本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 随机信号分析 嵌入式linux Framebuffer驱动开发 如何在步进电机中运用集成式的电流感应器 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测量CC2640低功耗的技巧 最近的一个项目是用cc2640做一个蓝牙门锁。功能实现后折腾低功耗花了一两天。其实功耗主要是两方面1、是蓝牙广播的时间，这个周期越长功耗会更低2、一些IO口存在漏电测试功耗可以先把蓝牙广播完全关掉，从而来测量整个外设的功耗情况；一些普通的输出口一般不会影响功耗，只要把高低置好就不会有漏电，主要是要注意一些输入口，特别是AD口，其内部因为电路不一样会造成漏电，这种一般就是在采集的时候置为输入，平常置为输出。在测量功耗的时候注 Aguilera 物联网网罗天地 世界将发生怎样的变化 物联网”、“嵌入式技术”、“传感技术”、“智能家居”、“泛在网络”……这些看上去熟悉又陌生的专有名词将使我们的生活发生怎样的变化？当语言不再是人类特有，所有物与物、物与人之间都可以通过计算机、互联网进行立体对话，世界又将发生怎样的变化？早上醒来，躺在床上用手机发条指令，面包机、煮蛋器可自动为你做好早点；进入办公区，刷刷门卡，所有需要的照明设备便可自动亮起；晚上回家，空调可提前开启为你驱寒降暑；外出逛街，GPS等手持设备可为你搜罗附近最新的促销信息，并将商场的营业时间、目的路线、特色信息统 xyh_521 《晶体管电路设计》日本 池原典利著 中文版 《晶体管电路设计》池原典利（日本）著，中文版由国防工业出版社《晶体管电路设计》翻译组翻译，1970年7月由国防工业出版社出版第1版。老一辈翻译的技术书籍都很严谨，适合有一定基础的工程师温习。此书共分十二章，逐一介绍了晶体管音频放大、高频放大、直流放大、振荡、变频、检波、调制、稳压电源、电视技术、脉冲信号技术，以及特殊半导体器件等基本电路设计计算方法。全书侧重于电路设计举例，内容浅显易懂，不同于国内的模电教科书，虽年代久远，但基础理论仍然历久弥新。《晶体管电路设计》日本池原典利著中文版 turbocharger 网友正在看 仿真常用语法讲解1 TransferJet适配器 系统建模与分析 11.6 效能分析 了解功率密度–减少开关损耗 指令系统的发展与改进 基于OV5640的以太网视频传输_程序设计（第二讲） PowerDissipation 主频和时钟配置实验-8路PLL和8路PFD时钟设置
