本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 气相外延-1硅工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 运算放大器简介 工业4.0之机器人高端研讨会 6A、10A、50A 高效率电池测试设备设计培训 直播回放: Allegro 下一代磁感应解决方案:XtremeSense™ TMR 技术如何促进高效应用 VIM快速入门 直播回放: 如何使用英飞凌IGBT7设计高性能伺服驱动 数字超大规模集成电路设计 清华大学 李翔宇 Labview程序设计基础与提高 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 RTX51实时多任务编程谁会? 有谁在51上使用过RTX51实时操作系统编程?能不能教教我怎么是使用的?RTX51实时多任务编程谁会?正在努力学,不过时间有点不足这个操作系统作用不大也是很简单的看那本书keilCx51v7.0单片机高级编程讲得计较明了和详细看帮助,keil中有关于RTX51Tiny的三个例程RTX51Full稍微复杂一点,不知有谁用过,欢迎交流一下 大风110 过年小礼!两百个模电问题给你啦 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。2、什么是本征半导体和杂质半导体?答:纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电 qwqwqw2088 [资料]跟我学凌阳SPCE061A单片机 本书是一本有关单片机学习的入门读物,主要目标是使用尽量少的篇幅,对单片机的使用进行从最简单的知识到基础应用进行一个完整的阐述,并指出进阶方法,使读者在有限的学习时间内,对单片机的完全不了解实现快速上手,为读者减少学习过程中所走的弯路,并形成一个对单片机的整体认识。跟我学凌阳SPCE061A单片机不错不错,看看....回复:跟我学凌阳SPCE061A单片机下来看看!!回复:跟我学凌阳SPCE061A单片机顶回复:跟我学凌阳SPCE061A单片机小弟现在在写61的fl SuperStar515 请问有人知道这个图是用什么软件产生的么 这是一个组合滤波电容阻抗和频率关系的曲线图,请问有人知道这是用的是哪个软件产生的么?\0\0\0eeworldpostqq请问有人知道这个图是用什么软件产生的么TI的Tina应该可以,Mulitisim应该也可以。 kevin.di [SAM R21]请大家有空试试USB例程 请大家有空的时候试试ASF中的USBCDC例程,我发现的问题和770781327现象不太一样,希望大家都测测,这样就可以尽快确定问题所在。http://bbs.eeworld.com.cn/thread-455138-1-1.htmlhttp://bbs.eeworld.com.cn/thread-455195-1-1.html请大家有空试试USB例程个人测试没见问题呀ljj3166发表于2015-1-2816:19个人测试没见问题呀 你测 dcexpert LPC11U14 CDC USB 重新插入 無法讀取COM PORT 各位先進好,目前我遇到了LPC11U14CDCUSBCOMPORT讀取問題,大概描述如下:當一開始使用終端機sscome軟體與LPC11U14CDCUSB功能連線上後,此時我將LPCUSB拔除,CDCCOMPORT也就無法重sscom軟體上偵測到了.我的測試步驟如下---(1)插入LPC11U14USB(2)開啟sscom軟體,並可順利連接上(3)拔除LPC11U14USB(此時sscome軟體依然開啟,comport也依然開啟)(4 小拿鐵 网友正在看 问君能有几多愁,不知电流怎么流,鲁迅:茴有几种写法? How to Design and Simulate the Output Inductor 设备管理、磁盘设备(上) 第7讲 建立交叉编译环境 Combinational ATPG Introduction 【虚拟仪器大赛】虚拟电吉他 子电路与模型语句 Atmel_ 如何防御您的知识产权免受盗用