本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 电阻率测量继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 使用TI一流的LP8863-Q1 LED背光驱动器照亮您的设计 MSP430的开发资源:源代码、应用笔记、参考设计等 Atmel Edge原理图102 直播回放: 升升不息,瑞萨MCU的固件升级方案 TI 可适用于低流速的高精度超声波流量测量的方案 计算机视觉(北京邮电大学 鲁鹏) 用于汽车应用的Qi无线充电 [高精度实验室] ADC系列 7 : SAR ADC 功耗分析与计算 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 闲置芯片换开发板或PCB,有的扔过来 本人有闲置芯片:CC1101,CC2500,MSP430各两枚,是以前在TI申请的,只有MSP430拆封,具体型号如下:CC1101RTKRCC2500RTKRMSP430F2132IRHBT想换坛友闲置的开发板或PCB,如我的芯片没有合适的RMB也行,只要不贵(PS:本人是个穷学生)有意者跟帖回复,谢谢闲置芯片换开发板或PCB,有的扔过来没有帮顶!~谢谢帮顶,继续换:P本站强荐:185娱乐ダ城.足球ダ真_人.彩票齐全ダ手 453125980 单片机控制SC2262IR时地址编码应该怎么接高电平 最近在弄SC2262IR的红外编码通信,上面是我的电路图,在初始的时候我将其中几条地址编码接高电地表示1码,在测试电路的时候发现按键没有按下的时候测得芯片的VCC的电平值居然接近电源电压,明明没有按键按下的时候VCC是悬空的,搞不明白为什么会有接近电源的电压值,然后我怀疑是编码初始接高电平的原因,将编码引脚全悬空后测得VCC的电压值为0,正确,但是搞不明白为什么编码初始连接为高电平的时候VCC引脚居然有接近电源的电压单片机控制SC2262IR时地址编码应该怎么接高电平有种可能是电流从 shuijinliuxi 学ufun+串口下载 拿到板子很长时间了,本想写一些有意思的东西,无奈公司有有一个急活儿,要15号完成,又加上前两天发烧39.5,一直没有时间来写些东西。直到看到管理员说这是最后一天,突然感觉好对不起这块板子啊。其实接触ST的MCU已经好几年了,8位的32位的都用过,就现在公司做的东西就用的F4的MCU,我真的是太喜欢ST了。最近迷上了STemwin,陷入其中不能自拔。没拿到板子之前就看过原理图,回来一看这个小,但功能挺全的。尤其是我可以使用手机数据线就可以下载程序,和最原始STC下载程序一样。之前都 cxzs1234 用电量比测试大一倍是怎么回事情? 打扰大家了,在百度搜索的时候发现这个大神云集的论坛。有点小问题请教。我经营的一家餐厅,根据用电器的总功率和平时的经验,发现用电量比正常多一倍。请问:应该从什么地方找问题,以及大概的解决办法!谢谢。用电量比测试大一倍是怎么回事情?对了,所有电线是新的。但是电工比较差,线路布设中可能有问题。“发现用电量比正常多一倍”前面说的“用电量”,我猜测是电能表实际测量出的用电量。后面说的“正常”,不知道指什么。“正常”是指“根据用电器的总功率和平时的经验”么?如果能看到电表,可以用排除法, emailbb 驱动LED串的DCM升压转换器简化分析 高亮度白光LED的模拟调光会产生色偏。PWM数字调光控制是预防色偏的首选调光方法,因为发光强度将是平均流明强度。PWM导通周期期间的LED电流幅值与调光比为独立互不影响。图1代表的是汽车应用LED调光控制系统,其在关闭模式下静态电流消耗低于10μA。它采用安森美半导体的NCV8873001MHz非同步升压控制器,此器件以恒定频率不连续峰值电流模式工作。负载包含一串共10颗的串联NichiaNSSW157-AT白光高亮度LED。相应的电路板如图2所示。驱动LED串的DCM qwqwqw2088 请指点 谢谢 我是自动化专业的学生,很喜欢VC但不知道VC对自动化专业有用吗》谢谢(请具体讲讲)请指点谢谢支持搂主,收藏帮楼主顶一下!顺便也接点分 wxq20061001 网友正在看 类型修饰符(二)_static_const 组合电路的HDL设计与实现(基础实验1) 电力电子基础 【3.9】示波器总线测试讲解之汽车电子 车用液晶仪表显示控制器 深度卷积神经网络 AlexNet 下一代磁感应解决方案:XtremeSense™ TMR 技术如何促进高效应用 信号与系统22