课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 直播回放:ADI & WT·世健MCU痛点问题探索季:MCU应用难题全力击破! HVI 系列: 解除有源钳反激回路补偿的神秘化 Haiwell(海为)称重模块视频教程 2018 PSDS 研讨会系列 - (1) 谐振变换器拓扑综述 谷歌无人驾驶自行车 IOT-ARM体系结构与编程 labview2016 正点原子手把手教你学 NIOS II 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 帮忙推荐一款继电器 使用max038函数信号发生芯片时需要一组电容网络对这个电容进行选段有103102101三个电容现在我想通过IO口控制继电器来选择电容3.3V的控制电压继电器由ULN2003驱动麻烦帮忙推荐一款继电器谢谢~帮忙推荐一款继电器好像没有3.3V的继电器,只有DC5V的,你就用DC5V的继电器就可以了。ULN2003外接5V。搜信号继电器TQ3的体积比较小。 Rain_ning 再拆个山寨杀手充电器 作者:ziteng00山寨真是不杀人不死心啊。不过外观做的很不错。再拆个山寨杀手充电器这.......看来,一分钱一分货啊回复楼主china_boy的帖子真是炸死人不偿命啊。。。。是很粗糙。。。。。。。。。。。。。。很简单粗糙、真是做工粗糙,成本也低廉啊!!!哈,大部分人需要的就是这个东西。公牛的做工用料都不错,但价格高,好多人根本就不看,在他们看来,花这么多钱买个插座根本就不值得回复楼主china_boy的帖子 china_boy 硬件实现电源关断 最近做一个项目时,要求电源电压低于10V是,不再为系统供电,此时可以用被用电池供电,现在使用的是比较器进行电压比较,实现电源关断,但是效果不理想,不知道大家有没有其他方法?硬件实现电源关断单纯的比较器在临界点会抖动,用施密特触发器比较好谢谢了,有没有什么好的型号推荐一下。回复沙发PowerAnts的帖子555不知道怎么样?刚仙猫讲过,理想二极管芯片原帖由zhaojun_xf于2011-6-2717:11发表谢谢了,有没有什么好的型号推荐一下。普通 zhaojun_xf 电动汽车充电站正变得更智能、充电速度更快 虽然电动汽车(EV)在市场上并不新鲜(它们实际上已存在了一个多世纪),但他们的普及进程却特别缓慢。电池技术的进步,连同支持用于交通的替代能源的政策法规已加速普及电动汽车的使用率。但电动车仍然面临星罗棋布的加油站的激烈竞争。与那些需要充电数个小时才可为电动车充满电的充电站相比,这些加油站可即刻将燃油泵送至传统的内燃机车辆中。EV充电站大致可分为三类:基于其功率和充电能力划分的1、2、3类充电站(见表1)。这三类充电站基于充电技术可进一步划分为交流(AC)充电站和直流(DC)充电站。1类交流 maylove .lib找不到 我的程序中有这段程序Flash28_API:{-lFlash2809_API_V100.lib(.econst)-lFlash2809_API_V100.lib(.text)}LOAD=FLASHD,但是编译后一直是lib找不到。.lib找不到请添加lib,可以从www.ti.com/c2000下载相应的flashapi回复楼主安_然的帖子已经解决问题,当时有加api的lib。最后找到原因是ccs中,li 安_然 NRF24L01无线模块发射程序 最近从网上下了一NRF24L01无线模块发射程序,改了一下,准备用AT89S51单片机控制,但是运行之后没有反应(不知道模块是否正常运行)。麻烦大家给看一下问题出在哪,程序如下:#includereg51.h#includeintrins.h#includeapi.h/***************************************************/#defineucharunsignedchar#defineTX_ADR_WIDTH5 qiquanwei225017 网友正在看 射频振荡 SCRx a family of state of the art RISC V synthesizable cores Alexander Redkin, Synta 尽善尽美 第十一讲 数码管与定时器中下--力天手把手教你学单片机之实战篇 滞回比较器 Jacinto™7 工业应用处理器介绍 放大电路中的负反馈(3) 互联网基础设施的产品解决方案