本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅的热氧化-2机理继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 LDO(Low Dropout Linear Regulator) 低压差线性稳压器 嵌入式系统 国防科大 Cadence设计常见问题解答500例视频合集 高效率小尺寸双向DC-DC变换器设计 电机学 华北电力大学 李永刚 华清远见嵌入式在线视频教程 Vishay 威世科技--IHLP 功率电感器(概览、饱和电流性能测试) 深入Sitara:PRU介绍_2016 TI 嵌入式产品研讨会实录 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 如何在DM8168的dsp中运行自己的算法? 平台:dm8168,sdk:dvrrdk4.0想在DM8168的dsp中运行自己的算法,通过A8端传数据到dsp,dsp运行后再传回A8端,请问这个怎么来实现?请问有没有这方面简单框架的demo,类似一个helloworld的demo可以做参考的?谢谢!\0\0\0eeworldpostqq如何在DM8168的dsp中运行自己的算法?目前的DVRRDK里面没有A8-DSP-A8这样的例子,只有M3-DSP-M3的例子(ScdAlgLink)。原理是一样的,你可以参考。 David 定义枚举类型时,内容不能用not,xor等已有保留字吗? 我定义一个数组,typestateis(inc,dec,add,not,load);语法检查提示:ERROR:syntaxerrornearnot(VHDL-1261)把not去掉后,就正确了!!这是为什么呢??定义枚举类型时,内容不能用not,xor等已有保留字吗?不懂VHDL,不过绝大多数语言都是不支持使用关键字和保留字做变量名使用的 pinggougou OpenCL用于计算机领域的13个经典案例(转) 摘要:当使用加速器和OpenCL时,哪种类型的算法更加快速?来自弗吉尼亚理工大学的WuFeng教授和他的团队例举了一份算法列表,分享了OpenCL常被用于计算机领域的13个经典案例。哪种算法可以最好的映射GPU及矢量处理器呢?换句话说,当使用加速器和OpenCL时,哪种类型的算法更加快速?来自弗吉尼亚理工大学的WuFeng教授和他的团队例举了一份算法列表,分享了OpenCL常被用于计算机领域的13个经典案例。有人将其称之为OpenCL计算领域的13个“小巨人”。一、Dense 白丁 stm32f407的delay延时函数过不去,它是用定时器中断延时。 delay延时函数过不去,voiddelay_ms(u16nms){ntime=nms;SysTick_Config(168000);while(ntime);SysTick-CTRL=0x00;}__STATIC_INLINEuint32_tSysTick_Config(uint32_tticks){if((ticks-1)SysTick_LOAD_RELOAD_ 电子-------- Helper2416-27——Linux_Programing——传输文件到目标版 Linux_Programing——传输文件到目标版参与Helper2416开发板助学计划心得学习Linux应用编程,却总是为怎么把在宿主机上编译好的文件传送到目标版运行而犯愁,一段琢磨后有了一个比较适合自身的解决方案,现在分享给大家!如果您有什么好的方法,请不吝赐教在《HELPER2416_V2开发板LINUX用户手册》中给我们介绍了如下几种传输方式:1:使用U盘传输文件2:使用SD卡传输文件3:使用串口传输文件4: yuanlai2010 使用ASF在不同MCU中创建CDC项目的比较 很多人不喜欢用AS6和ASF,因为AS6+ASF的组合运行程序慢、打开项目文件慢、编译速度慢,的确是不够方便。但是AS6和ASF毕竟是ATMEL官方的主要开发工具,还是有它的一些优点的,比如使用ASF快速建立项目、通过ASF向导添加新的功能模块、程序在不同MCU下的移植很方便。下面就以不同开发板下USBCDC的例子为例,演示一下这几个特点。测试环境:AS6.2sp1ASF3.21windows7x64超级终端(其他串口软件也可以)MCU平台:XMEGA128B dcexpert 网友正在看 差分串联电压开关逻辑 认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 图像的空间域锐化 UCOSII在STM32F103上的移植 进阶基因演算法 5. 适应函数标准差縮放 导线及NetLabel的添加 循序邏輯電路實作(I)_正反器實現 项目演示及整体思路介绍