本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 注入离子分布-3沟道效应继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 嵌入式系统高级C语言编程(东南大学凌明) 二极管工作原理 buck开关电源调试 采用 LTpowerPlay 来管理 LTC2978 Atmel - 防止系统克隆伪造 600mA输出, 30V高压输入降压DC/DC转换器--MCP16301演示板 MSDI (多重开关状态检测接口) 在车身控制模快的应用 满足工业应用中的低静态电流需求的宽输入 DC/DC 转换器 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 NXP LPC1768宝马开发板 第二十章 宝马1768——TEA5767收音机 第二十章宝马1768——TEA5767收音机开发环境:集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统:MicrosoftWindowsXP开发平台:旺宝NXPLPC1768开发板20.1TEA5767简介20.2硬件描述20.3程序说明 旺宝电子 频率发生器的问题 我用ATMEGA8,16M晶振,写了个CTC模式频率生发器:然后用按键控制OCR1A,达到控制OC1A脚产生频率,发现OC1A脚频率在1M赫兹时,频率下降很快,可是到大约4KHZ的时候,再往下降,非常的慢,到500HZ时,都是0.1HZ地往下降,(按键一直按下时,频率一直下降)。我的需求是:用按键控制,实现一个10HZ-100KZ线性变化的频率发生器,求大神指导个思路频率发生器的问题办不到的事。单片机的定时器,计数到某一设定值即重新开始计数,此即CTC模式。16MHz时钟,产生1MHz wensir STM8L测量脉宽 有做过STM8L测量脉宽的大神吗?求代码。STM8L测量脉宽顶起~~~~~这个不难吧,采用输入捕获的方式就可以实现了呀。 czx2014 Helper2416开发板移植minigui3.0.12之二:移植到开发板 第二阶段:移植minigui到Helper2416开发板让开发板运行minigui要稍微麻烦一些,主要是配置时不能仅仅./configure就搞定,参考文章也不一定说得全对,可能需要自己阅读configure文件的配置选项,再加以实测。此文假定开发板的根目录挂载到/myrootfs目录,minigui相应就安装到/myrootfs/usr/local目录。/myrootfs由Helper2416开发板随机所带root-qtopia.tar.xz文件解压,改改名即可。一.安装资 Gyroxp 如何让液晶显示一个double 变量 调用一个double类型的函数返回值,如何显示的算法如何让液晶显示一个double变量这个,用个数组保存每一位啊。然后输出就行了呀。我不知道楼主具体指的的什么问题?没太看明白你说的是什么问题。。假设double数据为xx%10-个位x/10%10-十位x/100%10-百位x*10%10-小数第1位x*100%10-小数第2位依此类推staticintprintFloat(struct_buf*sbuf,floatvalue,in wawaw 关于AM调制的问题 关于AM调制,是将输入信号与载波相乘,相乘之后,原来信号的频域信息就丢失了,只剩下时域的振幅信息被载入到了载波的振幅变化上,形成包络线,这个理解是否正确?还是说原来信号的频谱依然保留着?\0\0\0eeworldpostqq关于AM调制的问题不正确。“原来信号”的频谱仍存在于已调波中。maychang发表于2015-1-2523:20不正确。“原来信号”的频谱仍存在于已调波中。 谢谢前辈,还有一个相关的问题:我能不能把AM调制理解为它相当于对信号源进行了类似数字采样 提拉米苏 网友正在看 2e- Coding Style for RTL - part 1 树莓派如何通过MQTT进行通信 相关学习资源 Gerber文件的输出 电路分析基础.64 深入研究低能耗加速器(LEA)外设 SEPIC 转换器的布线设计探讨 GoKit3(S)源码详解