本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 工艺集成--金属化与多层互连继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 数据采集技术第一讲:DAQ基础知识简介 电机与拖动基础(石油大学) 血氧仪研讨专场(上) 9V 快充保护设计 TS3USB3000 便携式环境及运动监测仪 MPLAB代码配置器实验5:配置ADC及FVR TI 2014 MCU设计研讨会:开场 LTpowerCAD II: 开关稳压电源设计工具 热门下载 浅谈检测/校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机+CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 转载:十一归来,分享一路风光无限 嗯,我承认我没有创意,但又怀揣一个不甘寂寞闷骚的心。珍贵的国庆长假,对我来说,是有时间没有钱。因为用于旅游的预算实在有限,不能去那些热门地方,。在家蜗了2天,实在是想出去换换空气,凭什么国庆长假我就只能蜗居在家,凭什么路上的车都不限号了,我的爱驾就只能寂寞的停泊在路面被阳光暴晒。终于,在第三天假期,我决定开上的我的老七,带着老婆孩子去郊游。寂寞有时很美,有时却很无奈不能去西藏,丽江,我可以选择离北京近一点的地方。当我宣布全家出游的决定之后,马上得到了大家的热烈回应,而且还为 西北狼狼王 MOS管驱动电路 请指点下电路问题,怎么控制驱动MOS管驱动电路程序编程怎么驱动,J3为电机线圈,自举电容怎么选择两个PWM控制信号不能同时为高、同时为低,为时给负载提供能量,低时关断。所以,这个电路,可以将两个PWM接在一起, 跃起 音阶与频率对应关系表 在用单片机产生音频信号时,首先要计算出定时器的时间常数。要让单片机产生标准的音符来,即是根据每个音阶的频率,再计算出时间常数,这里上传一个计算好的表格,供参考使用。 音阶与频率对应关系表呵呵不错电子琴就是这么出来的音阶与频率对应关系表音阶与频率对应关系表音阶与频率对应关系表在用单片机产生音频信号时,首先要计算出定时器的时间常数。要让单片机产生标准的音符来,就是知道每个音阶的频率,再计算出时间常数,这里上传一个计算好的表格,供考虑使用。你这样回帖即不得积分,更不得芯币啊!回复 忙忙草 为增加人气,发份电子厂商名录 为增加人气,发份电子厂商名录,收费附件,注册就好下。厂商名称,EMAIL地址,先看看会有多少人想要,才会发重点部分,所有数据都是辛苦收集来的,仅供找工作时备用。为增加人气,发份电子厂商名录直接投这些邮箱就好?回复楼主lopopo的帖子 lopopo TI新型Hercules微控制器平台 论坛开新区了,嘿嘿,也来凑个热闹,同大家分享一下Hercules系列到底是干什么的。德州仪器(TI)宣布针对医疗、工业及交通应用推出新型Hercules安全微控制器平台,包括HerculesRM4x、TMS470M与TMS570MCU,是​​专为帮助开发人员获得安全性认证而设计。这款平台包括3个基于ARMCortex的微控制器系列,可提供可扩展效能、连结、记忆体及安全特性,适合需要高阶可靠度的应用。不同于许多重度依赖软体以获得安全能力的微控制器,He shower.xu 信号线等长 我想添加差分信号,新建类,为什么我没有网络标签跟我选,现在是什么情况,该怎么办,求解答。信号线等长先确认2个基本设定:1.差分对定义了没有2.网表导进来没有差分对定义后,在PCB菜单中DifferencePairsEditor选项,打开差分对编辑器。添加差分对,Add按钮添加单个差分对,输入差分对的网络名称。 怎么弄的呀,我现在的情况就是没有原理图,只有PCB,PCB上的元器件都是别的板子复制过来的,但是我有网络标签,一个后缀为N,一个为P yGFGHGS 网友正在看 电路分析基础.63 进化信息处理技术(四) 调幅演示 Meet Spot Enterprise 多线程编程举例 无线电源101:简介 P21. D7 - CGI的移植与HTML的通信 走线长度进度条设置