本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅热氧化-5影响因素继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 电子设计从零开始 Applilet软件安装演示视频 Digital VLSI Design (RTL to GDS) 潘文明至简设计法之FPGA时序约束视频 电磁学 物联网项目实战制作:蓝牙4.0BLE开发-智能灯泡-万能遥控器 如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计 TI近场供电NFC参考设计介绍 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 TI 推出C28x后续芯片TMS320F2837x,资源太丰富了 双核200MHz,资源太丰富了。双核架构两个TMS320C28x32位CPU200MHz(5ns周期时间)三角法数学单元(TMU)Viterbi/复杂数学单元(VCU-II)两个可编程控制律加速器(CLA)高达1MB闪存,高达204KBRAMhttp://www.ti.com.cn/product/cn/TMS320F28377D/description\0\0\0eeworldpostqqTI推出C28x后续芯片TMS320F2837x 模拟IC 【庆科Open1081】触屏IC的差别究竟有多大? 在调Open1081的触摸屏时,发现触摸屏的ADC输出在低时,值为127(最小)、255、511,即小于511时仅有127、255这两个值。用二进制看,即所有位为1。这个触屏芯片为国产XPT2046,刚好手里有TI的TSC2046,随即换之,换后试机时,发现,输出值为0,不管点击屏幕的哪个位置均为0。经检查,焊接无误。程序没更改。这种现象应该说明它们有差别的。有用过两种芯片的网友吗?给个完美解释。【庆科Open1081】触屏IC的差别究竟有多大?刚才想着是不是SPI的 dontium 奋斗版STM32开发板MINI----NRF24L01forucguiucos例程 奋斗MINI板NRF24L01例程基于ucgui3.90aucos2.866通道通信模式下载(172.89KB)2010-7-1811:13下载(176.1KB)2010-7-1811:13STM32奋斗板-NRF24L01forucgui.rar(3.8MB)下载次数:51272010-7-1811:14奋斗版STM32开发板MINI----NRF24L01forucguiucos例程 SDFSADFSAD 关于4位数码管的动态显示问题,新手虚心求教,有空的大兄弟进来看看 以下是程序,下载到板子上不能实现一秒变化一次,大概8秒才一次#includereg52.htypedefunsignedcharuint8;typedefunsignedintuint16;typedefunsignedlonguint32;codeuint8number={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8, youyuchao 【庆科WIFI】自建工程注意事项一则 使用KEIL自建一工程,按照庆科工程中所包含的文件,逐个加入工程,然而,编译不通过,其提示:Error:L6218E:UndefinedsymbolI2C_Read_Flag_Status(referredfromnfc_tag.o).因为没有发现,程序中使用I2C_Read_Flag_Status这个函数,所以就查找是不是我在工程中多添加了什么文件,---没有。后来又在工程中的文件中查找I2C_Read_Flag_Stat dontium 免费申请TI 样片, 新春好礼相赠! 活动时间:1月22日-2月28日如何参与1、免费样片申请:点击以下任意样片,成功申请2种以上芯片,即有机会获奖。(必须是通过点击以下链接进入参与申请)用于低功耗可穿戴应用的符合Qi(WPC)标准的无线充电器(TIDA-00318) 用于系统唤醒和中断的基于电容的人体接近检测参考设计(TIDA-00220) 面向3D机器视觉应用并采用DLP技术的精确点云生成(TIDA-00254) EEWORLD社区 网友正在看 EXISTING BUILDINGS - 110.26(A)(1)(c) C语言编译常见错误举例 IIC协议介绍6 AD9发展史及主要功能介绍 P6. L13-D1-6 模糊类神经网络控制系统 3. 离散动态控制系统 视频的二进制表示 bootm启动流程分析3