本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 溅射-2方法继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 利用 DC / DC 转换器在热性能和小尺寸解决方案之间进行权衡 GD32嵌入式开发入门 电力系统分析(清华大学) 利用TI SimpleLink蓝牙、MCU和模拟器件构建无线音频解决方案(2) 直播回放: 是德科技测试测量峰会 - 高速数字论坛 TI Zigbee 3.0及多协议解决方案 SmartMesh IP 无线传感器网络入门套件 为太阳能逆变器应用设计宽输入 DC/DC 转换器 热门下载 [资料]-JIS C2315-2-2010 电气用途的硬化纤维.第2部分:试验方法.pdf [资料]-JIS C8119-1-1999 放电灯具的镇流器(管状荧光灯除外).第1部分:一般要求和安全要求.pdf [资料]-JIS C5965-3-1-2011 光ファイバコネクタ光学互換-第3-1部:シングルモード光ファ.pdf [资料]-JIS T1305-1985 直观式血压监视装置.pdf [资料]-JIS F7304-1996 造船.16K青铜角阀.pdf [资料]-JIS B8224-2005 Boiler feed water and boiler water-Testing methods.pdf [资料]-JIS W0601-1990 Aerospace -- Pipelines -- Identification.pdf [资料]-JIS Z 3264:1998 Copper phosphorus brazing filler metals.pdf [资料]-JIS T3233-2005 静脉血样采集用一次性真空容器.pdf [资料]-JIS B8378-2-2000 气液动力.压缩空气润滑器.第2部分预定列入供应商资料中的产品主要特性的测定试验方法.pdf 热门帖子 求友善之臂SBC2410光盘资料包含vivi等内核源码 如题“求友善之臂SBC2410光盘资料包含vivi等内核源码”在线等待,急用........哪个兄弟有,恳请您给我发一个,在下不胜感激,资料内容比较大,所以请您发到我的邮箱:804763993@qq.com请注明您的eeworld号我给你再追加100分谢谢.....求友善之臂SBC2410光盘资料包含vivi等内核源码自己顶感谢大家帮忙啊没有,帮顶下。呵呵,这些资料、、没有,帮顶下。呵呵,这些资料、、我自己花钱买到了谁需要请联系我能不能发给我xiaol zhongyanchao 高频变压器磁复位问题,求教 我电路如图所示,左右波形是变压器原边的电压波形,右边是输出波形,如何作到在每个PWM周期对变压器复位,复位损耗尽量小?高频变压器磁复位问题,求教给楼主纠正一下,应该是变压器的磁复位,并非变压器复位,不要混淆!并且必须是正激的变压器才有磁芯复位。要知道楼主的问题,看似很简单,并且不是一句话才能说清的,,去磁方法很多种;三绕组去磁;谐振去磁;RCD去磁;有源去磁;贡献一个资料,好好看看吧楼主是想用脉冲变压器传递基波功率对吧!别折腾了,此方案行不通2楼的观点有些片面,所有的变压器都需 kata Altium Designer 09官方超酷pcb布线视频(共六集) 发个AltiumDesignersummer09官方超酷pcb布线视频,令人惊叹啊!第一集第二集 AltiumDesigner09官方超酷pcb布线视频(共六集)楼主还有其他的呢?没速度了,改天在传附件不会排版弄乱了打不开尺寸:L打不开是不是没有下载齐整?感谢楼主! 499362154 怎么样在TI-RTOS中用C代码直接配置IP地址? 一般来说RTOS中有个.cfg的配置文件在哪里可以配置所有模块,但是我想将来用网管改IP地址所以只能用C代码自己配置,不知道有谁用过或有这方面的经验的可以讨论一下?怎么样在TI-RTOS中用C代码直接配置IP地址?还没用过TI-RTOS,不过改IP地址不就是通过网络改一个变量的值就行了么? 小小虾 dsp IQ格式 rg1.StepAngleMax=_IQ((float)128/20000);他们之间的格式是如何转化的,哪位大神知道的告诉我一下,我都纠结好几天了dspIQ格式128/20000是个float,有啥好纠结的一个小白发表于2014-11-1808:19128/20000是个float,有啥 小@小哒哒何 AM3359无法nor flash启动 启动模式选择00011UART0-SPI0-XIP(MUX2)-MMC0可以串口启动,装上SD卡可以SD卡启动,拔下SD卡后,想从nor启动,但是一直在串口打印cc。XIPnor接cs0,通过uboot已经把程序烧写进去。前128K放的SPL程序,用SPL下载uboot。但是从一直串口打印这个现象看,很有可能并没有去nor执行里面的程序。从读状态寄存器的值看,启动模式配置正确,就是这个顺序。请做过nor启动的指点一下。\0\0\0eeworldpostqqAM3359无法no wangxia 网友正在看 EDA应用5-共射放大电路中电阻参数对静态工作点的影响 DMA使用之ADC示波器(AN706) 直流有刷电机(第3节)_电机参数和电机控制基础 压摆率 3 Cortex-M架构CPU的内核寄存器和处理器的操作模式 Computational Methods1 从VICAP抓RAW图 基于DAC模块的ScatterGather DMA的使用(AN9767)