本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: CVD工艺方法-4PE-5HDP(新)继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 2021_Digikey KOL系列:新型智能曝光算法在人脸识别中的应用 [高精度实验室] 运算放大器 : 9 低失真运算放大器的设计 手术机器人竟能缝合葡萄皮 Atmel Studio 6 IDE – 用于ARM和AVR的共同ASF工作流程 深入理解无刷直流电机 模拟集成电路设计 楊清渊(台湾中兴大学) 人工智能导论 浙江工业大学 TI 电池管理深度解析系列 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法-第1部:LEDパ.pdf 热门帖子 BCM5318是否停产了? 如题BCM5318是否停产了?Broadcom研制出适合ROBO和SOHO网络应用的10/100MBps以太网交换器件(发表日期:2000-10-24)BCM5318、BCM5317和BCM5315以太网交换器件主要针对远程办公/商业办公(ROBO)和SOHO网络应用而设计,它们都是由ROBO交换机加上10/100Base-T/-Tx以太网交换机IC构成的,集成了用于5、8、16和24端口交换机的包缓存BCM5318、BCM5317和BCM5315以太网交换器件主要针对 guangzhouzxz 台达变频器内置PLC功能应用原理 2007年1月8日14:16来源:中达电通公司变频器产品处作者:刘元刚摘要:本文讨论变频器的划时代产品——PLC嵌入型变频器。通过介绍台达VFD-E系列变频器,展示变频器前沿技术发展。关键词:变频器内置PLC嵌入集成1引言在绝大多数变频器调速工程应用领域,都需要外围辅助机电联控系统实现变频器的自动化运行。外围机电联控系统随着调速对象的不同要求千变万化,有时可以是相当的复杂,例如最常见的机电一体化运动系统,所以工程上变频器经常与P totopper 请推荐电源降压IC 我现在正在做一个系统外部供电是12V。系统中有3.3V和3.8V供电,请问我应该选择先降到哪一个点比较合适?我还有一个掉电保护电路。请推荐一个IC给我和一个电源系统的设计方案。谢谢!请推荐电源降压IC先直流变直流到5V,再用LDO继续Re:请推荐电源降压IC如楼上所说,先用DC-DC从12降到5V,再用LDO降3.3或者3.8。具体用哪颗IC还要视电流而定。---------------------------------------QQ:113863218TEL.:15989 oceanxia PROTEL 99的公制是以毫米为单位吗 PROTEL99的公制单位metric是以毫米为单位吗?AUTOCAD2000公制metric是以毫米为单位的PROTEL99的公制是以毫米为单位吗PROTEL的公制的确是以毫米为单位PROTEL99有两种方式显示尺寸,一种是英制,一种是公制,单位分别是Mil和MM。如果我输入89C51的插座尺寸,5CM*1.8CM在PROTEL99应该输入为50*18这样对吧!!!木问题不过,如果有标准库,最好还是用里面的封装如果没有了,那再自己用卡尺去卡省工省事...是的 zong_ming 请教RS232实现主从多机通讯的问题 我在很多网页上看到说RS232是点对点的通信,并且RS232两个输出是不可以并联的,但是我现在要做得是在单片机的TX端连两根线各输出到各自的RS232接口上,再接设备,这样应该是没问题的吧?请教RS232实现主从多机通讯的问题为什么不用485?可以!!在软件上,用地址进行区分就OK了!!可是老板不让我用查地址的方式,他要用两个串口,并且只有一个单片机,我该怎么做?W77E58软件用定时器模拟一个!!呵呵“软件用定时器模拟一个”?能否说的详细一点啊,老板好像只让我用W78E58 lhgxcl 8086地址偏移量问题 为什么要设地址偏移量是4位?是因为它有20条地址总线,并且寄存器是16位,所以:20-16=4?那32位处理器地址总线32位,寄存器有32位。它是不是就没有偏移量了?谢谢!8086地址偏移量问题基本上,你说的是对的。我尝试着解释一下:主要是寻址方式与寻址空间的问题,由寻址空间与位长不一致引致的问题。8086寻址采用“段:偏移”的方式(如SS:BP),段地址寄存器和偏移地址寄存器都是16位长的,实际的线性地址是20位,由“(段4)+偏移”得到。32位CPU一般寻址空间也是32 lxy723 网友正在看 按键输入实验-驱动验证与调试 Layout软件操作界面及常用设置介绍 由系统函数零、极点分布决定频响特性 自动控制原理0-2 实战篇_VGA彩条显示实验(第二讲) 控制功能设计2:C口输出 电容传感器与压电传感器 Class AB多媒体音箱放大器