本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 质检与测量-1结深继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 Atmel_ 如何防御您的知识产权免受盗用 电机驱动器和电机信号链的简介 英飞凌3D图像传感器IC USB Type-C 和 PD WEBENCH系统电源架构概述 FPGA至简设计原理与应用 Altium Designer 21最小系统板电子设计全流程实战教程 TI 电池管理深度解析系列 热门下载 [资料]-JIS C2315-2-2010 电气用途的硬化纤维.第2部分:试验方法.pdf [资料]-JIS C8119-1-1999 放电灯具的镇流器(管状荧光灯除外).第1部分:一般要求和安全要求.pdf [资料]-JIS C5965-3-1-2011 光ファイバコネクタ光学互換-第3-1部:シングルモード光ファ.pdf [资料]-JIS T1305-1985 直观式血压监视装置.pdf [资料]-JIS F7304-1996 造船.16K青铜角阀.pdf [资料]-JIS B8224-2005 Boiler feed water and boiler water-Testing methods.pdf [资料]-JIS W0601-1990 Aerospace -- Pipelines -- Identification.pdf [资料]-JIS Z 3264:1998 Copper phosphorus brazing filler metals.pdf [资料]-JIS T3233-2005 静脉血样采集用一次性真空容器.pdf [资料]-JIS B8378-2-2000 气液动力.压缩空气润滑器.第2部分预定列入供应商资料中的产品主要特性的测定试验方法.pdf 热门帖子 VirtualLab Fusion中导入图片格式的谐波场数据 1.选择以图片格式导入谐波场数据2.选择要导入的图片3.选择图片类型4.选择场分量5.导入之后可以检查图片尺寸,如果不是预期大小,可以在属性浏览器位置修改6.光路中选择光源为storedlateralfield,将导入的谐波场文件加载进光源中VirtualLabFusion中导入图片格式的谐波场数据 W-Winnie 驱动钛丝(SMA)的可靠性设计(4) 力量设计 前言形状记忆合金(Shapememoryalloy,SMA),也叫形态记忆合金、镍钛记忆合金,它是由Ti(钛)-Ni(镍)材料组成,这里我们方便描述,简称钛丝或者驱动钛丝。第4节力量设计关于驱动钛丝的可靠性设计,前文我们已经讲过了钛丝的选型和适配、不同厂家的钛丝区别、响应时间的设计,本节我们来讨论驱动钛丝的机械结构设计第二个要点,力量设计。为了方便描述,我们先做如下定义:钛丝驱动力,钛丝通电后产生的收缩力:Fq钛丝应变力,钛丝未通电前自身的应力:F 272151979 2K显示器用HDMI线还是DP线? Hey小伙伴们,今天给大家来点干货!如果你刚入手了一台2K显示器,正在纠结到底用HDMI还是DP接口连接你的电脑或其他设备,这篇文章就来帮你解答疑惑啦!我们要知道什么是HDMI和DP。HDMI全称高清多媒体接口(High-DefinitionMultimediaInterface),它传输的是数字信号,广泛应用于电视、投影仪等显示设备。而DP即DisplayPort,是一种更先进的数字视频接口,支持更高的分辨率和刷新率,特别适合追求画质高的小伙伴。那么问题来了,对于2K显示器来 SAMZHE山泽 TREK 610E与国产仪器ATA-7100高压放大器对比 一、公司介绍 中国安泰:西安安泰电子科技有限公司是国内专业从事测量仪器研发生产和销售的高科技企业,公司依托西安交大、西北工业大学组建的科研团队,专注功率放大器、功率信号源等产品为核心的相关行业测试解决方案的研究,拥有国际化的技术以及数量众多的技术专利。 美国AdvancedEnergy:AE是一家来自美国的专业做功率放大器的公司,拥有悠久的历史,在国内享有很好的知名度。 二、产品外观 三、核心参数 四、7000系列高压放大器应用 ATA-70 aigtek01 dsp28335控制异步电机问题 怎样用dsp实现六路高低电平的输出,来控制六个igbt的通断,来控制异步电机旋转,只让电机旋转就行,我现在有的是用epwm模块做的,逆变之后的频率太高了,大约600hz,电机是不是不能用,要怎么输出频率低点的高低电平,谁知道告诉我一声!!!!很急!!!!!dsp28335控制异步电机问题增大TBPRD寄存器的值可以减小pwm的频率,也可以在配置pwm时把时钟信号分频 nada123 PWM桥驱动电机,TI和ST比较 之前一直用L6205D的H桥驱动电机,ST的话,一组线圈,由2个IN脚控制,那么一个脚接低电平,另外一个脚给PWM,容易理解电流的转动方向,要反向的话,低电平信号和PWM信号反过来输入就可以了IN1IN2OUT1OUT2HLVsGNDLHGNDVs最近接触TI的DRV8812,发现他一组线圈只有一个PWMxPHASExOUT1xOUT21HL0LH那这个的正反转可以怎样理解 billy_2005 网友正在看 Semiconductors__Part_1 无刷电机FOC原理,SPWM和SVPWM讲解 Alf-Egil Bogen 介绍最早期的AVR样品 元件DRC检测项的介绍描述? 任务调度器的实现 非等占空比信号产生方法 2 使用 CCS 在 LaunchPad 上运行代码 - CCS8.0 开发环境安装及配置 部分积累加