本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 单晶生长-掺杂继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 Digi-Key 与 DFRobot 的 maker 作品: 履带车 mTouch 电感式触摸传感解决方案 2015 TI 音频创新日 (8) 采用 PPC3 的智能放大器解决方案与简易实施方案 直播回放: Nexperia - 电动汽车中车规功率MOSFET和氮化镓器件的介绍及应用 村田顽童的堂妹“村田少女”问世 1 linux操作系统之父 python3视频教程 Verilog HDL硬件描述语言基础培训 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 【TI首届低功耗设计大赛】焊接完成,第一个程序,LED流水灯 【TI首届低功耗设计大赛】焊接完成,第一个程序,LED流水灯为了验证焊接是否成功,我只焊了复位电流和几个LED灯,先是用EXP430G2开发板下载程序,下了很多次都在downloading时提示通信错误,只有一次成功,平时下MSP430G2553都没有问题,怀疑是仿真器版本过低导致,后来换成EXP430FR5969的开发板问题解决了。跑了一个LED流水灯程序,证明单片机焊接良好。我焊好的最最小系统板把EXP430FR5969的TST littleshrimp 采用低功耗28-nm FPGA降低系统总成本 智能引脚布局提高了可布线能力,缩短了调试时间CycloneVFPGA以最低的开发成本提供最好的信号完整性。采用了常规棋盘式电源和地模式,简化了布板。此外,器件左侧是常规的收发器布局,并进行重复,而接收器总是在外部,从而实现了最佳信号完整性。还尽量远离收发器放置存储器I/O引脚,相对于收发器进行屏蔽。Altera的方法是,首先通过避免引脚布局问题,减少在耗时的调试过程上的投入。Altera系统设计工具降低了总体拥有成本Altera的集成设计环境,包括Quartus CMika 【TI首届低功耗设计大赛】智能手表之U/COSIII实时操作系统移植 添加u/cosIII所需的文件,如下图建立任务主要代码如下:#includeapp.h#includegui_desktop.h#includesim908.h#includestring.h#includewm.h#includegui_common.h#includertc.h#includei2c_ee.h#includebsp_sdfatfs_app.hexternOS_TCBStartUp_TCB; zhanghuichun 【MXCHIP Open1081】+求助啊 能弱弱的问一下OPEN1081的开发套件程序能用串口下嘛?是不是必须买个JLINK?本人以前玩STM32的程序都是那串口下进去的啊,没怎么用过JLINK。求助啊。。【MXCHIPOpen1081】+求助啊看一下用户手册,有介绍的。可以通过超级终端这样的软件升级,使用YModem协议。dcexpert发表于2014-11-1920:31看一下用户手册,有介绍的。可以通过超级终端这样的软件升级,使用YModem协议。 谢了哈 908508455a 关于STM32用FSMC控制LCD1602如何实现 本人想用STM32的FSMC控制LCD1602显示,请问有哪位大侠可以指导下对应板子和液晶接口的连接时如何实现的,网上大多是16位的液晶控制。关于STM32用FSMC控制LCD1602如何实现1602液晶支持8位和4位数据接口方式,在加上3个控制信号,比较容易驱动。proteus中的例子也很多,可以参考一下。 hongyuo118 【TI首届低功耗设计大赛】智能手表之无线控制智能家居 voidGUI_Buletooth(void){WM_HWINhButton0;WM_HWINhButton1;WM_HWINhButton2;WM_HWINhText;USART_printf(USART1,a);//给msp430传输指令,建立连接,允许传输数据WinPara.hBuletooth=WM_CreateWindowAsChild(0,0, zhanghuichun 网友正在看 英飞凌TC264开源库极速入门之神眼摄像头 EDA应用6-温度对静态工作点的影响 DynamicLatchesandRegistersII 1.3.3_公共事业物联网 地址空间和地址生成 角度调制与解调(六) ARM开发工具 DS-5 社区版,解决Android多版本控制问题 国防电子测试的最新发展及安捷伦解决方案