本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 离子注入原理-3继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 直播回放: 保护嵌入式设备与系统的完整性和可靠性 - 英飞凌 OPTIGA™ TPM 安全解决方案 计算机控制技术 国防科技大学 韦庆 2016 TI 杭州研讨会(中) TI-RSLK 模块1 - 使用 CCS 在 LaunchPad 上运行代码 电源设计小贴士1:为您的电源选择正确的工作频率 2019 DLP 创新大会 FreeRTOS on stm32 ST TI EV/HEV 48V 及电机驱动解决方案 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 mDNS http服务器冗余阵列 RADS:在AdafruitQTPyESP32-S2上使用CircuitPython8beta0的mDNShttp服务器冗余阵列-本帖隐藏的内容GitHub。mDNShttp服务器冗余阵列充电器那是相当的多呀! 充电头也很便宜了厉害!这不整个外壳 dcexpert 请教个很弱的问题 如图,请问A点的电压多少伏啊请教个很弱的问题[这是1:1变压器,理想情况下,1K电阻可以看作在初级接着的Ua=200*1/(100+1)输入是200V直流?图中标注是“DC200V”。若是,输出为零。变压器不能传输直流信号。俺原来咋没有看到“DC”二字呢仅这一点之差,谬之千里dontium发表于2014-1-522:16俺原来咋没有看到“DC”二字呢仅这一点之差,谬之千里 是我标错了,是AC220V sanlin1997 MSP430G2231做的一个简单的温度计 有幸团购到了LaunchPad团购。第一次接触到了MSP430单片机。也没太多时间,就做了一个简单的温度计。开始使用了ADC0外接NTC热敏电阻,其他IO口驱动了一个2位数码管,外加一个复位开关和电池。后来发现MSP430G2231有内部温度传感器,就改成内部温度传感器了。温度显示一段时间后,进入待机模式,按复位开关后重新显示温度。附件为基本代码MSP430G2231做的一个简单的温度计建议楼主可以使用定时器中断唤醒单片机。不要去按复位。支持楼上!其实按键唤醒也挺好的,便 flames 不停调用同一资源,会出现抢资源的问题嘛 两个线程,一个线程连续要求另一个线程弹出同一个资源的对话框,会出现抢资源的问题嘛?不停调用同一资源,会出现抢资源的问题嘛这个要看你具体的应用环境了,环境不一样什么情况都有可能发生,不过一般情况下是没有问题的。全国第一家虚拟主机:支持伪静态.有利于提高排名!!!15G全能空间年付500元/月付70元可免费试用5GB独立WEB空间、5GB企业邮箱空间、5GBMSSQL数据库IIS连接数据500个、500GB/月流量、共享日志文件空间企业邮箱功能赠送5GB超大企业邮 yellowbo 关于s3c6410的裸板调试,S3C6410的内部NAND烧写! FreeJtag欢迎到QQ群里讨论:4290624关于s3c6410的裸板调试,S3C6410的内部NAND烧写! shuanghb [X-NUCLEO-53L4A3 TOF评估板] 之手势识别 TouchGFX测距尺-传感器-电子工程世界-论坛开箱体验以及常规测距-传感器-电子工程世界-论坛【前言】在通过传感获取与被测物体的距离后,通过获取多个坐标点,与时间组合成一组在二维平面上的一组坐标组合,通过最小二乘法拟合来判断这些数据点是否近似在一条直线上,再通过计算斜率,来判断物体的动运方向。这次就是通过这个原理来实现手挚识别的。【数据的采集】数据采集与存储首先,我定义了两个数组,用于存放对应的距离与系统运行时间doubledistanc lugl4313820 网友正在看 射频振荡 SCRx a family of state of the art RISC V synthesizable cores Alexander Redkin, Synta 尽善尽美 第十一讲 数码管与定时器中下--力天手把手教你学单片机之实战篇 滞回比较器 Jacinto™7 工业应用处理器介绍 放大电路中的负反馈(3) 互联网基础设施的产品解决方案