本课程为精品课，您可以登录eeworld继续观看： Sputtering in CMi继续观看 课时1：Teaser 课时2：Successful MEMS products：accelerometer 课时3：Successful MEMS products：microphone 课时4：Successful MEMS products：BAW 课时5：Case study：thermomechanical microactuator 课时6：Cleanroom basics：introducing the issue of contamination 课时7：Cleanroom basics：cleanroom strategy 课时8：Basic principles of CVD and CVD reactors 课时9：CVD techniques at different operating pressure plasmaenhanced CVD and me 课时10：Atomic layer CVD ALD and thermal oxidation of silicon 课时11：Theoretical concepts of gas flow in CVD reactors 课时12：CVD thin film growth model 课时13：Specific CVD processes for siliconbased materials and diamond 课时14：Thermal oxidation processes of silicon and ALD deposition of specific oxid 课时15：Thermal evaporation：introduction and vapor creation 课时16：Thermal evaporation：film formation and examples 课时17：Thermal evaporation in CMi 课时18：Sputtering：introduction and plasma formation 课时19：Sputtering：spatial zones and Paschen law 课时20：Sputtering：DC RF magnetron 课时21：Sputtering：ion target interactions 课时22：Sputtering：film growth and control parameters 课时23：Sputtering：examples 课时24：Sputtering in CMi 课时25：SUPPLEMENTARY Other PVD methods 课时26：Film growth：atoms arrival and adhesion 课时27：Film growth：stress in thin films 课时28：SUPPLEMENTARY Film growth：growth modes and crystal structure 课时29：Introduction to lithography 课时30：Resist properties and exposure methods 课时31：SUPPLEMENTARY Photoresist sensitivity and modulation transfer function 课时32：UV lithography：direct writing and mask writing 课时33：UV lithography in CMi：mask fabrication 课时34：UV lithography：mask based lithography 课时35：UV lithography in CMi：mask based lithography 课时36：Electron beam lithography：tool overview 课时37：Electron beam lithography：electron optics and beam deflection 课时38：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：tool overview II 课时39：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：design preparation and fracture 课时40：Electron beam lithography：electronsample interactions 课时41：Electron beam lithography：resists 课时42：SUPPLEMENTARY Electron beam lithography：proximity effect 课时43：Alternative patterning methods：scanning probe lithography 课时44：SUPPLEMENTARY Alternative patterning methods：replication methods 课时45：Dry etching in a gas plasma：etching anisotropy 课时46：Deep dry etching of silicon dry etching without a plasma 课时47：Theoretical concepts of plasma generation 课时48：Types of dry etching equipment and plasma sources 课时49：Ion beam etching 课时50：Examples of etching processes for Sibased materials 课时51：Examples of etching processes for organic films and metals 课时52：Anisotropic and isotropic