本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 溅射-2方法继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 VLSI设计基础(数字集成电路设计基础)(东南大学) 趣味电子技术史话:电影的发明 TI DLP LightCrafter DLP2000 EVM板介绍 基于灵动MM32W0系列MCU的指夹血氧仪控制及OTA升级应用方案分享 一分钟了解智能家居发展史(视频) 高性能DCDC设计的关键之电源热设计 应用于OTN的Smarter Solution Engineer It 系列 热门下载 关于GPS设计的一篇参考文献。很有参考价值的。 学习之子风险 74系列芯片资料_(中文)(精) 12864LCD显示计算器键盘按键实验 UL1741逆变器标准 STC单片机程序优化设计点 13.符合IR46标准的全新智能电表 五金&模具材料简介 多功能数字时钟设计资料 《无线电》2011年合订本.上].《无线电》编辑部编.人民邮电出版社.2012-2-1.扫描版(简体) 热门帖子 dsPIC30f6013a如何移植运行freeRTOS 请教大神,如何在dsPIC30f6013a移植freeRTOS,有做过的大神吗?dsPIC30f6013a如何移植运行freeRTOS建议参考stm32的做做看,这些官方应该有代码吧这个芯片做操作系统估计太坑,任务切换要压栈太多寄存器 htc123321 基于FPGA的高速图像压缩编码器 为解决高分辨率遥感图像和医学图像的实时压缩问题,本文提出了一种适合FPGA实现的无链表小波零树压缩算法,通过预处理和主处理过程分解实现了并行流水编码结构。利用Altera公司的DE3开发平台完成了算法的验证,实现了200MPixels/s的处理能力,可支持4096×2048分辨率的灰度图像25帧/秒的实时编码。由于采用了FPGA架构实现,系统具有可重构性,可广泛应用于卫星遥感,工业成像及医疗影像的无损或近无损压缩。2009Altera电子设计文章竞赛获奖作品 红色飓风 f769移植ucosii ucosii可以说是前些年对流行的rtos系统,笔者从10年前入行,就开始接触ucosii,第一次接触时,很茫然,不知所措,到处买书看,找例程参考,还是不会,很无奈。就这样1年多过去了,还是不会,反正工作中也不需要,就没再继续学。直到接触了2年后,因项目需要,不得不又提上日程。再次开始学习。其实也很简单,只要真正开始动手了,发现,还是不太男的,有点像人妖了,再继续,就变成美女了那就简单说说ucos,当然这部分内容网上很多,不多说。首先去ucos的官网下载uc star_66666 突然想起来一个问题,STC是怎么知道用的晶振频率的? 当用STC-ISP下载程序的时候,会显示单片机的相关信息,其中就有当前使用的晶振频率,他是怎么得到的呢?还有就是如果我用的是12M的晶振,做单片机串口通信的话当波特率过高的时候误码率会比较大,那么当我下载程序的时候如果波特率过高会不会也有影响呢?今天突然想到的一点疑问,麻烦有了解的朋友解答一下吧;P突然想起来一个问题,STC是怎么知道用的晶振频率的?里,有波特率测试程序,楼主平时不用设让它自动识别这个问题我想应在STC的BOOTLOAD发送一个用于认别的码子.是的 anqi90 V2.0.3例子中的NAND的读写是那个硬件啊? 官方只给一个示例,也找不到应用文档,有几个问题想搞清楚,但是不能给实际用NAND进行对照V2.0.3例子中的NAND的读写是那个硬件啊?1)ST网站上有一篇专门的应用笔记:AN2784Usingthehigh-densitySTM32F10xxxFSMCperipheraltodriveexternalmemories2)请下载最新的固件库和例子。NAND的读写用的是这个硬件:NAND512W3 slamdunk 测评汇总:ST NUCLEO-WB09KE 活动详情:【STNUCLEO-WB09KE】更新至2024-11-06测评报告汇总:@rtyu789STNUCLEO-WB09KE-BLE_Peripheral_LiteSTNUCLEO-WB09KE-UART串口STNUCLEO-WB09KE-IIC驱动OLED屏幕STNUCLEO-WB09KE-程序烧录STNUCLEO-WB09KE-开箱@bigbat【NUCLEO-WB09KE】BLE应用架构与分析【NUCLEO-WB09 EEWORLD社区 网友正在看 云计算环境下的网络化操作系统技术(上) 连续时间系统的频域分析(二) 多级放大电路的动态参数分析 unix操作系统基础10 快表和多级页表 深入探究文件IO-原子操作与竞争冒险 桌上曲棍球對打機_洪崇文_單元三 程式與驅動程式編碼_Part 4-1 追蹤、預測的球板軌跡與擊球動作 测量电池电压