本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 质检与测量-1结深继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 vivado教程 在STM32F4开发板上实现流畅的枪战游戏 TI-RSLK 模块 16 - 转速计 利用神经网络的目标检测和识别 USB Type-C 和 PD 如何设置TI的REF6025电压基准性能演示套件 德州仪器 DLP<sup>®</sup> 微型投影及沉浸式显示研讨会 随机信号处理 国防科大 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 体验全新的 MCU 软件方法 体验全新的MCU软件方法随着世界不断向数字化方向发展,微处理器(MCU)也正面向各种应用领域全面推出。新型电视机采用MCU来提高LED对比度。割草机可通过MCU的帮助实现自动化操作,并可采用电动机取代汽油机引擎,提高效率,降低污染。咖啡机采用MCU后可提高智能性,能够在您熟睡之后帮助您冲制一杯美味的咖啡。MCU的发展带动了一大批具有各种不同知识背景的开发人员的成长,这使我们不得不重新审视MCU软件的开发。为了最大限度地提高处理器可用性,MCU软件必须满 dontium sprintf()函数使用,出错经验。STM32调试经验 代码是STM32里面的。比如如下代码:使用springf函数,这个函数是把最后两个参数先格式化成字符,然后再和第二个字符串合并在一起,如果他们合并的长度大于30怎么办?今天遇到了这个问题,发现会进入硬件中断错误里面,估计是边界溢出。voidHardFault_Stack_Dump(unsignedint*hardfault_stack)charERROR_STRINGsprintf(ERROR_STRING,\\n\\r+ok%s%s\\r\\n\\r\\n,p 2638823746 [资料]单片机应用资料2 单片机应用资料2--mcuxb_2.pdf一共10部,由于客观原因一天只能传一部^_^单片机应用资料2xiexie回复:单片机应用资料2谢谢!!!回复:单片机应用资料2看看先回复:单片机应用资料2thanks回复:单片机应用资料2非常感谢,楼主辛苦拉回复:单片机应用资料2辛苦咯回复:单片机应用资料2谢了,大家好才是真的好.回复:单片机应用资料2好家伙回复:单片机应用资料2我没有看错吧?大哥,又是你啊回复:单片机应用资料2下了,多谢了 SuperStar515 STM32F103ZET6 gcc编译usb虚拟串口问题 一块STM32F103ZET6板子,官方下载4.0usb固件库自带的usb虚拟串口例程用mdk编译可以正确识别该串口,改用gcc编译则不能枚举。同一个代码,mdk中的Cdefine参数跟gcc下的一样,都是-DUSE_STDPERIPH_DRIVER-DSTM32F10X_HD-DUSE_STM3210E_EVAL,也试过O0和O3参数都不行。其他代码,比如LED闪烁之类的例程gcc编译则正常,这会是什么问题呢两次bushound抓包,失败的DevicePhaseDat obit 收一块树莓派或者狗板,要求便宜 rt。私信我吧收一块树莓派或者狗板,要求便宜要多贱啊整个香蕉派吧,性能好多了本站强荐:185娱乐ぱ城.足球ぱ真_人.彩票齐全ぱ手机可投ぱ注任何游戏.首次开户送10元.首存送58元.信誉绝对保证185.cc树莓派资料确实很丰富,香蕉派可以跑树莓派的系统。玩的话差不多。 zca123 keil MDK通过ulink2烧写LPC2138后LPC2138 GPIO输出不对? keilMDK通过ulink2烧写LPC2138后LPC2138GPIO输出不对?程序编译,flash设置都没错误,烧写erase和program都没错,但从新上电后ARM的IO输出完全不是我设置的。#includeLPC21xx.H/*LPC21xxdefinitions*/typedefunsignedcharuint8;//???8?????typedefsignedcharint8;//???8???? hegawell 网友正在看 2e- Coding Style for RTL - part 1 树莓派如何通过MQTT进行通信 相关学习资源 Gerber文件的输出 电路分析基础.64 深入研究低能耗加速器(LEA)外设 SEPIC 转换器的布线设计探讨 GoKit3(S)源码详解