本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Basic principles of CVD and CVD reactors继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 特斯拉创始人Elon Musk访谈，揭秘成功背后的故事（中英文字幕） VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）（东南大学） 数据结构 上海交大 ADI在线研讨会:工业设计中用于降低功耗和减少有害热事件的设计技术 Atmel_AVR_MCU功能应用总汇 快速设置示波器的 5 大技巧 直播回放: Jacinto™7 工业应用处理器介绍 英式树莓派起步教程 热门下载 浅谈检测／校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机＋CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 VGA显示乒乓操作 做VGA时，数据先缓存到SDRAM里再读出来给VGA，看了好多都用了乒乓设计，在SDRAM里把BANK分区，分别进行读写操作，这样就实现了在SDRAM内部的乒乓操作。我不理解的是SDRAM不支持同时读写，怎么可以同时往一个bank里写，同时又要从另一个bank里读出来，他们的数据总线是一根啊，怎么实现同时？VGA显示乒乓操作某个时刻，只能执行读写命令其中的一个。但是。并不是执行一次读或写，整个bank就操作完成了。需要执行很多次。某次操作一个bank。下次操作另一个bank。整体上， HAORUIMIN 修改一些android配置文件，快速编译android系统的方法 比如，我要修改LCD显示图标的大小，我就要修改device/samsung/smdkv210/system.prop:ro.sf.lcd_density=240其实这个改了之后会跑到out/target/product/smdkv210/system/build.prop:ro.sf.lcd_density=240这里的，这个才是最有效的。这个能否在out/target/product/smdkv210/system/build.prop:ro.sf.lcd_density=240这里直 Wince.Android 基于单片机的嵌入式系统网络接入方案 引言在网络技术应用日益广泛的今天，网络传输是最经济有效的数据传输方式。如何利用廉价的51单片机来控制网卡芯片进行数据传输，加载TCP/IP协议连接到互联网，实现网络通信成了众多设计者的目标。但由于指令及资源的限制，实施过程会有许多困难。我们在设计方案中舍弃了耗费资源的高级协议，采用发送小数据包的方式以避免分段，来简化TCP协议和UDP协议，实现互联接入。硬件设计与实现系统的硬件结构框图如图1所示。本系统的微控制器是Winbond公司的78E58，网络接口 zpdzw ECG 专用芯片ADAS1000 ADAS1000-3/ADAS1000-4能够测量心电图(ECG)信号、胸阻抗、起搏伪像及导联连接/脱落状态，并将此信息以数据帧的形式输出，以可编程数据速率提供导联/矢量或电极数据。它具有低功耗和小尺寸特性，适合电池供电的便携式应用。它还是一款高性能器件，因此适用于高端诊断设备。ADAS1000-4是功能全面的3通道ECG，集成了呼吸和脉搏检测功能；而ADAS1000-3仅提供ECG通道，没有呼吸和脉搏检测功能。ADAS1000-3/ADAS1000-4旨在简化采集和确保高质量ECG信号的任 dontium LM3S系列芯片的SPI通信 请教一下,SSIConfigSetExpClk(SSI_BASE,SysCtlClockGet(),SSI_FRF_MOTO_MODE_0,SSI_MODE_SLAVE,BitRate,DataWidth);这个函数中 guguo2010 uboot编译问题，那位大侠帮着看看。 #makefft2410_configConfiguringforfft2410board...#makeGeneratinginclude/autoconf.mk.depfordirintoolsexamplesapi_examples;domake-C$dir_depend;donemake:Enteringdirectory`/home/allenlx/uboot/u-boot-1.3.4/tools\'make:Noth zhiguodu 网友正在看 在进行布线的时候，如何设置让走线从焊盘里面出线呢？ differential amplifiers（1） 2.1.4_IoT联接管理平台介绍 Efficient Point Cloud Recognition 中断下半部处理机制 Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 专题8：室外移动机器人 高频谐振放大器、正弦波振荡器习题讲解（四）
