本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅片的加工继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 如何选择示波器 数字示波器的使用方法 如何利用树莓派将电脑移植到汽车上 电源基础知识讲座 Atmel MCU 产品概览 基于ARM的WinCE嵌入式系统开发 什么是 I2C 设计工具? 第六届飞思卡尔智能车竞赛电磁组(电子科技大学信息工程学院) 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 通过微透镜阵列的传播 随着现代技术的发展,微透镜阵列等专用光学元件越来越受到人们的重视。特别是在光学投影系统、材料加工单元、光学扩散器等领域,微透镜阵列得到了广泛的应用。在VirtualLabFusion中,可以使用最新发布的版本中引入的一个新的MLA组件来设置和模拟这样的系统,允许对微透镜组件后面的近场以及远场和焦点区域的传输场进行彻底的研究。微透镜阵列后光传播的研究本用例研究微透镜阵列后传播的光。给出并讨论了近场、焦平面和远场的效应。微透镜阵列的高级模拟 W-Winnie 数字通信分析仪的技术原理和应用 数字通信分析仪是一种用于航空、航天科学技术领域的工艺试验仪器,也广泛应用于通信技术的研发、器件验证和批量收发信机生产领域。以下是对其技术原理及应用的详细阐述:一、技术原理数字通信分析仪的核心原理是利用数字技术对输入信号的各种特性进行分析。具体来说,它可能采用以下技术原理: 傅里叶变换(FFT):FFT分析仪通过傅里叶变换将信号的时域与频域联系起来。它能够对信号进行离散采集,并利用FFT获得频率、幅度和相位信息,从而分析周期和非周期信号。然而,FFT分析仪的适用范围有限,通常只 维立信测试仪器 对标TLS115的国产化替代----HE115 车规级高精度电压跟踪芯片能够精确跟踪输入到ADJ引脚的电压(VADJ),并向VOUT引脚输出相应的电压,且输出电压与输入电压之间的差异(偏移电压)非常小。这种高精度特性确保了传感器等电子元件能够获得稳定的电源供应,从而提高系统的整体性能。英飞凌(Infineon)公司生产的高精度单片集成低压差(LDO)跟踪稳压器,TLS115系列是其中的佼佼者。但是目前已经有国产厂商在这一方面做到了国产化替代.这里向大家介绍一款国产化电压跟踪芯片HE115。下面通过特征参数对比的方式为各位简 鸿翼芯研发工程师 PCB线宽与电流:一对最佳拍档 PCB设计中的线宽与电流关系是一个核心的设计参数。线宽直接决定了PCB走线能够承载的最大电流容量,这与走线的发热和温升密切相关。当电流通过PCB走线时,由于导体的内阻会产生焦耳热,使走线温度升高。如果电流密度过大,过高的温升可能导致铜箔脱落,甚至引发安全问题。PCB设计时铜箔厚度,走线宽度和电流的关系不同厚度,不同宽度的铜箔的载流量见下表: 铜皮厚度35um 铜皮厚度50um 铜皮厚度70um 为昕科技 RS-485接口保护电路综合版本,比较专业 ----处理闪电和ESD感应情况的最好方法是从敏感元件上将瞬态电压转移走。一般由一个并联连接的保护器件完成。发生瞬态事件时,瞬态电流通过瞬态抑制器分流,使被保护电路上的电压降低。RS-485接口保护电路综合版本,比较专业不错,学习下很好,很不错这个应该算广告吧。。。。。非常感谢是广告吗,下来看看,鉴定一下,呵呵学习学习 cobble1 冒死也要向大家推荐的两本书 冒死也要向大家推荐的两本书LZ辛苦了!谢谢分享!谢谢分享谢谢分享看起来很不错的看来楼主是值得的!~!别扯啦,蛋疼!就这好冒死??发了和看了有啥后果啊??我还是不看了..我怕死!!楼上这么说你就不对啦!这资料毕竟对我们大家很多人还是很有用的。好东西回复楼主37°男人的帖子谢谢楼主不用冒死吧,没人敢杀你谢谢楼主!下来看看~不过还是有点好奇,为啥说是冒死?难道LZ侵犯了版权?;P;P谢谢分享!!!!!!雷到啦谢谢分享!回复楼主37 37°男人 网友正在看 TI PFC+LLC 解决方案在工业电源中的应用 1 1 Android Wear 版图灵机器人效果展示 第三章-06-多维数组 大数据与预测性维修 15.1 大数据工业应用 Limiting size of the weights 架设NFS文件服务器的方法 ON Semi 物联网开发套件 (IDK) 概述 Median Filter