本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 注入离子分布-1,2分布继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 Amplifier Protection Series 如何使用Coocox 开发 STM32F0 球形六足机器人宠物 深入浅出玩转FPGA视频教程2020版(特权同学) 信息时代——小小芯片带来的改变 2015 TI MCU研讨会(2) MSP430 【水果大战】树莓派2 VS 香橙派 VS 香蕉Pro 创客视频推荐——轻松操控一切智能设备的手势遥控器 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 单片机通信 想用51和430G2单片机模拟IIC通信,需要将两个的晶振设成一样的吗?还有,430G2553的板子用SPI怎么用?谢了。单片机通信1.不一定晶振一样,主要是两边的时钟同一;但是你要看是否支持主从!2.SPI的代码在官网的实例代码是有的,网上也有问题网友自己改写的!如果速度上没有太高要求的话,用SPI接口比较好(只是个人觉得而已),SPI的通信例程在CCS里就有,拿过来按需修改就可以用了什么叫时钟统一??回复沙发zqjqq88的帖子I2C是一种主从模式,由主机提供时钟 沉默胜过白金 ePWM占空比如何计算 C2000的launchpad用ePWM调制PWM,看了一些英文的文档了,有了模糊的概念,但是还是不清楚占空比是怎么样子计算的,我要怎么样调制出特定的占空比的PWM,要如何设置。求大家指点一下迷津。ePWM占空比如何计算看看EPWM那个文档就可以了。CMPA、CMPB是专门用来控制它的你设置的高电平时间除去(PRD+1),我记得应该是EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA=...回复板凳安_然的帖子 projim 求资料和讲解,这些题你们有资料吗,或给点建议 本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:29编辑求资料和讲解,这些题你们有资料吗,或给点建议本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:29编辑学校要求选做一题,高手给力本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:29编辑坐等高手啊本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:29编辑毕业设计?学校电赛选拔?本帖最后由paulhyde于2014-9-15 孤独剑 天天上一当,当当不一样 看了博主拆了一个小的固态硬盘,揭开ssd时候惊了。 哈哈哈还是国内人会玩。 内存卡直接当颗粒。 天天上一当,当当不一样就算真正颗粒,如果是黑片也好不到哪去所以这个固态,能跑到多快的速度。这...也太溜了吧 看颗粒体制和协议吧,我感觉如果是class10还不错但是对比SSD也是辣鸡这就是花大钱办蠢事 而且你就看这个打磨掉了,我感觉就是BinA流出来的残次品 国内这种造假技术看来还是很多,没办法,有利益在。小白就发现不了,发现了 吾妻思萌 WinCE下载问题,急急急! 我使用的是三星2410的开发板,32M*32bit的SDRAM,和64M的flash。我以前编译的内核都是小于29M的,用bootloader下载到开发板一点问题也没有,但是我现在编译了一个32M的内核,我修改了PB中的config.bib文件,这样就修改了可以编译大于29M的内核了,但是现在的问题是PB编译通过了,用BootLoader下载到开发板的时候,内核下载到28.8M的时候就下载不下去了,不知到为什么,请大家帮帮忙啊。WinCE下载问题,急急急!32MRAM?太小了吧不是吧,呜 guhaian (第10期)——玩具总动员 六爪机器人 六爪机器人拆解分析简介参与EEWorld邀你来拆解(第10期)玩具总动员活动,拆解玩具六爪机器人。本文从电路和机械两方面进行评论。六爪机器人,机器人打开供电开关后,循环播放动感舞曲,多彩灯光炫彩艳丽,手臂开始上下摇摆,机器人前后移动,机器人腰部左右扭动。非常萌非常可爱有意思。一、硬件电路 硬件电路功能电池盒、开关、直流电机、3路LED多彩灯、扬声器、控制电路板。 硬件电路电池盒:安装3节5号电池,所以供电电压在4.5V左右。开关:普通 小火苗 网友正在看 Introduction to Analog Design (6_6) 神经信息处理技术(二十) 摄像头数据流DVP接口协议 第十四章 第2讲 图像处理在医学中的应用 内容简介 通过菜单执行Skill命令及快捷键设置 我的第一个Linux驱动-完善chrdevbase驱动 basic cmos device physics(6)