本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: PVD-1概述继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 matlab机器学习(英语中字) 如何进行开关电源拓扑选择 TI 智能音箱和条形音箱 - 音频专场 电子设计竞赛中测控类题目应用对策 使用低引脚数USB开发工具包(DM164127)在应用中添加USB连接 RT-thread在线培训 Switch mode power supply tutorial- DC-DC buck converters 直播回放: TI C2000TM 的信号链实时性评测和使用教程 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 Z-Stack中RSSI和LQI值的获取 以下内容为转载,感觉对于了解RSSI和LQI有益,特分享下,最后再次感谢原作者的分享精神1.简介RSSI:信号强度值LQI:连接质量在协议栈中中,LQI是可以直接从接收数据后的结构体中得到,例如接收数据使用的结构定义为pkt:LQI=pkt-LinkQuality;RSSI是通过读取max_rx.c文件中的数组rxBuf的第一位得到的,这里得到的信号强度值是以2进制补码的形式体现,具体使用可以参看CC2430DataSheet。RSSI=rxBuf;2.R wateras1 spartan6的iserdes2 最近在使用ISERDES2,遇到些问题,哪位高手能帮忙看看或者解决一下啊,不胜感激。问题如下:ISERDES2设置为“SDR时,系统时钟使用100M,倍频后的时钟为800M,整个系统编译后运行挺正常的,但是时序分析上报了错,不能用800M,所以感觉不放心。就想着使用”DDR,那么问题就来了,使用DDR时,时钟总是遇到问题,clk0和clk1怎么产生呢,通过PLL产生两个400M的时钟,其中一个做了180的相位延时,这种方式布线一直过不了。另外一种就是只产生一个400M的时钟,接到cl huan 谁有IAR for MSP430 5.6或者6.1的版本 如图,IAR官网只有6.2的版本,找了各种方法都无法破解。谁有5.6或者6.1的版本以及其破解方法,能否发我一份。邮箱784514092@qq.com。万分感谢谁有IARforMSP4305.6或者6.1的版本http://bbs.eeworld.com.cn/thread-448404-1-1.html heedle STM32F103VE开发板例程集 板上资源:CPU:STM32F103VET6,ARMCortex-M3内核,512kBFlash,64KBRAM,最高工作时钟72MHz/90MIPS(1.25DMIPS/MHz),LQFP100脚封装(片上集成12BitA/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)完美支持本公司多款彩屏模块,带触摸屏支持7寸800X480分辨率超大屏幕显示(群创AT070TN92),用STM32的FSMC驱动SSD1963芯片,刷新速度比C51快很多支持4.3寸 旺宝电子 PCB螺旋走线设计 关于PCB螺旋走线设计的资料,可以参考下。http://download.eeworld.com.cn/download/t_y_hml/551480PCB螺旋走线设计这个好呀,以前看到过关于这个的讨论。 快羊加鞭 有偿紧急求助加工 本人PCB白痴一枚,现求下面电路设计(求详细所需电子原件,总价格),并急需加工代理商。C:\\DocumentsandSettings\\Administrator\\桌面\\王建有偿紧急求助加工这么着急,帮忙扩散~~~~~~~~~~~~~就一个草图,没法确定知道你的需求,你应该进一步用文字详细描述你的需求,这样才能得到帮助啊。看不清你需要什么。。。。路由两边都是12V,看不懂qwqwqw2088发表于2014-9-915:28路由两边都是12V,看不懂 -EVE- 网友正在看 FPGA时钟电路讲解 体感游戏 MPLAB® X IDE 编译调试(下) 第三部分 第16课 软交换网络技术 三菱FX系列PLC教程 32 —— FX系列的程序流向控制指令 时间同步(一) 电阻电路的一般分析(四) C++基础五(函数重载)