本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 注入离子分布-3沟道效应继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 电机和电机控制的简介:永磁同步(PMS)电机 互联网基础设施网络研讨会 PCB初学者该如何精准把握PCB封装的制作 利尔达无线资源介绍 TI MSP430 CapTIvate Lite: 成本优化的电容触摸微控制器 [高精度实验室] ADC系列 7 : SAR ADC 功耗分析与计算 具故障保护功能的高功率、升压 / SEPIC / 负输出 DC/DC 输出转换器 模拟IC设计全局观 热门下载 [资料]-JIS C2315-2-2010 电气用途的硬化纤维.第2部分:试验方法.pdf [资料]-JIS C8119-1-1999 放电灯具的镇流器(管状荧光灯除外).第1部分:一般要求和安全要求.pdf [资料]-JIS C5965-3-1-2011 光ファイバコネクタ光学互換-第3-1部:シングルモード光ファ.pdf [资料]-JIS T1305-1985 直观式血压监视装置.pdf [资料]-JIS F7304-1996 造船.16K青铜角阀.pdf [资料]-JIS B8224-2005 Boiler feed water and boiler water-Testing methods.pdf [资料]-JIS W0601-1990 Aerospace -- Pipelines -- Identification.pdf [资料]-JIS Z 3264:1998 Copper phosphorus brazing filler metals.pdf [资料]-JIS T3233-2005 静脉血样采集用一次性真空容器.pdf [资料]-JIS B8378-2-2000 气液动力.压缩空气润滑器.第2部分预定列入供应商资料中的产品主要特性的测定试验方法.pdf 热门帖子 基于51单片机的万年历 有仿真,有程序,值得一看链接:http://pan.baidu.com/s/1o6r48KM密码:7du2基于51单片机的万年历楼主好人有指针式时钟的吗?楼主好人 火星撞地球 PWM桥驱动电机,TI和ST比较 之前一直用L6205D的H桥驱动电机,ST的话,一组线圈,由2个IN脚控制,那么一个脚接低电平,另外一个脚给PWM,容易理解电流的转动方向,要反向的话,低电平信号和PWM信号反过来输入就可以了IN1IN2OUT1OUT2HLVsGNDLHGNDVs最近接触TI的DRV8812,发现他一组线圈只有一个PWMxPHASExOUT1xOUT21HL0LH那这个的正反转可以怎样理解 billy_2005 LPC1788初学者 今天编写了一个简单的IO口中断程序,用了三个函数就可以了。第一个GPIO_IntCmd(2,119|110,1);使能GPIO中断函数,参数一是第2组端口,参数二是第19个引脚我还用了一个10脚,^_^^_^好像有点贪心好,不过我觉得学习就是要贪心!然后参数三1为下降沿触发,0为上升沿触发,应为旺宝的这款开发板按键是接的低电平,所以是1。第二个NVIC_SetPriority(GPIO_IRQn,1);这个就是中断优先级设置。第三个NVIC_EnableIRQ(GPIO_I cxmdz 开关电源器件名称到功能看过来 开关电源的设计对于电源工程师来说是再熟悉不过的了,但设计开关电源并不如想象的那么简单,尤其对刚入行的新手来讲。其外围电路非常复杂,使用的元器件种类也比较繁多,性能各异。要想设计出性能高的开关电源就必须弄懂、弄通开关电源中各元器件的类型及主要功能。开关电源的外围电路中使用的元器件大致可分为通用元器件、特种元器件两大类。电阻器(1)取样电阻—构成输出电压的取样电路,将取样电压送至反馈电路;(2)均压电阻—在开关电源的对称直流输入电路中起到均压作用,亦称平衡电阻;(3) qwqwqw2088 SD 卡 SPI 模式初始化过程,带流程图。 流程图如下,该代码能识别MMCV3,SDV1.X和SDV2.00及其后续版本,其中SDV2.00及其后续版本又可分为标准容量和大容量版本。SD卡SPI模式初始化过程,带流程图。SDSPI发送命令API如下,所有实现代码参考附件。/***@briefSend6bytescommandtotheSDcard.*@paramCmd:ThecommandsendtoSDcard.*@paramargument: armrunc 有关RS485的驱动能力和输出偏置电压 请问大家几个问题1、在文件SLLA070D的第11页中2.2.3讲述的Voc,此电压值是驱动器的输出特性吗?此电压值具体有何作用?在具体应用中,我们该如何考虑此电压值?2、驱动器的输出负载54Ω,是两信号线间的差模负载阻值还是说共模负载?然后此值是如何得出为54Ω的?具体应用中此阻值会有哪些方面的影响?3、在“TheRS-485unitloadandmaximumnumberofbusconnections”一文中,Figure4下面的一段话中讲到当V=12V时,32mA zihan 网友正在看 步进电机驱动与控制(第1节)_步进电机的几个基本概念 MIL-STD 1553 触发、解码和模板测试 系统函数及其物理意义 如何通过SPI连接一个精密DAC器件 lambda匿名函数 小波与滤波器组03 Laplace 变换 u-boot的版本选择