本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 从零开始写容器 工业机器人研讨会 SimpleLink帮助您开发蓝牙低能耗项目 60V 可驱动LED的降压-升压控制器 IC 小小合格标签背后的认可校准 半导体器件物理 （施敏 台湾交通大学） 机器学习 （台大李宏毅） 奥本海姆主讲——信号与系统：模拟与数字信号处理 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 EE TALK——扒一扒你身边的智能家居/可穿戴 智能家居的风刮了又刮，可穿戴的概念也火了这两年，作为寻常百姓，他们真的走进你的生活了吗？本期EETALK话题：扒一扒你身边的智能家居/可穿戴，欢迎大家跟帖，分享你对这个问题的看法。问题1：如果价格可以接受，你会为自己或家人买可穿戴设备吗？问题2：如果给你一次重新装修的机会，你会把智能家居引入家门吗？你觉得哪一方面最应该智能化？EETALK——扒一扒你身边的智能家居/可穿戴本帖最后由jameswangsynnex于2015 eric_wang PWM桥驱动电机，TI和ST比较 之前一直用L6205D的H桥驱动电机，ST的话，一组线圈，由2个IN脚控制，那么一个脚接低电平，另外一个脚给PWM，容易理解电流的转动方向，要反向的话，低电平信号和PWM信号反过来输入就可以了IN1IN2OUT1OUT2HLVsGNDLHGNDVs最近接触TI的DRV8812，发现他一组线圈只有一个PWMxPHASExOUT1xOUT21HL0LH那这个的正反转可以怎样理解 billy_2005 STM32用到的TFT屏幕资料及例程.欢迎补充 既然有人需要TFT屏资料.放假在家也没什么事.整理一下自己手头有的吧.做个抛砖引玉.希望大家能吧自己方便分享的资料都上传上传~STM32用到的TFT屏幕资料及例程.欢迎补充红牛的东西很火啊貌似哈哈哈，不过板子却是很漂亮啊呵呵恰好我手头有几块回复沙发鑫海宝贝的帖子我去你还有几块哈哈哈，真富有啊，812158980我qq加我，方便交流回复板凳astwyg的帖子加了.都是老师的...回复4楼鑫海宝贝的帖子那你也很幸福啊哈哈哈回复5楼astwyg的帖子路 astwyg DSP 28335 ADC 采样率问题 28335的ADC采样率最大能达到多少？是12.5Msps吗?我用0.5MHz的方波信号测试，结果显示一个周期只有10个点，即采样率只达到了5MHz，这是极限速度吗？还是因为存取的指令时间太长了，有些值没保存下来？我的代码如下：//###########################################################################////FILE:Example_2833xAdcSeqModeTest.c//// YUCHAO 28335采集电压和电流数据错误 我用的ccs5.2版本，采用ti的controlSUITE里面的AD采样例程，路径为C:\\ti\\controlSUITE\\device_support\\f2833x\\v132\\DSP2833x_examples_ccsv4\\adc_soc，出现问题如下图所示，希望前辈们指导一下，错误原因。不胜感激！2张图片已经上传28335采集电压和电流数据错误 全然向你 LT3480结温计算 大家好！我想使用LT3480这个开关稳压源，输入25V，输出3.3V，输出电流0.3A。我查表（效率vs负载电流）得到效率为80%；输出功率0.99W，加到LT3480的功率就是0.2475W(0.99W×(20/80)),结温就是T=40°C+0.2475×45°C/W=51.1375°C。请问大家我算法对吗？LT3480结温计算从LT3480的datasheet找的结温公式？讲讲40°C怎么来的qwqwqw2088发表于2014-11-18 ufozhao202 网友正在看 射频集成电路 常用其他PCB封装的直接调用 模糊集合的定义和表示方法 安全电压 氮化镓功率器件TI-GaN在900V千瓦级多电平系统中的应用 C语言程序设计视频教程(曾怡)24 本讲内容介绍 4 位置传感器的组成及使用方法
