本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 溅射-1原理继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 村田顽童的堂妹“村田少女”问世 2 Atmel Studio 6为AVR和ARM提供共同Atmel软件框架(ASF)流程 智能控制 中南大学 蔡自兴 WEBENCH电器仿真 PFC电源设计与电感设计计算 基于ARM的嵌入式Linux系统开发 下 研讨会 : 更小型、高速、可靠的连接器推动物联网应用的新发展 魏德米勒 - OMNIMATE连接技术的创新发展 热门下载 浅谈检测/校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机+CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 【GD32-colibri-F350RX】+MDK开发环境搭建 还没有KEILMDK软件的可以到官网下载最新的,最新版本已经到MDK5.25.exe,更新挺快的的。官网是:http://www.keil.com/我安装的MDK-523.exe。安装完成后,破解就可以使用了。破解码网上很多,搜索即可找到。安装很简单的,没有什么特别的要求,按照说明下一步就可以。我这里简单说一下安装过程了。打开MDK-523.exe,弹出安装界面点击下一步选择同意,下一步点击下一步,输入用户信息,然后等待安装, anger0925 希望推荐一款多路开关 要求同时带有常开和常闭开关,开关流过的电流要在150ma以上。谢谢!希望推荐一款多路开关电子的还是机械的电子的比较好,用单片机控制的。回复沙发wangfuchong的帖子用继电器吧,我找不到哪么大电流的。原帖由nemo1991于2013-8-2420:18发表电子的比较好,用单片机控制的。MAX4659,MAX4660Maxim推出高电流、低导通电阻模拟开关感谢解答!我找资料了解一下!回复5楼wangfuchong的帖子 nemo1991 CDMA模块在arm开发板上拨号上网难题 在PC的linux下可以通过该cdma无线网卡上网,移植到开发板就不行了,已经移植了pppd和chat以及pppoe到了开发板,内核编译进了ppp,放在了bin目录下,编写了脚本文件放在了/etc/ppp目录下,开发板启动后输入pppd,有乱麻出现,但是如果运行pppdcallcdma则会出现说connecescriptfailed,脚本好像连接不上,请问有什么解决办法CDMA模块在arm开发板上拨号上网难题脚本出错了,一般跟控制模块关系还有串口关系比较大一般这种情况怎么改呢? yuyangln198 具体谈谈中国LED和国外LED封装的差异之四封装设计的差异--原创 LED的封装形式主要有支架式LED、贴片式LED及功率型LED三大主类。LED的封装设计包括外形结构设计、散热设计、光学设计、材料匹配设计、参数设计等。支架式LED的设计已相对成熟,目前主要在衰减寿命、光学匹配、失效率等方面可进一步上台阶。贴片式LED的设计尤其是顶部发光TOP型SMD处在不断发展之中,封装支架尺寸、封装结构设计、材料选择、光学设计、散热设计等不断创新,具有广阔的技术潜力。功率型LED的设计则是一片新天地。由于功率型大尺寸芯片制造还处于发展之中,使得功率型LED的结构、光学 探路者 【ACM32G103RCT6开发板测评】+ GPIO口使用篇 作为掌握一款开发板的着手点,GPIO口是较好地选择。由于开发板自身就配有LED和KEY,因此只需编程就能完成测试验证。LED与KEY的电路如图1所示,由此可知LED是通过引脚PF3来控制,而KEY的状态是由引脚PC13来读取。LED是通过低电平来点亮,KEY则是在按压状态输出低电平。图1电路图为实现以KEY控制LED,需用到函数BSP_PB_Init()、BSP_PB_GetState()和APP_Test()。其中,函数BSP_PB_Init()为按键 jinglixixi EVC下基于对话框的打印问题?急!请各位高手帮帮忙。 EVC下基于对话框打印:要求不出现打印对话框,怎样设置打印默认端口和打印机类型呢?EVC下基于对话框的打印问题?急!请各位高手帮帮忙。这个好像是需求问题,不是技术问题吧。什么呀有问题请先GOOGLE,BAIDU没遇到过这种情况.有报酬的话,我可以提供解决方案. deeply 网友正在看 正射校正(选择控制点QB校正) 树莓派OpenCV人脸识别保姆级教程3.3 - 实现人脸识别 感应同步器的工作原理 while循环的基础应用 BootloaderA5.4 DT-FT性質 - 2_離散時間傅立葉轉換的平移性質 系统设计-其它Ⅰ 无线网络协议(下)_1