本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Resist properties and exposure methods继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 CES 2015: Atmel Avant Car 2.0演示 工业4.0导论 直播回放: TI 超声波镜头清洁技术 开源H.265 IP core GD32嵌入式开发入门 了解功率密度的基本技术 逆变器原理 RT thread env 视频 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 第四周庆科Open1081使用心得WIFI基本Demo测试 本帖最后由天之玄幻于2014-11-2400:27编辑 Wifi测试：1.打开工程Demo1_WiFi_Link，通过Jlink下载程序，串口打印出附近wifi信息如下：StartscanconnecttoChinaNet-D6Ca.....Find19APs:SSID:LENOVO-PC_Network_1,Signal:52%SSID:ZYQzyq520,Signal:52%SSID:TP-LINK_788368,S 天之玄幻 数码管发光暗，是因为扫描频率低吗？ 数码管发光暗，是因为扫描频率低吗？还有第一位数码管为什么特别亮呢，从硬件原理解释一下，谢谢！数码管发光暗，是因为扫描频率低吗？应该是你程序上的问题，扫瞄时间不均等哈普中的51开发板大学时代第一块开发板至今还收藏着你把最后一位显示个1看看slotg发表于2014-11-2111:05应该是你程序上的问题，扫瞄时间不均等 但是我把排线调换一下位置，还是那一位最亮qq849682862发表于2014-11-2111:13哈普中的51开发板 setupsong 【X-Nucleo心得】收到X-NUCLEO-IDB04A1并安装MDK 本帖最后由ddllxxrr于2014-11-2310:22编辑 收到了X-NUCLEO-IDB04A1,上照片哈：来时的包装：反面，还是意大利货正面：由于本人的电脑装的是MDK4.72没有这款芯片，所以我就升到了MDK5了也下了，st的那个开发包：里边有个DEMO的例程。编译了一下。通过并下进了板子：【X-Nucleo心得】收到X-NUCLEO-IDB04A1并安装MDK很不错啊。不错不错好东西啊楼主可以好好玩了啊 ddllxxrr 基于51系列单片机的计算器！！！！！！！！！！！！！！！ 基于51系列单片机的计算器有仿真，有程序链接：http://pan.baidu.com/s/1dD3sish密码：kl3k基于51系列单片机的计算器！！！！！！！！！！！！！！！小于15M的可以直接上传论坛附件eric_wang发表于2014-11-1813:28小于15M的可以直接上传论坛附件 哦哦哦哦哦哦 火星撞地球 MSP430 LaunchPad实验板触摸感应子卡实例代码 Cap_Sensing_Slider_Wheel_V1.0.cCap_Sensing_Touch_Key_V1.0.cTI官网里下的，基于G2211，G2231无比较模块。MSP430LaunchPad实验板触摸感应子卡实例代码好东西，试试看。。正需要这个，谢谢分享:D好东西，感谢LZ分享用触摸板的时候，要把C24和R34拆掉，我看原理图R34都是和P1.3相连，不太懂这电阻和电容是什么作用的，不知道LZ了不了解？顶回复5楼LoHasMan的帖子为什么要把这 David_Lee 关于DS18B20串联问题 将多个DS18B20串联在一起，该如何按地址读取对应的温度呢？关于DS18B20串联问题没有弄过，网上找了一个程序，你参考一下呗。其实你可以自己去找的看看单总线协议。是并联不是串联，具体看器件手册和一线总线协议文档。只能串联不能并联。那至少得先把单个ds18b20的64位id码先读出来吧。ahshmj发表于2014-3-721:18只能串联不能并联。 那你倒是说说怎么个“串联”。注意“串联”和“并联”的定义。并联——所有器件的同名端都连接在一起。串 742206806 网友正在看 1.1 功率变换器磁性元件的作用 数据结构28 Effective Number of Hypotheses 单晶硅特性（中） 仿真调试与下载 Big Data Applications 实验二（续）：两个以上文件的链接原理 P6. Ｌ１３－Ｄ１－６
