本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 光刻工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 [高精度实验室] 接口 : (3) Ethernet 以太网 PRoC BLE 低功耗蓝牙射频片上系统简介 直播回放: TI MSPM0应用详解:个人电子、楼宇自动化和医疗 机器人-人工智能中级教程 [高精度实验室] ADC系列 7 : SAR ADC 功耗分析与计算 采用低成本、低功耗CPLD开发套件制作音乐,实现更多功能 STM32F7 online training (OLT) 数字电子技术基础 热门下载 电容触摸传感简介 [资料]-JIS B8841-2004 Toughness test of link chains-Impact test method of chain links.pdf 半导体集成电路器件生产废水处理工艺研究与应用 实现一些hibernate底层的东西 keeloq 解码程序 三段式LED自由调光技术介绍 白光LED驱动器芯片设计技术研究 采用at89c52的振弦式血压测量仪设计 数据结构中二叉树用c实现的算法 seed xds510plus最新驱动 热门帖子 在altium designer中能不能挖一个凹槽? 在altiumdesigner中能不能挖一个凹槽?如何挖?在altiumdesigner中能不能挖一个凹槽?当然可以在keepoutlayer画一个凹槽就可以了可以啊,放置里有个多边形填充挖空,你画好形状,到铺铜时把它覆盖就是了,我用的AltiumDesigner6.9不知道楼上的设置,如何,,这样的设置,最好发板的时候给板厂特殊说明,万无一失。详细一点你只要在keepoutlayer层画出你想要的凹槽的形状来,制板的时候自然会直接做出来,没问题的!回复4楼q PCB板 freesacle codewarrior中C编程问题 看到一位大牛在定义一个数组时这样定义的:V_MEMROM0V_MEMROM1unsignedcharV_MEMROM2CanTxId2;不知道加上V_MEMROM0和V_MEMROM1是什么意思其中声明是:#ifndefV_MEMROM1#defineV_MEMROM1/*fastdataaccessinROM*/#endif不太明白什么意思?求教freesaclecodewarrior中C编程问题补充一下,mcu是mcs cuiwei000 TI 的CC2530+CC2591的PCB参考设计打开不正常 用CADSTAR13打开出现一个waring,如图,求教解决办法。是因为版本问题吗?TI的CC2530+CC2591的PCB参考设计打开不正常这不是版本问题吧?有没有DXP打开的文件啊,可以编辑的回复沙发zhuoyue的帖子 w1964332 急..... stm32103 进入不了外部中断 用的火牛的板子原电路图中PA8接button,LED1-PD8,LED2-PD9,LED3-PD10,LED4-PD11想通过按键产生中断,打印信息才串口或超级中断观察,现在情况是进入main后,led灯先闪烁,只要一按下button,led等也不闪烁了,也不打印任何信息程序如下:#includestm32f10x.h#includestdio.h#ifdef__GNUC__/*WithGCC/RAISONANCE,smallprin echozhang110 Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能 这篇文章介绍了全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo发布的一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品。该产品在紧凑型D2PAK-7L封装中实现了业界卓越的9m导通电阻RDS(on),适用于电动汽车(EV)类应用,如车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块。这款750VSiCFET是Qorvo全新引脚兼容SiCFET系列的首款产品,具有最高可达60m的导通电阻值。该产品的特点包括在25C时的典型导通电阻值为9m、小型表面贴装封装可实现自动 btty038 让学习变得简单而有趣-----欧姆社漫画学习系列丛书 本帖最后由tiankai001于2014-1-2322:59编辑 老实说,推荐这个丛书我是很犹豫的,为什么呢?-----因为这些书是日本人写的。不过本着学习的精神,还是有必要推荐的。虽然我们讨厌日本人,但是可以学习他们的好的技术,然后去对付他们,这样岂不更好?这就是所谓的“师夷长技以制夷”吧!这个丛书有23本,不过其中很多是适合做学校的参考书,只有3本是适合电子工程师的参考书的。这3本分别是”漫画电气电路“,漫画电子电路”,“漫画电学原理”。下面就分别介绍一下这3 tiankai001 网友正在看 电阻大小与分流的关系 对称三相电路的计算(3)不对称三相电路 毕业班第1课第3节_自己写bootloader之改进 2.2 单端驱动电路分析 如何将预配置证书从Microchip安全元件批量上传到AWS IoT中 实验一(续):GPIO输入输出的电路分析 5 在Eclipse中集成SDK(以识别为例) 用于ADAS的TDA2x SOC系列(1)