本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: UV lithography:direct writing and mask writing继续观看 课时1:Teaser 课时2:Successful MEMS products:accelerometer 课时3:Successful MEMS products:microphone 课时4:Successful MEMS products:BAW 课时5:Case study:thermomechanical microactuator 课时6:Cleanroom basics:introducing the issue of contamination 课时7:Cleanroom basics:cleanroom strategy 课时8:Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9:CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10:Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11:Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12:CVD thin film growth model 课时13:Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14:Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15:Thermal evaporation:introduction and vapor creation 课时16:Thermal evaporation:film formation and examples 课时17:Thermal evaporation in CMi 课时18:Sputtering:introduction and plasma formation 课时19:Sputtering:spatial zones and Paschen law 课时20:Sputtering:DC RF magnetron 课时21:Sputtering:ion target interactions 课时22:Sputtering:film growth and control parameters 课时23:Sputtering:examples 课时24:Sputtering in CMi 课时25:SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26:Film growth:atoms arrival and adhesion 课时27:Film growth:stress in thin films 课时28:SUPPLEMENTARY Film growth:growth modes and crystal structure 课时29:Introduction to lithography 课时30:Resist properties and exposure methods 课时31:SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32:UV lithography:direct writing and mask writing 课时33:UV lithography in CMi:mask fabrication 课时34:UV lithography:mask based lithography 课时35:UV lithography in CMi:mask based lithography 课时36:Electron beam lithography:tool overview 课时37:Electron beam lithography:electron optics and beam deflection 课时38:SUPPLEMENTARY Electron beam lithography:tool overview II 课时39:SUPPLEMENTARY Electron beam lithography:design preparation and fracture 课时40:Electron beam lithography:electronsample interactions 课时41:Electron beam lithography:resists 课时42:SUPPLEMENTARY Electron beam lithography:proximity effect 课时43:Alternative patterning methods:scanning probe lithography 课时44:SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods:replication methods 课时45:Dry etching in a gas plasma:etching anisotropy 课时46:Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47:Theoretical concepts of plasma generation 课时48:Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49:Ion beam etching 课时50:Examples of etching processes for Sibased materials 课时51:Examples of etching processes for organic films and metals 课时52:Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53:HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54:Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55:Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56:Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57:Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58:Optical microscopy:inspection and dimension measurement 课时59:Optical thin film thickness measurement 课时60:Optical surface profile measurement 课时61:Mechanical surface profile measurement 课时62:Scanning electron microscopy 课时63:Focused ion beam:local cross sectional inspection and measurement 课时64:Electrical characterization 课程介绍共计64课时,11小时13分5秒 微纳加工(半导体制造工艺)瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺,以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者:桂花蒸 猜你喜欢 Atmel AVR XMEGA Xplained与Atmel Studio 6介绍 Altera Cyclone V SoC视频应用回放演示 直播回放: 如何在几分钟之内完成高效可靠的 USB PD 电源设计 - PI Expert™ 分步教程 直播回放: ST 远近皆宜的无线连接方案 SpaceX“重型猎鹰”运载火箭全新概念片 CC2538/CC2530的TinyOS和Contiki例程实验 华为物联网技术入门到精通 EMC设计 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 LPC54100开发板求助贴~大神们进来瞅瞅 昨天晚上搭建完keil环境,然后找了几个例程下载到开发板里都可以下载,今天就不可以了,而且SW方式的速率必须100KHz以下,否则SW会连接失败,降到100KHz以下后找到SW但是却有下不了程序,报CANNOTENTERDEBUGMODE,或者CANNOTACCESSMEMORY,还有一个错误是设备不能启动,我昨天下载了几个M4,M0的例程,最后一个好像是WAKEUP的例程,是不是跟这个有关,需要唤醒再下程序?望大神指点,我自己也好好看看,不会刚到手就不行了吧LPC54100开发板 supermiao123 炼狱传奇-移位和位拼运算符之战 1.移位运算符移位运算符是双目运算符,将运算符左边的操作数左移或右移运算符右边的操作数指定的位数,用0来补充空闲位。如果右边操作数的值为X或Z,则移位结果为未知数X。VerilogHDL中有两种移位运算符:(左逻辑移)和(右逻辑移)。例程1仿真图从仿真图,可以看出,每次a都向左边移动移位,后面补充0,直到把逻辑1溢出,后面就一直为0了。每次b都向右边移动移位,前面补充0,直到把逻辑1溢出,就一直为0了。总结:移位运算符的使用时 梦翼师兄 LPC54100开箱照!是不是第一帖?! 一大早来公司就收到SF送来的快递,版主的速度真是快啊,点个赞!LPC54100开箱照!是不是第一帖?!果然快呀,期待楼主多发帖子心得呀~这么快?呵呵看来我的也快了zqjqq88发表于2015-2-1209:38果然快呀,期待楼主多发帖子心得呀~ 必须的,我得对得起我得头像啊~哈哈哈哈770781327发表于2015-2-1209:45这么快?呵呵看来我的也快了 应该快了,SF的速度还是有保障的~这速度确实快啊。。。楼主可以先探探路 supermiao123 OpenCL用于计算机领域的13个经典案例(转) 摘要:当使用加速器和OpenCL时,哪种类型的算法更加快速?来自弗吉尼亚理工大学的WuFeng教授和他的团队例举了一份算法列表,分享了OpenCL常被用于计算机领域的13个经典案例。哪种算法可以最好的映射GPU及矢量处理器呢?换句话说,当使用加速器和OpenCL时,哪种类型的算法更加快速?来自弗吉尼亚理工大学的WuFeng教授和他的团队例举了一份算法列表,分享了OpenCL常被用于计算机领域的13个经典案例。有人将其称之为OpenCL计算领域的13个“小巨人”。一、Dense 白丁 RS485电路 光耦 RS485通信电路一定要加光耦隔离吗?如果不是,那什么情况下要加?RS485电路光耦当然不是一定要加。两种情况下则必须加:1、现场电磁干扰较重;2、节点对大地构成回路且不同节点间的参考地电位相差较大时。注意,一旦加隔离,电源也必须独立。所以,隔离的成本是比较高的,需要才加。正如楼上所言,我再补充两点,第一,如果你的系统存在强弱电情况,也就是你的系统电压有可能会达到对地电压40V以上,这种情况下485需要用光耦做隔离,这是出于人身安全考虑,有些电子设备有耐压的强制要求,比如防护等级要做 zzbaizhi Altera SoC开发板深度体验申请阶段入围名单出炉! 活动详情请见:http://www.eeworld.com.cn/huodong/201411Altera/index.html入围者为:ArrowSoCKit:luweixuanclrowen800ole007chenzhufly鑫海宝贝悠悠森林MacnicaHelioKit:众神之怒scsisailknightmuhan9 EEWORLD社区 网友正在看 人工智能中的哲学 缸中之脑 10.1 了解和比较高速模数(ADC)和数模转换器(DAC)转换器架构 3.5 I²C通讯简介 Geomeric Mali 游戏演示 LavVIEW程序结构设计 3 使用蒙特卡罗 SPICE 工具进行误差统计分析 Image Compression(四) UCD3138模拟前端(AFE)模块:触发EADC