本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: CVD工艺方法-3等离子体(上)继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 ADI & 世健 新基建系列视频第二期 研讨会:ROHM 罗姆 DC/DC 转换器设计研讨会 介绍SimpleLink™MCU平台 汽车 mmWave 传感器演示系列视频 Semiconductor Engineering 半导体制程与整合 Altera MAX 10 FPGA模拟模块培训 Digi-Key 与 DFRobot 的 maker 项目访谈 一键查询和搞定PCB设计中的各类生产问题 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 有关制作PCB拼板的注意事项,,,, PCB拼板的注意事项,,,,大家可以一起来讨论啊,下面先罗列出10条需要注意的,欢迎大家指正:1、PCB拼板的外框(夹持边)应采用闭环设计,确保PCB拼板固定在夹具上以后不会变形;2、PCB拼板宽度≤260mm(SIEMENS线)或≤300mm(FUJI线);如果需要自动点胶,PCB拼板宽度×长度≤125mm×180mm;3、PCB拼板外形尽量接近正方形,推荐采用2×2、3×3、……拼板;但不要拼成阴阳板;4、小板之间的中心距控制在75 qwqwqw2088 蓝牙4.0协议栈按键流程分析笔记 之前在蓝牙技术群看到好多网友不知道按键流程到底是什么情况,平时也没时间,在群里也一两句说不明白,也就说了下可以去看下zigbee按键流程过程,其实都是相通的,现在特意发帖分享下,希望能起到一个抛砖引玉的作用。在介绍蓝牙按键流程分析之前,我们需要了解一个概念,那就是就是OSAL。什么是OSAL呢?可能大伙对于OS是比较了解的,学了计算机的搞过OS的也基本接触过,简单来说就是一个操作系统抽象层,可以理解为运行在CC2540上的操作系统,说操作系统还不能算,TI的OSAL只实现了任务切 wateras1 N MOS在源漏之间产生的负电压尖峰对MOS管的损坏是否有影响 请问下,大家有人知道不,NMOS在源漏之间产生的负电压尖峰对MOS管的损坏有没有影响?\0\0\0eeworldpostqqNMOS在源漏之间产生的负电压尖峰对MOS管的损坏是否有影响既然说到“损坏”,想必是功率管。功率N沟MOS管,由于制造工艺,源极和漏极之间存在一个二极管,故对该管施加反向电压时二极管导通,自动将反向电压限制在很小的幅度(二极管正向压降)。只要反向电压内阻不是很小(造成很大电流,超过额定值),该管不会损坏。要看用的MOS管的最大耐压值,,尖峰对MOS管损坏要根据 kevin.di 【Altera SoC体验之旅】+Altera SoC特点总结 出差三天,昨天刚回来,从物业那拿到板子,板子非常漂亮,上面很多模块非常实用,而且有很好的例程。SoCFPGA系列的亮点一是,集成双核ARMCortex-A9MPCore处理器,Altera的CycloneV和ArriaVSoCFPGA的处理器系统采用了双核800MHzARMCortex-A9MPCore处理器,同时具有NEON媒体处理引擎、单精度/双精度浮点单元、L1和L2高速缓存、ECC保护存储器控制器、ECC保护高速暂存存储器,以及多种常用 rowen800 请求大神,关于引脚P1.0,P1.1的问题 我现在做2*6的按键矩阵,是用P1.0,P.1作为按键输入端,但P1.0,P.1中任何一个作为有效输入时,为什么P1输入寄存器中的低2位都为1,其他结果都正常的,是不是P1.0,P1.1作为BSL下载输入输出的影响??跪求大神!!!!!!请求大神,关于引脚P1.0,P1.1的问题跟BSL绝对没有关系,请检查硬件或者软件设计吧。lcofjp发表于2015-1-2411:27跟BSL绝对没有关系,请检查硬件或者软件设计吧。软件我用逻辑分析仪看了,而且其他按键都正常这了,应该 t_y_hml orcad 对off page 添加页码 ORCAD都有offpageconnector,我见过许多别人做的原理图中,每一个offpageconnector后面都加上一个页码,比如1,2...表示连接到哪一页里?我看了好久不知道怎么加上去的。Cadence_16.2:1、选中.dsn文件(工程文件),2、执行tools菜单里的Annotate命令3、在弹出的Annotate对话框中选择Packaging页,4、在action栏选择AddIntersheetReferences,5、点击【确定】按钮进 安圣基 网友正在看 2e- Coding Style for RTL - part 1 树莓派如何通过MQTT进行通信 相关学习资源 Gerber文件的输出 电路分析基础.64 深入研究低能耗加速器(LEA)外设 SEPIC 转换器的布线设计探讨 GoKit3(S)源码详解