本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅的热氧化-4速率继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 CC430F6137 介绍 MSP430F2274时钟系统介绍 LABVIEW数据采集随书视频 TI-RSLK 模块 19 - 低功耗蓝牙 碳化硅和氮化镓器件在高频电源中的应用 直播回放: Renesas瑞萨电子 Arm MCU 的新能源进击:RA6T2 超声波水气表方案设计挑战与解决方案 直播回放: TI 毫米波雷达传感器在智能家居及智能安防中的应用 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 PCB规范体系之安全距离及相关安全要求 安全距离包括绝缘穿透距离,电气间隙(空间距离)和爬电距离(沿面距离)1、爬电距离:两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿绝绝缘表面测量的最短距离。2、电气间隙:两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿空气测量的最短距离。电气间隙的决定:根据测量的工作电压及绝缘等级,即可决定距离一次侧线路之电气间隙尺寸要求,见表1及表2二次侧线路之电气间隙尺寸要求见表3但通常:一次侧交流部分:保险丝前L—N≥2.5mm,L.NPE(大地)≥2.5 qwqwqw2088 AM335X nor flash启动设计注意要点 AM335Xnorflash启动设计注意要点byGaryWu各位好!在支持客户的过程中,一些客户在设计norflash启动应用时,遇到一系列问题。现在AM335X上设计norflash启动的相关要点总结如下,供大家参考。1.关于norflash启动的信息可以参考TRM的26.1.7.2XIPMemory章节,在这里就不详述了。2.设计时注意点由于AM335X的管脚有限,所以在应用中许多客户会考虑采用GPMC数据线/地址线复用的方式连接外部的 chenzhufly 自制STLINK + FT232(Pcb+Sch) 自制的stlink,并且加了个usb转串口的小模块,刚完成PCB制作,还没有调试。相关资料如下:自制STLINK+FT232(Pcb+Sch)嘿嘿楼主在做这个主要用在哪个上面?调试工具嘛做个玩玩话说这东东淘宝都做的价格很低啦,自己玩的话直接拍一个呗!楼主带大伙一起做吧好像还有一个网口呵呵,是网络接口,不是网口,用来调试的软件是不是与那国网站上一样的?从网上下载的,还不知道一样不一样,没试过,你可有相关的软件?FT232H是个高速的芯片,可以达到更好的效果 chenzhufly linux环境串口缓存对用户层共享输入/输出缓存? 我所设想linux下实现的串口模型应该向下面那样,发送和接收缓存在驱动层是分开的|ttyS0|write---|inbuffer|read---|outbuffer|但我实际操作时却发现不是那样(肯定是我串口的配置有问题),收发缓存是一样的,前一秒write数据进ttyS0,下一秒从ttyS0read数据,首先出来的就是之前write的内容|ttyS0|write---|iobuffer| lzwml 分享一些KE02Z64程序 飞思卡尔版块太冷清了,例程是IAR环境的。分享一些KE02Z64程序不错!下步可以弄下can来学习下蓝雨夜发表于2015-2-221:24不错!下步可以弄下can来学习下 没办法了KE02没有can。 laotui STM8L测量脉宽 有做过STM8L测量脉宽的大神吗?求代码。STM8L测量脉宽顶起~~~~~这个不难吧,采用输入捕获的方式就可以实现了呀。 czx2014 网友正在看 FPGA时钟电路讲解 体感游戏 MPLAB® X IDE 编译调试(下) 第三部分 第16课 软交换网络技术 三菱FX系列PLC教程 32 —— FX系列的程序流向控制指令 时间同步(一) 电阻电路的一般分析(四) C++基础五(函数重载)