- 本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看:
- 刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
- 继续观看
课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的?
课时2:微电子工艺的发展历程如何?
课时3:微电子工艺有什么特点?
课时4:单晶硅特性(上)
课时5:单晶硅特性(中)
课时6:单晶硅特性(下)
课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法
课时8:单晶生长-原理
课时9:单晶生长-掺杂
课时10:单晶生长-MCZ与FZ法
课时11:硅片的加工
课时12:硅片介绍
课时13:外延概述
课时14:气相外延-1硅工艺
课时15:气相外延-2原理
课时16:气相外延-3速率
课时17:气相外延-4掺杂
课时18:气相外延-5设备与技术
课时19:分子束外延
课时20:其它外延方法
课时21:外延层缺陷及检测
课时22:电阻率测量
课时23:概述-1性质与用途
课时24:概述-2杂质与掩蔽
课时25:硅热氧化-1工艺
课时26:硅的热氧化-2机理
课时27:硅的热氧化-3DG模型
课时28:硅的热氧化-4速率
课时29:硅热氧化-5影响因素
课时30:初始氧化
课时31:杂质再分布-1分凝
课时32:杂质再分布-2硅表面浓度
课时33:氧化层检测-1厚度
课时34:氧化层检测-2成膜质量
课时35:氧化层厚度估测实验
课时36:其它氧化方法
课时37:扩散机构
课时38:扩散方程-1菲克定律
课时39:扩散方程-2扩散系数
课时40:扩散掺杂-1恒定源
课时41:扩散掺杂-2限定源
课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷
课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强
课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进
课时45:扩散条件与方法-1方法选择
课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺
课时47:质检与测量-1结深
课时48:质检与测量-2表面浓度
课时49:pn结结深测量实验
课时50:扩散工艺的发展
课时51:离子注入概述
课时52:离子注入原理-1
课时53:离子注入原理-2
课时54:离子注入原理-3
课时55:注入离子分布-1,2分布
课时56:注入离子分布-3沟道效应
课时57:注入离子分布-4其它影响
课时58:注入损伤-1
课时59:注入损伤-2
课时60:退火-1热退火
课时61:退火-2快速退火
课时62:设备与工艺
课时63:应用
课时64:掺杂新技术
课时65:CVD概述
课时66:CVD原理-1过程
课时67:CVD原理-2速率
课时68:CVD原理-3质量
课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP
课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上)
课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下)
课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新)
课时73:二氧化硅薄膜-1性质
课时74:二氧化硅薄膜-2制备
课时75:氮化硅薄膜
课时76:多晶硅薄膜
课时77:CVD金属及金属化合物薄膜
课时78:PVD-1概述
课时79:PVD-1真空简介
课时80:PVD-2真空的获得
课时81:蒸镀-1原理
课时82:蒸镀-2设备、工艺
课时83:蒸镀-3质量
课时84:溅射-1原理
课时85:溅射-2方法
课时86:溅射-3质量
课时87:PVD金属及化合物薄膜
课时88:光刻02--光刻技术
课时89:光刻掩膜板制造技术
课时90:光刻--光刻胶
课时91:光刻--紫外曝光技术
课时92:光刻--光刻增强技术
课时93:其它曝光技术
课时94:其它曝光技术(2)
课时95:光刻新技术展望
课时96:光刻引言
课时97:光刻工艺
课时98:光刻分辨率
课时99:光刻分辨率--2
课时100:刻蚀技术--概述
课时101:湿法刻蚀技术
课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术
课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术
课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
课时105:工艺集成--金属化与多层互连
课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象
课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术
课时108:CMOS集成电路的工艺集成
课时109:双极型集成电路的工艺集成
课时110:结束语我的中国芯
课程介绍共计110课时,11小时37分37秒