wet etching of Si and applications 课时53：HF bath for SiO2 and glass wet etching 课时54：Isotropic wet etching of silicon in the HNA bath 课时55：Anisotropic wet etching of silicon in alkaline baths 课时56：Etch stop techniques for thin membrane microfabrication and bulk micromach 课时57：Supercritical drying for realization of suspended structures test microst 课时58：Optical microscopy：inspection and dimension measurement 课时59：Optical thin film thickness measurement 课时60：Optical surface profile measurement 课时61：Mechanical surface profile measurement 课时62：Scanning electron microscopy 课时63：Focused ion beam：local cross sectional inspection and measurement 课时64：Electrical characterization 课程介绍共计64课时，11小时13分5秒 微纳加工（半导体制造工艺）瑞士联邦理工学院 本课程将在超净环境中向大家展示最有效的集成电路制造工艺，以教授半导体制造的基本原理和流程。 上传者：桂花蒸 猜你喜欢 基于 TI MSP430 Scan Interface 技术的流量表解决方案 LPC4300双核控制系统：多通道数据采集展示 好创意，手机煮火锅，都好好吃饭，别玩儿手机！ PSoC Creator 特色概述：如何使用工作区域窗口 cadence allegro 快速入门实战100讲 为恒温器应用设计宽输入 DC/DC 转换器 STM32 L0超低功耗新突破 基于MM32 MCU产品应用解决方案分享——家用冷暖变频空调 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 CCS3.3工程导入CCS4.2开发环境，编译通过，链接时出现无响应，求指导 CCS3.3工程导入CCS4.2开发环境，编译通过，点击Debug时，出现加载动作后，就只看到如图所示，点击LaunchTIDebugger没响应，Target-ConnectTarget等都显示为灰色，不能操作，求指导CCS3.3工程导入CCS4.2开发环境，编译通过，链接时出现无响应，求指导 zhaolanbao123 ZIGBEE技术和应用概要（图解） ZIGBEE技术和应用概要（图解）回复:ZIGBEE技术和应用概要（图解）回复:ZIGBEE技术和应用概要（图解）回复:ZIGBEE技术和应用概要（图解）不错，抢个沙发先顶一下回复：ZIGBEE技术和应用概要（图解）很好，需要整合各种资源武装自己头脑Re:ZIGBEE技术和应用概要（图解）厉害!经典!可以让人一目了然,相互比较才有发言权Re:ZIGBEE技术和应用概要（图解）呵呵，不错的资料，学习下，这个是很有前景的一个应用呀 呱呱 F28027用TM1628驱动共阴数码管，求解！ 我的TMS320F28027用TM1628驱动共阴数码管，按照规格书的例子，地址没有错，但数码管不能显示?共阴地址是GRID5、GRID6、GRID7。我采用固定地址方式。0XC8地址不能显示，但0XCA地址能显示，真奇怪我用合泰的单片机就可以驱动file:///C:\\DOCUME~1\\ADMINI~1\\LOCALS~1\\Temp\\_A~_C_F`%IP6P74Q9KE%$%5.gif程序如下#includeDSP28x_Project.h#defineuchar chinaping 汽车上的电子控制单元ECU 现代轿车发动机大都用电子燃油喷射系统，其中有一个形似方盒子的控制元件叫“ECU”，ECU的称谓较多，有人称它为电脑，有人称它为微机，还有人称它为微处理器，那么，它实际上是个什么东西呢？简单地说，ECU由微机和外围电路组成。而微机就是在一块芯片上集成了微处理器（CPU），存储器和输入／输出接口的单元。ECU的主要部分是微机，而核心件是CPU。ECU将输入信号转化为数字形式，根据存储的参考数据进行对比加工，计算出输出值，输出信号再经功率放大去控制若干个调节伺服元件，例如继电器和开关等。因此 frozenviolet NXP LPC1768宝马开发板第八章time定时器 第八章宝马1768——Time定时器开发环境：集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统：MicrosoftWindowsXP开发平台：旺宝NXPLPC1768开发板8.1TIME定时器8.2硬件描述8.3程序说明8.4 旺宝电子 （转）如何计算电阻器自发热影响 转电阻器自发热的计算是一个非常基本的概念，但很多工程师对它并不熟悉，或经常被他们忽略。在我阐述最近设计的高精度电阻式温度检测器(RTD)采集系统的原理时，我意识到了它的重要性。对于图1中的简化设计，需要考虑信号路径中电阻器自发热引起的误差，才能防止它们所导致的不希望出现的误差级。图1：简化的比率计RTD系统该设计针对比率计测量设计，因此模数转换器(ADC)的最终转换结果直接取决于参考电阻器RREF的绝对值。由于RREF上有激励电流经过 qwqwqw2088 网友正在看 人工智能中的哲学 缸中之脑 10.1 了解和比较高速模数（ADC）和数模转换器（DAC）转换器架构 3.5 I²C通讯简介 Geomeric Mali 游戏演示 LavVIEW程序结构设计 3 使用蒙特卡罗 SPICE 工具进行误差统计分析 Image Compression（四） UCD3138模拟前端（AFE）模块：触发EADC
