本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 概述-2杂质与掩蔽继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 高效率双通道 13A 或单通道 26A µModule 稳压器 Verilog RTL编程实践 智能钢丝绳电磁无损检测传感器 研讨会 : TI SimpleLink Security 直播回放: 英飞凌智能电机驱动方案 FPGA软件硬件协同设计 TI FPD-Link III 汽车芯片组,汽车视频传输理想解决方案 MAX98090完全集成的音频编解码器 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 TMS320F28335实用核心电路板 TMS320F28335实用核心电路板TMS320F28335实用核心电路板xiexie,感谢您提供的资料谢谢分享谢谢分很感谢,要好好学习一下 taburiss001 PIC直接驱动TFT真彩色液晶模块资料 PIC直接驱动TFT真彩色液晶模块资料免费的资料不错呵呵回复楼主gxkj001的帖子在给力点吧嘿嘿回复沙发gxkj001的帖子很好用谢谢分享谢谢支持哈呵呵回复4楼shenyun528的帖子正想玩玩tft索性看看顶顶楼主哈哈哈加油在给力点吧哈哈回复5楼gxkj001的帖子支持下回复7楼gxkj001的帖子学习中……恩恩有问题你可以咨询我回复9楼chnldq的帖子感谢分享.........顶了谢谢支持啊回复11 gxkj001 [话说]晶振,是何物,有何作用,有何区分 本帖最后由Sur于2014-11-2323:51编辑 先留个话题,这段时间慢慢讲,晶振几乎搞电子的都会知道,画个PCB几乎都会用到,倒是它有啥用,我们又该如何去辨别晶振呢?晶振又该如何检测呢晶振,是何物,有何作用,有何区分同时欢迎大家来畅所欲言说实话,讲晶振的资料很多,也很详细,奈何还是不能满足我的求知欲,于是决定好好看看,好好想想,好好写写借话题占个道,刚好前段时间回了一个帖子,问“上图中的systemoscillator、、Oscillator、、、、 Sur 单电源转双电源 我有一节6V的电池怎么转换成±3V给TLC2254CN供电,求解答谢谢单电源转双电源首先分压搭载一电压跟随器输出3V将电压跟随器的输出作为GND这样输入正电源为3V输入地为-3V电压跟随器用什么都行吗表示才上班不怎么懂分压过后中间直接接地不行吗为什么还要接电压跟随器啊用电压跟随器我猜是防止干扰或者什么的为了稳定吧???~~那电压跟随器用什么芯片的啊求指导皇极F1发表于2014-11-2110:03那电压跟随器用什么芯片的啊求指导 楼主你要补 皇极F1 裸机使用printf程序跑飞 本帖最后由lzwml于2014-11-1310:41编辑 我怀疑的关键词1、lds文件【2】、Steppingstone只拷贝4K(0x1000)【3】、没有从Steppingstone跳转到SDRAM(我认为可能性最大)【4】、启动代码里我没有把BSS段清05、NandFlash是否正确拷贝到SDRAM下面是我进行的分析,希望大家能利用我的线索提供意见-------------------------------------------- lzwml i2c通信 麻烦看一下 一个指南针模块,用的i2c通信,读取数据一直不变为255255240等调了好久这个i2c的程序是不是有问题,望大神赐教~~~先谢啦。。以下是程序(指南针模块说明里:)main函数里的i2c通信麻烦看一下貌似懂了发送子地址前少了个//指定从机地址false:主机发送,从机接收I2CMasterSlaveAddrSet(I2C1_BASE,SLAVE_ADDRESS,false);搞定了以后是什么效果?期待进一步分享chenzhufly 基辅之门 网友正在看 如何在Allegro软件中设置限高区域呢? 24-03 加减运算 星罗密布-合理布局您的界面 2 点九(九宫格)切图 第五章 循环控制结构程序07 While循环(下) 数据报网络 数字IC后端设计技术全局观(实践2)