本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: PVD金属及化合物薄膜继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 TI 超声气体流量计量创新方案 电子设计竞赛中测控类题目应用对策 直播回放: Maxim nanoPower技术:延长电池寿命,提升传感器性能 如何评测开关式电源版图寄生电感的电压尖峰 图像处理与分析 武汉大学 贾永红 直播回放: 2D/3D传感微型化 | 艾迈斯欧司朗新型Mira系列全局快门图像传感器 PSoC Creator 设计入门:如何使用Rubber-Branding特性 SOC系统级芯片设计实验 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 Cortex-M3 MCU 电源解决方案 Cortex-M3MCU电源解决方案TICortex-M3MCU电源解决方案Cortex-M3MCU电源解决方案与TICortex-M3MCU好像没啥关系,内容fxyc87发表于2015-2-308:56与TICortex-M3MCU好像没啥关系,内容 地址已经修改过来了,sorryGAINSPANWIFImodule双核CORTEX-M3 qwqwqw2088 关于D类功放半桥输出的问题 本人最近正在做一题低频功率放大器的题目,题目要求负载一段接地,所以无奈,输出级选择了半桥模式,然后完成之后发现一个问题。最后出来的功率波形存在一个直流偏置,而且功率基本上都是直流功率,接入隔直电容后,输出功率基本没有。求助,如何用半桥正确的推MOS。附上我的两张图关于D类功放半桥输出的问题半桥用单电源,当然负载要串联电容。图中有错误,Vs脚必须与两支MOS管联接处相联接。楼上说的对,你查一下IR2103的datasheet,看一下TypicalConnection,对比一下自己的电路 Vlinar TFT液晶(ssd1289驱动)快速上手『基于msp430单片机的程序讲解』 首先讲个题外话,论坛上有很多分享代码的,不过,我觉得,唯一不好的一点就是:只上传代码,却没有具体讲解一下代码。要是代码里有详细的注释,那样的话,不具体讲解代码也没什么关系;但是有一些代码连注释都没有或者注释很少,让人看得很费力,那就有点不太好了。上传代码共享是一件好事,要是有一个好的注释那就更好了!!好了,不扯了,现在聊聊ssd1289液晶。这几天用了一下ssd1289液晶,调好了程序,在此分享一下。该液晶使用msp430f149/169单片机控制的。 hjl240 一种偏僻野外的设备供电想法~~ 请教下,用风力发电做动力给超级电容充电,然后再用超级电容来供电给很多偏僻野外的设备供电,大家觉得这个方式可靠吗?一种偏僻野外的设备供电想法~~我觉得这个风力转化为电能的效率能满足么?需要多大的设备呢?还有,我想,有些地方风力达不到要求,是吗?有些地方可以,有些地方不可以。我家那海边有很多风力发电机看你用电设备需要多大的功率?然后再看地理位置吧~可以结合太阳能更加靠谱一些用电池要好些吧功率决定一切抛弃成本太阳能更好 老夫子 STM32F409高速USB通讯方式有哪些? 我是STM32小白,最近想用F4把设备存储的数据通过主机USB口读出来,粗略看了一下,高速USB口与电脑连接后,USB设备可以映射成串口、存储设备,我想知道,还有没有其他的工作方式?比如,我自己开发一个上位机界面,与F4通讯,直接发命令读取数据(把F4做成私有设备,只能用上位机软件操作)。这种情况下,ST提供USB设备驱动程序了吗?谢谢!STM32F409高速USB通讯方式有哪些? 烹小鲜 我的Arrow SoCKit也收到啦 我的ArrowSoCKit也收到啦,先拍个图片上传一下,好激动,大家一起努力哈!来个正面照,那个小屏幕上电好像一点反应都没,旁边的LED也不见闪的,好像没烧写程序,还需进一步确认背面是这样的:系统结构框图:我的ArrowSoCKit也收到啦羡慕ing,高端的板子,密密麻麻的器件!当年推广的时候卖600¥。才600啊不是很贵的样子3个U口都滴胶啦?明智,哈哈这U口太脆弱了,这个以后的设计千万要考虑这个问题,被扯掉 chenzhufly 网友正在看 CCD图像传感器的主要参数 加减运算电路 DS1302实时时钟实验--硬件设计 按键切换LED颜色实验 国嵌内核驱动深入班-9-1(Linux-USB 驱动简介) 第三章 第2节 正规表达式与有限自动机(5) PSoC Creator 特色概述:如何使用工作区域窗口 无刷电机FOC4.3 上位机软件配置