本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 杂质再分布-2硅表面浓度继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 Atmel SAM4L picoPower简介 了解数据转换器错误及参数 CES 2015焦点: maXTouch T Series手势解锁功能演示 直播回放: Matter标准和采用CryptoAuthentication™ IC的安全身份验证 掌握高压栅极驱动器设计的基础知识和艺术性设计 MPLAB® X IDE 入门(上) 点亮NFC手镯 通过RAM/UBI文件系统引导Linux内核 热门下载 通用存储器 包括各种类型存储器的VHDL描述,如FIFO,双口RAM等VHDL代码库 TE|如何有效应对当下测试测量领域的挑战 矿井无线传感器网络的网关设计 复件 INTEL_CPU Linux环境并发服务器设计技术研究 射频em4100应用程序 智能手机血压计解决方案 无线传感器网络的节点自定位技术 cadence中文使用手册 工业电路板芯片级维修从入门到精通 热门帖子 NXP LPC1768宝马开发板 第十九章 宝马1768——CAN总线 第十九章宝马1768——CAN总线开发环境:集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统:MicrosoftWindowsXP开发平台:旺宝NXPLPC1768开发板19.1CAN总线简介19.2LPC1768CAN总线控制器介绍 旺宝电子 Cortex-M3 MCU 电源解决方案 Cortex-M3MCU电源解决方案TICortex-M3MCU电源解决方案Cortex-M3MCU电源解决方案与TICortex-M3MCU好像没啥关系,内容fxyc87发表于2015-2-308:56与TICortex-M3MCU好像没啥关系,内容 地址已经修改过来了,sorryGAINSPANWIFImodule双核CORTEX-M3 qwqwqw2088 怎么让16位数据总线 输出32位数据? 怎么让16位数据总线输出32位数据?inoutdata;存储器怎么让16位数据总线输出32位数据?求解,希望大家帮帮忙没明白什么意思32bit可以分成两个16bit发出去不?截位,取高位输出 angel1o 硬件求助 各位大神,我想问一下大家下图中红笔圈出来的那两个接口接的是什么线?这种线一般用来做什么?信号输入吗跟另外一个圈圈里面的那个借口是连着的吗?小妹对这些一窍不通只有几张模糊的图片实在看不清楚求大家帮忙看一下不甚感激啊硬件求助拍左边接口的正面图啊?ai.en发表于2015-1-3011:53拍左边接口的正面图啊?这是别人拍的图片没有正面图所以只能猜测啊 什么信号得看插口啊,还得看什么设备啊。什么板子呢,来个正面照,是不是传感器线?赶脚像串口线,RS2 小可姐 利用Multisim学习模拟电路和数字电路--连载 说明:这是一个基础性的学习笔记,感兴趣的可以来看一下。为方便收藏,我做成了PDF文档,大家可以下载。每次更新都会有PDF文档供下载。模拟电路、数字电路学习笔记---基于Multisim10电子通信类常用的仿真软件: Systemview---数字通信系统的仿真 Proteus――单片机及ARM仿真 LabVIEW――虚拟仪器原理及仿 tiankai001 我的Arrow SoCKit也收到啦 我的ArrowSoCKit也收到啦,先拍个图片上传一下,好激动,大家一起努力哈!来个正面照,那个小屏幕上电好像一点反应都没,旁边的LED也不见闪的,好像没烧写程序,还需进一步确认背面是这样的:系统结构框图:我的ArrowSoCKit也收到啦羡慕ing,高端的板子,密密麻麻的器件!当年推广的时候卖600¥。才600啊不是很贵的样子3个U口都滴胶啦?明智,哈哈这U口太脆弱了,这个以后的设计千万要考虑这个问题,被扯掉 chenzhufly 网友正在看 第四章 第3节 第十三章 ZYNQ PL中断请求 1.3 疑难解答和调试VI 几个重要的概念:dB、dBm和ppm multiSIM视频教程4_放大电路的创建与测试 电源的定义以及电源的运用范围 Lec 34, MOS Small-Signal Model, PMOS Device 可采纳的启发式函数