本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: CMOS集成电路的工艺集成继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 拆解特斯拉Model3 VCFRONT的前置控制器模块 设计指南-为什么我们需要斩波放大器 Atmel MaxTouch T系列触摸控制器的悬停功能 直播回放: 2D/3D传感微型化 | 艾迈斯欧司朗新型Mira系列全局快门图像传感器 直播回放: CAN SIC 信号改进功能 PLC到P1025链路的演示系统(采用西门子系统驱动风扇) HVI系列 - 设计超高功率密度的小功率 AC-DC 电源 直播回放: 计算机影像处理应用于智能驾驶的未来及挑战 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 EE_FPGA【预备知识 一】----QuartusII 简介 这个应该是最详细的了,新手还是很有必要看看的切了一部分目录EE_FPGA【预备知识一】----QuartusII简介老哥你也那么晚睡,还在努力发帖,哈哈,我也是:D哎第一天就这么晚睡注意休息啊回复楼主chenzhufly的帖子哈哈顶楼主一下!~这个就是北大青鸟那个教程吧?支持一下,呵呵,大家觉得chenzhufly版主好的就投一票啊,优秀版主决选了!昨天开始下QuartusII10.0,还没有下完,不知道好不好用感谢楼主:D:D试 chenzhufly 决定电源的寿命几个东西,,,, 电源的寿命就如同人的寿命一样是无法预知准确的年限,但是很多大数据分析报告中有平均寿命的概念。电源也一样,影响其寿命的因数很多,所以一般电源的寿命都是以平均无故障时间来衡量的。 电源的寿命主要由内部元器件和PCB的使用寿命以及整个焊接和装配的工艺确定的。在设计上要保证电源元器件的参数选择,在生产上要保证整个焊接和装配的一致性及可操作性。这样可以从源头保证了电源的稳定性和可靠性。 保证电源寿命的关键环节! 我们要减少故障发生的可能性,来保证电源长期稳定的 qwqwqw2088 HMC1022电子指南针模块51代码 HMC1022电子指南针模块51代码HMC1022电子指南针模块51代码就不能免费下载么就不能免费下载么好东西,学习学习求免费下载啊 saxmcu 目前一些开发板厂商所面临的问题 目前的芯片的集成度越来越高,最典型的是动态内存越来越大,存储空间越来越大,这样所造成的结果是硬件的工作量相比之前有所减少,但是软件的工作量急剧增加,对软件的工作者的能力提出了一定的考验。目前开发板厂商普遍的一个现象是大家都是拿着官方的公板子做模板,这个无可厚非,毕竟芯片是官方的,板子也基本玩不出其他花样来。还有就是拿着官方给的软件例子给客户。这样在软件上客户会遇到很多的技术问题,下面举几个例子来说明这一点。1官方的公板可能有几种,软件驱动库里面的代码需要更改针对不同的公板,lpc4357这 jorya_txj AM335X的功耗参数 这个资料你值得拥有.是设计电路的重要资料AM335X的功耗参数感谢分享!感谢分享!看看~~~~~~~~~~感谢分享! besk 【open1081试用】开发板初印象 虽然有心理准备,但是收到盒子还是很震撼,因为外围器件好多啊。一块核心板,一个底板,9个外围器件,分别是摄像头、显示屏、IIS音频输出、AD板、spiflash板、SD卡、I2C的eeprom、can、DS18b20。比较奇怪的是,为啥没给个光敏电阻呢?其实也没多少钱,这么多模块都给了。。。我要做的是无线音乐播放,因此重点来看其中的3块:SD卡、IIS音频输出、AD板。要播放的音乐放在SD卡中,通过I2S输出,如果要外放,那会利用到AD板上的speaker。大家手上都有板子,就懒得拍照了,贴的 johnrey 网友正在看 串口通讯发送字符串 超逼真仿生蜘蛛:使用26个微型伺服舵机 板级初始化的后半部分:bord_init_r函数分析3 EDA技术13 第四部分 第9课 光检测器 485模块分析——背光灯、蜂鸣器与按键 从离散傅里叶级数DFS到离散傅里叶变换DFT N沟道JFET结型场效应管工作原理与伏安特性曲线03