱动器概述 世界第一辆全电力自动驾驶载人飞行器，中国设计！ Silicon 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请问下，对于一个ZigBee网络，里面有一个协调器，两个路由器以及一个终端节点，我想知道终端节点是怎么加入网络的，是通过路由器加入网络的还是直接跟协调器组网的。通过packetsniffer能看得出来吗，要怎么看？怎么判断ZigBee终端节点是以哪种方式加入网络的可以经过协调器或路由器都能入网的终端选择信号好的入网个人见解。。可以通过packetsniffer能看得出来的；可以看有一个介绍加入帧，然后看MAC地址就好了，或者加入后通过获取父节点地址的函数获取父节点MAC地址； zhongwu 12864程序中加入查询忙状态函数后没有显示 程序中不用查询忙状态函数时显示正常，但是加入查忙状态的函数后就没有任何显示了，从网上找了各种的查询忙状态的函数都不行。请教是什么原因，谢谢！12864程序中加入查询忙状态函数后没有显示不咋会用不知道这个对你有帮助不我相信肯定是有用的，呵呵。谢谢你都没说问题在哪。。。你说这个。。大家怎么猜咯。如果是51单片机的话，你看看有没有先送1啊回复板凳longlink的帖子是51单片机，lcd12864显示程序，我在向液晶写数据和写数据的函数中调用查询忙标志位的函数后，液晶就不显示我 longlink 使用什么工具能精确检测毫欧级电阻、使用什么能精确检测大于10uF X5R X7R的电容 使用什么工具能精确检测毫欧级电阻、使用什么能精确检测大于10uFX5RX7R的电容使用什么工具能精确检测毫欧级电阻、使用什么能精确检测大于10uFX5RX7R的电容LRC电桥测试仪“使用什么工具能精确检测毫欧级电阻”开尔文电桥(双臂电桥)。“使用什么能精确检测大于10uFX5RX7R的电容”万用电桥。X5RX7R电容本来就不是精密元件LRC数字电桥，10uF电容用电容表，有的万用表也可以测电容。用LCR电桥测量出来的是交流电阻，而用万用表测量出来的是直 woshiwudi119 如何修改注册表使文件与应用程序关联？？？ 我自己写的一个应用程序aaa.exe,我想使audiofile和videofile关联到aaa.exe。在emulator中我使用remoteregistryeditor修改audiofile\\\\shell\\\\open\\\\command数值可以实现。那么我是否可以在我自己的shell程序中通过RegSetValueEx实现呢？为什么这样做我在remoteregistryeditor发现前后不变？还是默认的ceplayer.exe%1？下面是我的代码：H wangjinhua886 网友正在看 單元二 發展系統_Part 11 發展系統安裝影片 TI 在手持式吸尘器应用上的参考设计 太阳系新纪录：德机器人0.887秒解开魔方 无人机定义 1.Introduction to gate drivers&Example applications Orcad中怎么批量修改属性值字体的大小，比如位号、封装属性这些字体的大小？ Final Project - Group 2 51单片机之让蜂鸣器响起来
