本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Successful MEMS products：microphone继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 东芝无刷电机的变频器控制 VICOR 高性能电源转换研讨会 (2019.11) Atmel于2014 CES展台直击 这不是科幻小说，是谷歌隔空操作技术Project Soli！ 跟随格兰特 • 今原一起到旧金山：探索机器人的情感力 直播回放: TI 业界超精确3D霍尔效应位置传感器 Microchip苹果配件开发工具包 趣味电子技术史话：录音技术的发展历史 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 【藏书阁】第5篇 模拟电路 /如何成为电子工程师从书系列 目录：第一章无源滤波器、衰减器和均衡器第二章放大器的基本原理第三章波形发生器第四章模拟信号处理电路第五章调制电路与解调电路参考文献【藏书阁】第5篇模拟电路/如何成为电子工程师从书系列就是时间久了很好学习。学习。再学习 wzt 9B96 LWIP 发送数据 出错？ conststaticunsignedcharstr1=12345678;staticerr_tTCP_Client_connected(void*arg,structtcp_pcb*pcb,err_terr){tcp_write(pcb,str1,sizeof(str1),0);//将收到的数据发送出去tcp_close(pcb);//关闭连接returnERR_OK;}voidTCP_Client_Init(){structtcp 喜鹊王子 CPLD与51单片机总线接口程序 timescale1ns/1nsmoduleIO_KZ(Data,P27,WR,RD,ALE,CLR,OUTKEY,OUT30,CS,CS1,LEDCS,OC);inoutData;inputWR;inputP27;inputRD;inputALE;inputCLR;inputOC;inputOUTKEY;outputOUT30;outputCS;outputCS1;outputLEDCS;regLEDCS;regOUT30;r aimyself 简单实用的单片机CRC快速算法 摘要：提供两个实用的、能够在单片机上通过软件来实现的CRC快速算法，其中一个适用于51系列等单片机，另一个适用于pic单片机，这两种算法十分简单快捷。关键词：CRC算法单片机作者：煤炭科学研究总院太原分院韩炬电子学教研室（710032）焦纯陈马丁李洪义1引言CRC（循环冗余码）检验技术广泛应用于测控及通信领域。在很多情况下，CRC计算是靠专用的硬件来实现的，但是对于小型低成本的单片机系统来说，若要 rain 晶振两脚的电容问题？ 请高手帮忙分析我用了个18.432M的晶振两脚各接了一个30P的电容晶振不起振是什么原因呢30P是根据公式算出来的（C1+C2）+C0=CL18.432M晶振的负载电容查了下是15p左右是不是接的电容不正确啊先谢过了 晶振两脚的电容问题？换一个试试就知道了嘛。。。。换个晶振，要是没有晶振的话，你用示波器看看你晶振是不是真的不起振！匹配电容的容量选择跟振荡器的参数甚至电路的分布参数都有关，其影响甚至是频率的函数，不能简单按照楼主的公式进行选择，一切以器件手册中所载明 silencepiece TMS320F28335 调用DSP函数介绍 第一个函数是：CFFT_f32_sincostable(&cfft)其中cfft就是上述的一个结构体。这个函数的作用就是计算傅里叶变换的转化因子。转化因子由公式可知只与傅里叶变换的阶数有关，所以只要在结构体中对stage和FFTSize进行了赋值就可以计算转化因子了，而且转化因子是固定的，如果不需改变傅里叶变换的阶数，只需要计算一次就好了。第二个函数是：CFFT_f32(&cfft)这个函数就是做复数傅里叶变换的函数，需要注意的是该函数要求输入数组的数据 fish001 网友正在看 具有恒流源的差分放大电路 11d- Sign-off Validation, including IR Drop and EM Analysis, LEC, and DRC_LVS_ERC 尺度变换特性与奇偶虚实特性 嵌入式Linux USB驱动开发 上 Scaling Down GSM模块SIM900A发送短信 常见Linux®驱动程序使用培训教程 CC1120开发板范围测试
