本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Sputtering：introduction and plasma formation继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 TI-RSLK 模块 4 - 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