本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅热氧化-5影响因素继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 直播回放:Fluke 示波器的基础知识及其校准 Microchip: 利用单片机设计安全关键型应用时应采取的最佳实践方法 快速充电的发展趋势及TI的解决方案 TI SimpleLink MCU无线平台及软件套件介绍现场培训 编译原理 国防科技大学 王挺 2015 TI 音频创新日 (12) 低功率放大器介绍 直播回放: 适用于视频、转换器、通信的千兆数字隔离器 [高精度实验室] 隔离 : 隔离式放大器与调制器 热门下载 浅谈检测/校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机+CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 应用技巧/基于MDB/ICP协议的自动售卖系统的主控制器实现 摘要:介绍一种以DALLASDS5002FP单片机为主控制器的MDB/ICP协议实现。从硬件和软件描述了如何控制MDB总线,并给出一个较成熟的控制外设会话的总线驱动程序。该协议实现清晰、简单,采用MCS-51兼容单片机降低成本,充分体现了MDB/ICP的优越性。关键词:单片机自动售卖系统主控制器随着国你经济和技术的发展,自动售卖系统由于其方便性、易管理性和低成本,正得到越来越广泛的应用。而自动售卖系统的外设也 rain EVC中ListControl控件问题 我已经设置控件为报表样式并且选择了signalselection和ShowselectionAlways为什么运行后不能选中控件中的某行数据呢!还有其他地方需要设置吗?EVC中ListControl控件问题是不是只能选择第一列,如果是,那需要加上整行选择。SetExtendedStyle(LVS_EX_FULLROWSELECT);第一列都不能选,根本就点不上的!怪了!!m_list1.SetItemState(iSel,LVIS_SELECTED|LVIS_FOCU wgmdsf 电路识图6-单元电路的基本分析方法 如果把元器件比作细胞,那么单元电路就是器官,掌握了各种单元电路的分析方法,才能够看懂整个电路图。分析单元电路可以按照以下步骤进行。一、弄清楚单元电路的作用与功能分析单元电路首先应了解单元电路的作用与功能,这从整机电路方框图中很容易搞清楚。单元电路种类众多,可分为模拟电路、数字电路、电源电路等几大类。1、模拟电路模拟电路是处理、传输或产生模拟信号的电路。常见的模拟单元电路有:放大器、振荡器、电压跟随器、有源滤波器、电压比较器、调制电路、解调电路等,它们各自具有独特的 tiankai001 通讯调试工具1.22(支持串口,DNW,socket,telnet,ping,tftp等) 多合一调试工具通讯调试工具1.22(支持串口,DNW,socket,telnet,ping,tftp等)谢谢楼主共享!下载下来看看支持一下——————————————————————————JOYZML(菜鸟朱铭雷)顶一个 lisheng053758 DSP的Demo编程实例分享 ADC采集比较简单,内部的10位的ADC,AIN0-AIN3的输入,主要是用的CSL的库函数#includecsl_adc.hUint32adc_sample_value=0;Uint16samplestoraage={0,0};unsignedcharadc_value_baiwei=0;unsignedcharadc_value_shiwei=0;unsignedcharadc_value_gewei=0;int 灞波儿奔 重磅!"AI界拼多多"发布DeepSeek-V3开源模型,总训练成本557万美元,比肩GPT-4o 12月27日,中国大模型创业公司DeepSeek悄悄惊艳了AI技术圈,重磅发布了一个全新的超大规模模型DeepSeek-V3。这个新模型拥有6710亿个参数,但采用了MOE(混合专家)架构,能根据任务需求激活特定参数,每处理一个词元激活370亿参数,从而实现高效又准确的任务处理。DeepSeek-V3的发布令业界振奋,不仅因为它是开源模型,更因为测试结果显示,它已超越诸如Meta的Llama3.1-405B、阿里Qwen等主流开源模型,甚 okhxyyo 网友正在看 LTCC旋磁铁氧体材料(4) Visibility面板介绍 电路图的编辑与测试 零阶保持器及信号复现 The wake-sleep algorithm 什么是低能耗加速器(LEA)外设? TI隔离式DCDC偏置电源的设计难点与解决方案-上篇 负载星形连接的三相电路分析