本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 杂质再分布-1分凝继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 PSoC4 BLE 蓝牙低功耗可编程片上系统简介 无人机设计导论 - 南京航空航天大学 模拟IC设计全局观 高性能、高集成度毫米波传感器产品 IOT-ARM体系结构与编程 利用XMC1000的智能LED照明 能听懂人话的音箱Google Home,智能家居新宝贝 波士顿动力(Boston Dynamics)机器人集锦 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 大事件:ST一口气吃下两家公司! ST日前宣布签署两项并购协议,收购超宽带技术专业设计公司BeSpoon的全部股本和RiotMicro公司的蜂窝物联网连接资产。在两项交易走完正常监管审批手续成交后,意法半导体将进一步提升其在无线连接技术方面的服务,特别是完善STM32微控制器和安全微控制器的产品规划。BeSpoon公司位于法国LeBourgetduLac,成立于2010年,是一家无晶圆厂半导体设计公司,专门研究超宽带(UWB)通信技术。采用该公司的技术,可以在条件不利的环境中实现厘米级精度的安全实时室内定位。 fish001 Windriver 9 中文XP下无法使用? Windriver9不支持中文XP吗?每次打开新工程选了设备后就出错Windriver9中文XP下无法使用?07年。。。西工大的师兄啊,xp下可以用windriver的。不过我现在有些问题,犯愁中。。。。 lxh1985 下载《2016 TI嵌入式产品研讨会》观看指南,回顾线下精彩!! 2016年7月~8月,TI嵌入式产品研讨会先后在六大城市进行。有主题,有动手,有新品,有应用。翻开这本《2016TI嵌入式产品研讨会》观看指南,跟着我们,一起重温线下的精彩吧!下载《2016TI嵌入式产品研讨会》观看指南,回顾线下精彩!!谢谢分享!!吼吼{:1_104:}{:1_104:}谢谢分享,可以看到研讨会的视频吗?sitara多谢分享! okhxyyo 模拟多路复用器和开关配置 在进行多传感器数字化处理或将多个收发器连接到公用通信总线时,设计人员常常很难找到最有效的节省成本、功耗和空间的方法。解决方案是共享公用资源,避免重复构建整个信号链及其相关元器件。实现办法是利用模拟多路复用器对输入进行多路复用。这样便可将多个传感器连接到一个模数转换器(ADC)的输入,由其依次对每个传感器进行数字化处理。同样的方法也可应用于通信总线,每个收发器可以按固定的时间间隔使用总线。模拟开关和多路复用器的关键特性是它们都提供输入和输出之间的双向路径,而且还具有高信号完整性、极小 fish001 2011年全国竞赛基本仪器和主要元器件清单(坐等高人分析~) 本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:44编辑120MHzX60MHz1Hz~1MHz1MHz~30MHz1mV10MHzDDS100MHz100PLD20MHz2A/DD/A shenhaiyu061 三极管和MOS管做开关用时有什么区别 三极管和MOS管做开关用时有什么区别三极管和MOS管做开关用时有什么区别1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。三极管和MOS管做开关用时有什么区别实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。M keeptops 网友正在看 SimpleLink™Wi-Fi ??®CC3220项目入门0 实战篇_串口通信原理 RC电路的响应 第二部分 第4课 数据及多媒体通信业务与通信终端 MAVLINK协议解析 秒懂区块链 通信系统中信号的频谱表示法 本章小结