本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SmallSignal_Modeling_–Transconductance继续观看 课时1：About_This_Course 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3：CMOS_Processes 课时4：Semiconductors__Part_1 课时5：Semiconductors__Part_2 课时6：Semiconductors__Part_3 课时7：Conduction Part 1 课时8：Conduction Part 2 课时9：Contact_Potentials 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22：Introduction 课时23：Complete_AllRegion_Model 课时24：Simplified_AllRegion_Models 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 课时27：Strong_Inversion_Models 课时28：Weak_Inversion_Models 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30：Effective_Mobility 课时31：Additional_Topics 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69：Noise__Introduction 课时70：Noise__Thermal_Noise 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations 课时72：Noise__Flicker_Noise 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74：Halo_Implants 课时75：Well_Proximity_Effect 课时76：Stress_Effects 课时77：Statistical_Variability 课时78：Epilogue 课程介绍共计78课时，15小时8分11秒 MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕） 课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 LCR串联谐振电路 直播回放: Renesas瑞萨电子 Arm MCU 的新能源进击：RA6T2 LabVIEW基础入门 研讨会：TTI TE 传感器在工业电机里的发展及最新应用 支持多通道的32Gbit/s 信号质量分析仪——MP1800A TDA2x评估平台 TI 接口芯片在汽车产品中的应用 Vivado快速入门系列教学视频 热门下载 关于GPS设计的一篇参考文献。很有参考价值的。 学习之子风险 74系列芯片资料_（中文）（精） 12864LCD显示计算器键盘按键实验 UL1741逆变器标准 STC单片机程序优化设计点 13.符合IR46标准的全新智能电表 五金&模具材料简介 多功能数字时钟设计资料 《无线电》2011年合订本.上].《无线电》编辑部编.人民邮电出版社.2012-2-1.扫描版(简体) 热门帖子 认识单片机 本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:16编辑单片机是把CPU、存储器、及I/O集成到一个芯片上，只要外加少许电子零件便可以构成一套简易的控制系统。这样可以降低设计出来的产品的硬件成本。由于单片机芯片设计及制造技术方面的原因，在有限的芯片上无法设计出太多的内存空间，因此单片机上的ROM及RAM的容量都比较小。别看这一块小小的芯片，在单片机的芯片里都加入了输入输出控制、定时计数器及外部中断的控制功能，有些还带了串行传输的接口，甚至还提供A/D（模/数转换）及D/A（数 kjf5151 nios2程序下载问题 最近在调试一块FPGA线路板（cycloneII），遇到个非常奇怪的现象。下载配置文件的时候没有问题，但在nios2编译环境下下载flash文件的时候提示：Resettingandpausingtargetfailed。就直接退出了，程序下载不进去。但如果把固件程序改动下或者对编译参数等做下修改后在编译的时候，又可能不出现上边的提示，程序也顺利地下载进去了。给我的感觉是只要固件程序发生改动后，就有可能出现以上的现象，下载成功或者提示Resettingandpausingtarge zhanhe STM32F103在RAM中传递数据怎么这么慢啊 u16adc_data;//每个周期采样100次，采样2个周期，7X100X2,ADC采样2个周期后，传输至adc_data，用于分析计算u16new_adc_data;//每个周期采样100次，采样2个周期，7X100X2，ADC时，由DMA传输至new_adc_data//ADC采样2个周期后，传输至adc_data，用于分析计算for(i=0;i1400;i++){adc_data=new_adc_data; m200200 ATMEGA162串口波特率无法更改问题 我用ATMEGA162的串口0进行串口实验，但是无论怎么设置波特率，波特率总是1200，无法更改，请高手帮忙解决。谢谢！下面是程序：//ICC-AVRapplicationbuilder//Target:M162//Crystal:8Mhz#includeiom162v.h#includemacros.h#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintucharflag_uart0;ucharrx hfq2003106 19264液晶显示万年历 我做的19264液晶显示万年历19264液晶显示万年历挺漂亮的~~~回复：19264液晶显示万年历不错，赞一个。回复：19264液晶显示万年历顶个。支持！继续加油！回复：19264液晶显示万年历不错我也想做一个能否提供资料硬件和软件谢谢wo.shuai123@163.com19264液晶显示年历，很好，很好，继续加油！！！！！！！！！我做的19264液晶显示万年历能否提供资料硬件和软件谢谢suhang225@126.com请发一份LCD驱动给我，先谢 tokuhou 控制步进电机正反转的实际应用程序 /*这是一个控制步进电机正反转的实际应用程序*//*选用的是三相步进电机驱动器,p14口线用做步进电机的脉冲控制*//*p13口线用做步进电机的方向控制。p15,p16,p17是光耦开关量输入*//*信号端，p20,p21,p22,p23与x25045看门狗存储器相连*//*k7,k8键是设定步进电机转动速度参数的加减键*//*k9是启动运行键，按一下k9，步进电机开始运行，直到p17口线有信号输入才停止*//*k10是停止键，任何时候按下k10都将停止步进电机当前的运行*//*k rain 网友正在看 人机交互 5.5：InstaSPIN-FOC，MotorWare和GUI演示 三菱FX系列PLC教程 51 —— FX系列的浮点数转换指令 Altera Quartus II 14.1采用DSE优化Quartus II设计 电子测量原理14 原理图设计中相同网络如何实现高亮？ 归结反演 成本优化的电容触摸微控制器 (1)
