本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： SUPPLEMENTARY Other PVD methods继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 快速充电的发展趋势及TI的解决方案 SimpleLink™Wi-Fi ??®CC3220项目入门 用TI SimpleLink Wi-Fi CC3200让物联网成真4 【CC1120评估套件指南】CC1120 Sub1G 开发套件动手实践 CapSense触控感应控制器全球发运量超过10亿片！ 专题：ST SensorTile 开发大赛作品视频锦集 TI 新能源汽车BMS解决方案 TI-RSLK 模块 9 - SysTick 计时器 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 这是怎么回事呢？重启ccs很多次了！ 使用ccs5.2调试例程调试pmsm3_4例程程序load的时候总提示Nosourceavailablefor0x3fffff根本进不去main函数请问下这个可能是什么原因引起的，我都重启ccs很多次了，现象一样\0\0\0eeworldpostqq这是怎么回事呢？重启ccs很多次了！好像刚用CCS5的时候遇到过，好久了，忘了怎么解决的了好像是有些地方配置的问题。再看看别人有知道的不jishuaihu发表于2015-2-2710:18 CHIYU 数字化智能充电器的设计 摘 要：设计了基于单片机的智能充电器,介绍了其硬件和软件实现。该充电器可以实时采集和计算电池的参数,并进行智能控制,还可以通过串口和上位机进行通讯并进行实时 关键词：智能充电器单片机开关电源锂离子电池 现代通讯设备、便携式电子产品、笔记本电脑、电动汽车、小卫星等普遍使用蓄电池作为电源,应用非常广泛。然而大多数设备中的蓄电池,只能使用专用的充电器,而且普通的充电器大多充电时间长,无法判断其充电参数和剩余的充电时间。 本文介绍一种基于单片机的通用智能 fighting 谁能帮我把Allegro 的这个PCB 转成ALTIUM AD9的格式 麻烦了。先谢谢了。谁能帮我把Allegro的这个PCB转成ALTIUMAD9的格式内电层有点小问题，软件不兼容谢谢了。这个是别人转了一下的把它转成CADENCE16.5能用的。SWRC286.ZIP是厂家出来的。帮我看看这个吧。谢了。哈哈。 damiaa 庆科WIFI库中UwtPara_str是早期版本的定义还是怎么回事？ 庆科的库说明中，有voidApListCallback(UwtPara_str*pApList)这个函数的说明，其中提到UwtPara_str结构，而在例程中，却使用的是ScanResult。在例程可以找到ScanResult的定义，而找不到UwtPara_str的定义，在编译时，如果使用ScanResult结构，可以编译通过，而使用UwtPara_str结构却不可以，说明即是在lib文件中，也没有UwtPara_str的定义。我的疑问是，文档没 dontium atmel sam_ICE在线调试 最近使用atmelD20Jmcu，用的是官网的atmelsam_ICE调试器，AtmelStudio的编译环境，不太懂在线调试，有使用过相同的工具和环境的，可否说明一下？atmelsam_ICE在线调试http://www.eeworld.com.cn/huodong/201501_Atmel_SAM_D21/楼主下载这个资料看看wgsxsm发表于2015-2-311:52http://www.eeworld.com.cn/huodong/201501_At crystalf STM32串口问题 为什么我的串口能发送数据，但是接收不到数据呢，求大神指导，我是新手这是我的中断程序，怎么接受不到中断呢，灯没有亮，是串口的问题还是中断的问题？voidUSART1_IRQHandler(void){u8S;u8D;if(USART_GetITStatus(USART1,USART_IT_RXNE)!=RESET){USART_ClearITPendingBit(USART1,USART_IT_RXNE); A永不言弃A 网友正在看 人工智能中的哲学 缸中之脑 10.1 了解和比较高速模数（ADC）和数模转换器（DAC）转换器架构 3.5 I²C通讯简介 Geomeric Mali 游戏演示 LavVIEW程序结构设计 3 使用蒙特卡罗 SPICE 工具进行误差统计分析 Image Compression（四） UCD3138模拟前端（AFE）模块：触发EADC
