本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 扩散机构继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 TPS65218D0: 多轨电源管理 IC (PMIC) 的用户编程 Microchip超低功耗LCD单片机PIC18F87K90 [高精度实验室] 电机驱动 : 2 有刷直流驱动器 适用于手机的WLAN解决方案 电源设计小贴士37:折中选择输入电容纹波电流的线压范围 如何在Atmel Studio 6 中建构设计项目 MSP430 LaunchPad 入门 TI-RSLK 模块 12 - 直流电机 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 论坛推荐 http://www.imagytech.com好像是搞嵌入式流媒体的有兴趣的可以看看论坛推荐哈哈鄙视广告。 iqtao HWREG() #defineRAM_CONFIG_BASE0x400FB200#defineRAM_O_MSXRTESTINIT10x00000050运行HWREG(RAM_CONFIG_BASE+RAM_O_MSXRTESTINIT1)|=0x1之后,为什么地址0x400fb250的值依旧是0,然而地址0x400fb278值变为1?HWREG() sgp 来说说各赛区晋级的情况吧~~~~ 看到坛子里有人发了一些相关的信息,咱们在此也把各个赛区的整理下吧:请跟帖~~~~~来说说各赛区晋级的情况吧~~~~本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:18编辑晋级之后该参加全国的笔试测试了,以前没有经历过,不知道会是什么样子?都考哪些方面的内容?请参加过的说说情况啊!本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:18编辑反正都是说好的考基础知识,也就那些了,平时没修炼好就没办法了黑龙江赛区获奖名单推荐国家的接下来就该 soso 3G和WiMax问题 现在电信行业讨论最多的就是3G问题,很多人都希望3G的牌照能快点到来,但是我认为对3G的到来还要慎重考虑。除了现在大家谈所谓的盈利问题还有制式问题以外,我到认为技术和产品生命力是最大大问题。晚上我请一位电信界老领导吃饭,这位领导说的一番话我非常赞成,我们讨论的主要是3G和WiMax问题:大家都知道,3G从技术上主要采用了CDMA技术,而CDMA的调制方式对话音技术是非常好的,但是对数据传输并不好。现在三种3G方式中,都存在数据传输的瓶颈问题。 xiaoxin 一些运放资料 可能会对为今年大赛做准备的有帮助 一些运放资料顶起来似乎是好东西。看看再说先放大的资料永远用的着谢谢楼主分享嘿嘿好东西下载了谢谢!!!!谢谢了谢谢了.偶喜欢,看看 zhangdaoyu 【11月22日|上海】高速互连创新技术研讨会邀您参加! 会议时间:2024年11月22日13:30-17:30会议地点:上海博雅酒店,一楼碧波厅AB活动介绍随着AI模型规模的不断增长,模型内互连将超过百万亿。AI/ML推动的计算互连带宽需求正在加速向下一代PCIe(PCIeGen6)的转变。面对爆发式的算力增长,在scale-out方向上,想象空间从单芯片演进转向了算力互联,如服务器间、机柜内、网络架构层面、分布式集群等互连方式。本次会议将会将围绕下一 eric_wang 网友正在看 继电器开关灯和风扇 第5讲 程序下载与仿真 TFT_LCD液晶屏驱动设计与验证(一) AD21软件安装 实战 Kaggle 比赛:狗的品种识别(ImageNet Dogs) 接口综合 — 其他案例 3.2 设计电压和电流检测电路 工程的编辑与修改