本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 其它曝光技术继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 2018 PSDS 研讨会系列 - (5) 直流直流转换器常见错误及解决方案 Linux视频教程(韦东山) 模拟精英—与业内专家面对面互联3 最灵活、最低功耗的ARM Cortex-M0器件--赛普拉斯新品PSoC 4 Peter Diamandis:创新是如何产生的 TI 电机驱动芯片最新技术优势以及应用 电源小白到实战 LM25066I系统电源管理和保护IC概述 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 话说mini-SATA mSATA(mini-SATA)是迷你版本SATA接口,外型和电子介面与miniPCI-E完全相同,但电子信号不同,两者互不兼容。中文名:迷你版本SATA接口外文名:mSATA别称:mini-SATA公司:SATA协会分享概念mSATA图片图册5张msata是SATA协会(SerialATAInternationalOrganization;SATA-IO)开发的新的mini-SATA(mSATA)接口控制器的产品规范,新的控制器可以让SATA技术整合在小尺寸 Sur 初学者请教,图中的1、2、3代表什么 初学者请教,图中的1、2、3代表什么\0\0\0eeworldpostqq初学者请教,图中的1、2、3代表什么代表此IO不同的模式,你可以根据的自己的需要,进行设置 尘海月 为何学C2000的人这么少? 最近要用到2802X才学这个,发现学的人比较少,几个论坛大多都是12年13年发了点帖子,后面就不多了,现在已经被M3M4搞成这样了么。。。。为何学C2000的人这么少?我对这种控制器是没啥兴趣,除非工作中用到才会学,不适合业余选手玩。主要是应用在控制领域的,我对这个领域也没啥兴趣,我还是比较喜欢ARM,功能多,更具可玩性。C2000属于小DSP,我觉得主要的原因是它必须使用TI自家的工具去编译和开发,不像ARM这种通用指令集。而且性价比没有ARM高。目前正在用DSP。 still89 很着急的问题,希望大家帮忙 这是弹出的第一个对话框点击确定之后就这样,再确定IAR就关闭了哪位大虾给指点指点啊,很着急的问题,希望大家帮忙卸载重装一下试试应该是IAR的问题吧,,,重新装一下试试很有可能是破解不成功本帖最后由hanwenli123于2014-11-2009:09编辑 目前找到的问题就是出现这个窗口的时候,是在向watch窗口添加要查看的变量的时候,面那个变量需要与硬件结合使用,应该是当时没有协调好确实是软件的问题,换了个版本现在 hanwenli123 自己觉得还比较可以的Modelsim教程 自己觉得还比较可以的Modelsim教程,中文版幻灯片。分享自己觉得还比较可以的Modelsim教程下来看看,先顶起,谢谢楼主Re:自己觉得还比较可以的Modelsim教程支持下,谢谢了Re:自己觉得还比较可以的Modelsim教程下来看看呵呵!!!Re:自己觉得还比较可以的Modelsim教程Thanksforsharing!Re:自己觉得还比较可以的Modelsim教程下下来看看怎么样,谢谢分享先Re:自己觉得还比较可以的Modelsim教程 hncsz 有人研究自抗扰控制器的么?能指导一下么 请问有大神研究“自抗扰算法”么百度了一下说是由PID演化而来的,菜鸟一枚,对实现原理不大懂,有大神愿意分析下么?谢谢有人研究自抗扰控制器的么?能指导一下么抗干扰的方法很多,这个“自抗扰”的说法不够明确,实在难以猜断。抗扰,必须要看是什么类型的干扰,哪里来的干扰,干扰的性质和强度如何,没有这些数据就谈不上什么抗扰。chunyang发表于2014-11-1322:22抗干扰的方法很多,这个“自抗扰”的说法不够明确,实在难以猜断。抗扰,必须要看是什么类型的干扰,哪里来 swustlx86 网友正在看 串口通讯发送字符串 超逼真仿生蜘蛛:使用26个微型伺服舵机 板级初始化的后半部分:bord_init_r函数分析3 EDA技术13 第四部分 第9课 光检测器 485模块分析——背光灯、蜂鸣器与按键 从离散傅里叶级数DFS到离散傅里叶变换DFT N沟道JFET结型场效应管工作原理与伏安特性曲线03