本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: pn结结深测量实验继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 神经网络深度学习简介 汽车ADAS(先进驾驶员辅助系统)动向 Altera VIP 1080P 视频设计 升压变换器TPS61088的输出短路保护方案 通信应用中的差分电路设计技术 直播回放:瑞萨电子安全物联网套件为您提供安全云联接解决方案 PLC编程入门视频教程 linux系统管理与网络管理 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 我做的第二版stm32f4板子 这段时间一直在用stm32f4,先把我的板子放出来秀一秀,去年12月做了第一版的板子,详见:http://bbs.eeworld.com.cn/thread-313004-1-1.html由于F4的芯片比较贵,我把它做成底板+核心板模式的,由于STM32F1,F2,F4系列芯片的引脚基本兼容,核心板可以同时三个系列的芯片,在第一个版本的板子上,由于没有细看芯片手册,导致板子出现一个bug,不能同时兼容三个系列的芯片。在同一个板子上同时兼容STM32F1、F2、F4三个系列的设计方法, 05210324kw AD9680 ---双14位、1000MSPS ADC AD9680是一款双14位、速度1GSPS的ADC转换器,本器件具有片上缓冲器,以及采样保持电路,它的低功耗、小封装设计,给应用带来很大的方便。此器件可以对高至2GHz的模拟信号采样。具有宽频带、高采样率,非常好的线性特性,以及低功耗等。内部框图:主要特点:1、宽带-----高至2GHz的模拟带宽2、可缓冲输入及可编程输入端3、四个十倍频程滤波器以及数字控制振荡器支持多频段接收器的应用。4、灵活串行控制--SPI5、可编程快速过采样检测 dontium 炼狱传奇-赋值语句之战 VerilogHDL语言中存在两种赋值语言:●非阻塞型赋值语句●阻塞型赋值语句1.非阻塞型语句以赋值操作符“=”来标识的赋值操作称为“非阻塞型过程赋值(NonblockingAssignment)”。非阻塞型过程赋值语句的特点是:(1)在begin-end串行语句块中,一条非阻塞过程语句的执行不会阻塞下一条语句的执行,也就是说在本条非阻塞型过程赋值语句对应的赋值操作执行完之前,下一条语句也可以开始执行。(2)仿真过程在遇到非阻塞型过程赋值语 梦翼师兄 【晒样片】比想象中更容易,更快捷 一直就知道TI有免费的样片可以申请,大学的时候用过不少,出来工作后,没有这个习惯,另外,以前的公共邮箱现在已经是不支持,所以一直也就看看。上周看到论坛有活动,老婆和小孩外出了,一个人闲着,一时心血来潮,就到TI上去尝试申请,原来的帐号还是可以登录的,就是到了申请样片的时候,就提示不能通过,具体说什么,英语水平有限,翻译不过来。于是让同事给我开了一个公司邮箱,然后在TI的个人信息内修改了自己的邮箱,然后就TI发来一个邮箱确认邮件,确认后,资料就更新完毕,然后再去申请样片,一路顺 fsyicheng 单片机的C语言轻松入门(书)【推荐收藏】 第1章C语言概述及其开发环境的建立第2章分支程序设计第3章数据类型第4章循环程序设计第5章单片机内部资源编程第6章C语言编程综合练习点击下载浏览该文件http://www.mcuchina.cn/showdetail.asp?showid=1011单片机的C语言轻松入门(书)【推荐收藏】哪呢呀...回复:单片机的C语言轻松入门(书)【推荐收藏】楼主????怎么没见书啊~~~~回复:单片机的C语言轻松入门(书)【推荐收藏】where?回 gnkjmcu MATLAB生成DSP目标代码的问题 请问高手,由Simulink模型生成TIDSP的目标代码是C语言的,还是汇编语言?我知道可以生成6000的代码,那么可以生成2000和5000系列的代码吗?谢谢!MATLAB生成DSP目标代码的问题高手支招啊!试一下不就知道了我不太会用。可以生成C2000系列的工程代码,代码是C代码,不过好像ccs4.0以上版本不能完全支持,我之前用的是ccs3.3谢谢!生成的是C代码 chenbingjy 网友正在看 FPGA时钟电路讲解 体感游戏 MPLAB® X IDE 编译调试(下) 第三部分 第16课 软交换网络技术 三菱FX系列PLC教程 32 —— FX系列的程序流向控制指令 时间同步(一) 电阻电路的一般分析(四) C++基础五(函数重载)