本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 扩散工艺的发展继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 创客机器人PK舞台 麻省理工逆天技术:可触摸的计算 电路理论基础 西安交大 赵进全 示波器的使用方法教学 拆解特斯拉Model3 VCFRONT的前置控制器模块 嵌入式系统编程系列课程 EMI 优化的变压器集成的隔离 DC/DC 电源芯片在工业产品中的应用 研讨会 : ADI 软件定义无线电 ADALM-Pluto 入门实战 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 STM8L测量脉宽 有做过STM8L测量脉宽的大神吗?求代码。STM8L测量脉宽顶起~~~~~这个不难吧,采用输入捕获的方式就可以实现了呀。 czx2014 有关TTL电路中各三极管的工作状态非常好的资料 详细阐述了TTL在输入高低电平时,各个三极管的工作状态有关TTL电路中各三极管的工作状态非常好的资料好东西,多谢楼主。这是哪本书上的啊? pvnana 为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDC tools啊? 为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDCtools啊?求助为什么我的ccs5.2中建立Grace工程时提示需要先安装XDCtools啊? 小鸟一枚 【ATMEL SAM R21】无线手写的雏形及问题 上午把代码又修修补补基本上形成了基本的模型简单介绍一下在上次的基础上,给传输数据的结构体定义了2个Uint16_t类型的数组,SetX和SetY每采集10个点进行一次通信无线手写侧:采用SAMR21+LCD手写屏的组合每次采集10个LCD坐标并发送无线显示侧:采用SAMR21+LCD屏的组合采集满10个坐标点后,送LCD显示上个图回来发现家里的网络居然是ADSL的,上传只有50KB/s一个视频上传了2个多小 ljj3166 关于AM调制的问题 关于AM调制,是将输入信号与载波相乘,相乘之后,原来信号的频域信息就丢失了,只剩下时域的振幅信息被载入到了载波的振幅变化上,形成包络线,这个理解是否正确?还是说原来信号的频谱依然保留着?\0\0\0eeworldpostqq关于AM调制的问题不正确。“原来信号”的频谱仍存在于已调波中。maychang发表于2015-1-2523:20不正确。“原来信号”的频谱仍存在于已调波中。 谢谢前辈,还有一个相关的问题:我能不能把AM调制理解为它相当于对信号源进行了类似数字采样 提拉米苏 单片机操作GSM模块问题,程序无法执行,这是为什么? 单片机是MSP430GSM模块是SIM900A单片机操作GSM模块问题,程序无法执行,这是为什么?程序中单片机单独发送AT指令,可以得到OK答复,单片机点亮第一个LED灯。单片机单独发送ATE0指令,也可以得到OK答复,单片机点亮另一个LED灯。但是,如果让单片机按顺序,先发送AT指令,等到OK后,在发送ATE0指令,就不能继续运行了,第二个LED就一直都点不亮了。voidSIM900(void) { UART_Clear_BUFF(); U 512826028 网友正在看 差分串联电压开关逻辑 认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 图像的空间域锐化 UCOSII在STM32F103上的移植 进阶基因演算法 5. 适应函数标准差縮放 导线及NetLabel的添加 循序邏輯電路實作(I)_正反器實現 项目演示及整体思路介绍