本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 光刻工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 TI无线解决方案助力工业4.0_2016 TI 嵌入式产品研讨会实录 How To Read an Academic Paper 自动控制理论 单片机初识 简化 USB3.1 设计的验证和调试 泰克MDO3000混合域示波器的测量应用 深入学习SoC FPGA EEWORLD DIY——低功耗蓝牙、USB双模机械键盘功能演示 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法-第1部:LEDパ.pdf 热门帖子 笔记本HP500键盘无响应? 笔记本HP500键盘无响应?重起之后就可以用了!但是用不了多久就又没有响应了!请问如何解决?笔记本HP500键盘无响应? panama 一个cf卡启动的问题!请指导一下^-^ 昨天用cf卡进行vxworks启动,成功了!但是有一个地方我没改,原以为启动不了,但是发现居然也成功了!!问题是:在sysLib.c中将原来的ataTypes数组ATA_TYPEataTypes={................{{761,8,39,512,0xff},/*ctrl1drive0*/...............};改为ATA_TYPEataTypes={................{{980, note00rg9 2006年微控制器五大趨勢-加值篇 前言:在MCU中,有些功能與設計並非是必須的,即便沒有這些功能特色MCU也依然可以正常工作,但有了這些特點並加以運\用後,MCU可以獲得更良善的運\作表現。 事實上「主運\作之外的功能價值」才是近年來MCU的重點強調,理由是MCU技術門檻較低,半導體業者不易在效能、資源等核心層面擁有大幅領先的優勢,加上中性、基礎性的週邊功效也都逐漸齊備,使得MCU必須從更廣多的層面來強化其價值。 所謂的廣多層面有哪些?一是在半導體技術上持續偏執,將更困難整合的類比、混訊控制電路內建到MCU內,如ADC、D xianji 新手怎么买购买开发板与元器件比较划算? 大家好,我本来是搞软件的,现在对电路设计与嵌入式开发比较感兴趣,请教各位,我想购买ARM开发板及各种电子元器件,玩一玩,但是如果元件单买的话,总成本比较高,而且也麻烦,买现成的开发板也是比较贵的,我听说人家有在网上批发芯片及元器件和自制开发板的,谁有经验介绍一下,前辈请留下电子邮箱.我的邮箱是:wxwok@163.com新手怎么买购买开发板与元器件比较划算?ARM这个层次的话还是买块现成的板子吧...像周立功之流的,自己一开始就上自己动手,可能有点吃力,毕竟ARM不是小51哈周立功的 shanjian13 HW公司招聘驱动工程师 2-3年嵌入式驱动开发经验或单片机开发经验,良好的C语言基础。工作地:北京,待遇面谈。有意者请发邮件到lycspecial@163.comHW公司招聘驱动工程师 wtjxnf 请问这段关于LCD的代码是什么意思? 不知道是什么意思。LCD_CS,LCD_BIT,LCD_CLK,LCD_COM,LCD_DAT各代表了什么呢?有哪位大虾能解答一下吗?谢谢了#defineLCD_CS0x80//10000000GPC7-VD4#defineLCD_BIT0x40//01000000GPC6-VD5#defineLCD_CLK0x20//00100000GP bobowoya 网友正在看 TCP套接字编程实例 如何改善交越失真,甲乙类功放电路详细解析 上海祝畅"一云三屏"智能推荐系统 HelloWorld实验 国嵌内核驱动深入班-4-1(PCI总线概述) 基于ADC模块的ScatterGather DMA的使用(AN108) Linux音频驱动实验-alsamixer介绍 业界最大半导体器件VU440 FPGA 性能演示