本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 其它曝光技术继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 PIC® MCU全系列通用开发板简介 Atmel Edge原理图103 Hybrid Memory Cube Technology (下) Imagination公司的PowerVR SDK工具系列教程 正点原子Linux视频 用电源开关驱动感性负载 ARM嵌入式linux系统开发 低功率RF混频器增强了接收器性能 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法-第1部:LEDパ.pdf 热门帖子 2025年全球焊接机器人市场深度调研及发展策略研究报告 全球焊接机器人(WeldingRobotics)核心厂商包括Fanuc、ABB等,前五大厂商占有全球大约40%的份额。亚太地区是全球最大的市场,占有大约60%的市场份额,之后是欧洲和北美,分别占有大约20%和15%。据路亿市场策略LPInformation调研按产品类型:焊接机器人细分为:弧焊、点焊、其他按应用,本文重点关注以下领域:汽车&运输、电气&电子、金属&机械、其他本文重点关注全球范围内焊接机器人主要企业,包括:FanucABBYaskawaKUKAKa LPI路亿 寻求高频(50M或以上的)整流二极管!!很急 大家好,能帮我推荐一款高频(50M或以上的)整流二极管吗???!!寻求高频(50M或以上的)整流二极管!!很急SM-1XF16Re:寻求高频(50M或以上的)整流二极管!!很急 annezuo printf的问题,如下: 在KeilC中:floatf=4.215;printf(%6.2f,f);输出:4.21//前有两个空格请问如何printf输出004.21,即用0来填充,而不用空格填充?printf的问题,如下:printf只默认填空格,不填0要不LZ自己实现一个PRINTF?要不用sprintf();把浮点先转成一个char然后,自已再实现一个处理把空格替换成0 lihaifeng15 用VHDL编程实现一个双工系统 本人求一个程序,用VHDL编程实现一个双工系统具体为:一个开关控制3个LED显示(如数字516)并且下载到CPLD中检查用VHDL编程实现一个双工系统up ardentyears 大学新生报名IT培训,职业规划从入学开始 本报讯:日前,记者从国内著名的IT培训公司北大青鸟APTECH获悉,进入9月份以来,在一些城市出现了大量刚入学大学新生前来咨询职业培训,甚至已有人报名参加相关课程培训,在某些培训中心,这类刚入学大学新生在本阶段招生中已占到相当比例。IT职业培训已经渗透到新入学的大学生中间。近年来,随着大学生就业难的现象成为社会广泛关注的热点,大学新生及其家长自入学就开始关心四年后的就业也正在成为一种较为普遍的现象。北大青鸟APTECH相关负责人告诉记者:近期以来,在北大青鸟APTECH软件工程师培训中心咨询 wawj1819 [下载]世界500强选人标准及工作规范 世界500强工作规范(电子书)以及世界500强选人标准(电子书)分享给大家,希望对大家有所帮助。世界500强选人标准及工作规范优秀的标准普及真难Re:世界500强选人标准及工作规范楼主很优秀Re:世界500强选人标准及工作规范非常感谢啦!Re:世界500强选人标准及工作规范楼主很优秀非常感谢啦!Re:世界500强选人标准及工作规范500强,看看Re:世界500强选人标准及工作规范搂主很厉害!谢谢!Re:世界500强选人标准及工作规范不容易啊,谢谢! SuperStar515 网友正在看 TCP套接字编程实例 如何改善交越失真,甲乙类功放电路详细解析 上海祝畅"一云三屏"智能推荐系统 HelloWorld实验 国嵌内核驱动深入班-4-1(PCI总线概述) 基于ADC模块的ScatterGather DMA的使用(AN108) Linux音频驱动实验-alsamixer介绍 业界最大半导体器件VU440 FPGA 性能演示