本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 光刻分辨率--2继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 EXA 让您的测量更简单精准 TI - 基于 AMIC 产品的工业通信总线设计方案 Atmel SAM4C智能能源器件 微处理器与嵌入式系统设计 电子科技大学 Digital VLSI Design (RTL to GDS) TI-RSLK 模块1 - 使用 CCS 在 LaunchPad 上运行代码 集成了数字电源管理功能的模拟 DC/DC 控制器 linux驱动策略及框架 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 求火灾报警系统Proteus仿真图,急!!本人已做好原理图+程序,下面有链接 搞定了一定重谢!求火灾报警系统Proteus仿真图,急!!本人已做好原理图+程序,下面有链接楼主你的原理图不是火灾报警啊,你是要别人在这基础上修改成火灾报警吗?这是个烟雾报警原理图我也不太懂,别人帮我做的,但是他不会Proteus仿真,马上就要交老师了,我需要这个的Proteus仿真。谢谢了要是能帮上忙我一定重谢!回复沙发seasky208的帖子你现在做出来了吗??能把程序图还有代码给我吗??!!!我大概看了一下,电路图,原理比较简单,程序还没看。可以留个联系方式啊。 俞杰 右下角是个H桥。但是焊完后左下方的9013一直在冒烟。请问哪位大神可以告诉我一下!! 右下角是个H桥。但是焊完后左下方的9013一直在冒烟。请问哪位大神可以告诉我一下!!求求大神帮忙啊。左下方的粉色9013一直在烧。我也没把9012和9013焊反,也没焊错地方。不知道为啥啊!!!根据你的PCB,给出原理图。1:负载是电机么?直流还是步进?9013能不能驱动得了?2:电桥驱动直流电机用PWM波,需要带所谓的“死区”,有木有?请给出你的原理图如果焊接完后,上电冒烟,建议检查焊接器件装配问题,排除一些焊接质量。如果是做的新板,是否按照原理图做的板子,比如是否封装问题 sunruiiris 刚学会画PCB,求大手指点指点。 RT.用protel99se画的刚学会画PCB,求大手指点指点。如图没图mcu200689发表于2015-1-1211:39没图 不知是网络原因还是什么点了添加图片的半天发布出来如图看到了吗不建议楼主去打板。还是重新布局的好。布局是很有讲究的,不是摆放的整齐就行。元件应放对位置板子出来才能更稳定的工作。你是说元件布局不合理吗布局还可以再紧凑点,丝印离焊盘太近了,有的放在过孔上了。电容尽量靠近芯片放置,不知道lz电阻电容是多大,0805?要是 MoShangQingZhi 纳闷:按说A/D前面不加低通滤波 按说A/D前面不加低通滤波,因为采样造成的混叠会使情况“很糟”,但事实上似乎没那么严重。各位是否都加所谓的抗混叠滤波?纳闷:按说A/D前面不加低通滤波那也要看你的采样频率是不是很高啊在电灯下看到风扇的车叶倒着转,就是频闪效应中相当于「混叠」的情况。高频干扰太强的地方事实上似乎很严重,这就是加低通滤波的原因。 leslie STM8L测量脉宽 有做过STM8L测量脉宽的大神吗?求代码。STM8L测量脉宽顶起~~~~~这个不难吧,采用输入捕获的方式就可以实现了呀。 czx2014 你们常用的MSP430开发环境是什么? 我目前用的是IAR,不知大家用的是什么开发环境?推荐几个出来。你们常用的MSP430开发环境是什么?常用的就是IAR和CCS,我以前用的是IAR,现在不怎么玩430了。就用IAR,觉得挺好的了IAR;了论坛上统计,国内做MSP430开发的,80%用IAR作为开发工具,呵呵之前玩CC2530时也安装过IAR,现在学MSP430又再装一个。弄得好麻烦啊如果同时会用CCS的话,建议用CCS开发它。毕竟是官方的编译器,IAR,用着方便。ccs,官方的,有保障ccs是否只支持新出的 beian10 网友正在看 2e- Coding Style for RTL - part 1 树莓派如何通过MQTT进行通信 相关学习资源 Gerber文件的输出 电路分析基础.64 深入研究低能耗加速器(LEA)外设 SEPIC 转换器的布线设计探讨 GoKit3(S)源码详解