本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 离子注入原理-2继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 T-Box 系统和方案介绍 研讨会 : 现代电动工具的设计挑战与英飞凌解决之道 简化并加速有源滤波器设计 TI-RSLK 模块 4 - 使用 MSP432 进行软件设计 如何使用独立计量 ADC 设计单相分流电表 ZING SoM——业界最小Zynq系统模块 消费电子应用中不容忽视的比较器方案 WEBENCH FPGA Power Architect功能导览 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 【LPC54100】环境初上手,注册很好玩 很久以前用过一次NXP的东东还是在MDK环境下这次决定使用一下NXP自有的编译环境LPCXpress大家可以到这里下载:https://s3.amazonaws.com/LPCXpresso7/LPCXpresso_7.6.2_326.exe最新的版本到7了比较苦闷的是,这个链接只支持浏览器单线程下载,不到200k的速度要等等然后是安装,比想象中的来得快打开IDE,速度也是比较快比起AtmelStuidio来说,简直是秒杀AS看看主界面和CCS有几分相似都是开源 ljj3166 请问哪位会设计MIDI控制器?(和图片类似) 请联系我! 请问哪位会设计MIDI控制器?(和图片类似)请联系我!QQ:17558445@qq.com电话(微信):13760709491请问哪位会设计MIDI控制器?(和图片类似)请联系我!这个不是有陈品吗?没弄过,帮顶~控制电脑音乐? echojiejie2015 救急SPI没有时钟信号 STM32F207配置好好运行时示波器显示没有没有时钟信号救急SPI没有时钟信号配置错了吧使用什么库写的?如果你用的是硬件接口配的,就检查各个寄存器的值是否正确,或者Io口模拟看看有没有波形。端口设置对没同意楼上的,看你的io设置是否正确。一直发数据看下,能不能有信号。 成都回锅肉 有关TTL电路中各三极管的工作状态非常好的资料 详细阐述了TTL在输入高低电平时,各个三极管的工作状态有关TTL电路中各三极管的工作状态非常好的资料好东西,多谢楼主。这是哪本书上的啊? pvnana 为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDC tools啊? 为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDCtools啊?求助为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDCtools啊? 小鸟一枚 跨年大晒——我与TI的结缘 活动时间:即日起——2015年1月25日你是从什么时候开始接触TI的芯片或者开发板呢?你是否有一种相识恨晚的感觉呢?你在使用TI的芯片或开发板是否有一些有趣的故事或者好玩的设计跟大家分享呢?聊聊选择TI产品的原因及使用过程中的感受,在哪里得到技术支持?(官网或是非官网)活动流程:1、在TI技术论坛以“【我与TI的结缘】+内容”发帖;2、讲述接触TI开发板/芯片的型号与时间,分享自己曾经做过的TI设计方案及使用感受等 EEWORLD社区 网友正在看 差分串联电压开关逻辑 认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 图像的空间域锐化 UCOSII在STM32F103上的移植 进阶基因演算法 5. 适应函数标准差縮放 导线及NetLabel的添加 循序邏輯電路實作(I)_正反器實現 项目演示及整体思路介绍