本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅片介绍继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 如何用机智云新版平台开发一款4g智能设备 直播回放: Microchip安全系列21 - 利用TA100-VAO对ADAS和IVI系统的CAN FD进行安全引导和消息身份验证 CC1310通信距离测试 通用快速充电能带来什么? Vishay NTC热敏电阻器e-Design演示 支持多通道的32Gbit/s 信号质量分析仪——MP1800A 电池供电的电机驱动:如何设计一个高性能功率级系统? MPLAB® X IDE 入门(上) 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 这是怎么回事呢?重启ccs很多次了! 使用ccs5.2调试例程调试pmsm3_4例程程序load的时候总提示Nosourceavailablefor0x3fffff根本进不去main函数请问下这个可能是什么原因引起的,我都重启ccs很多次了,现象一样\0\0\0eeworldpostqq这是怎么回事呢?重启ccs很多次了!好像刚用CCS5的时候遇到过,好久了,忘了怎么解决的了好像是有些地方配置的问题。再看看别人有知道的不jishuaihu发表于2015-2-2710:18 CHIYU NXP LPC1768宝马开发板 第十九章 宝马1768——CAN总线 第十九章宝马1768——CAN总线开发环境:集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统:MicrosoftWindowsXP开发平台:旺宝NXPLPC1768开发板19.1CAN总线简介19.2LPC1768CAN总线控制器介绍 旺宝电子 数字化智能充电器的设计 摘 要:设计了基于单片机的智能充电器,介绍了其硬件和软件实现。该充电器可以实时采集和计算电池的参数,并进行智能控制,还可以通过串口和上位机进行通讯并进行实时 关键词:智能充电器单片机开关电源锂离子电池 现代通讯设备、便携式电子产品、笔记本电脑、电动汽车、小卫星等普遍使用蓄电池作为电源,应用非常广泛。然而大多数设备中的蓄电池,只能使用专用的充电器,而且普通的充电器大多充电时间长,无法判断其充电参数和剩余的充电时间。 本文介绍一种基于单片机的通用智能 fighting 谁能帮我把Allegro 的这个PCB 转成ALTIUM AD9的格式 麻烦了。先谢谢了。谁能帮我把Allegro的这个PCB转成ALTIUMAD9的格式内电层有点小问题,软件不兼容谢谢了。这个是别人转了一下的把它转成CADENCE16.5能用的。SWRC286.ZIP是厂家出来的。帮我看看这个吧。谢了。哈哈。 damiaa 庆科WIFI库中UwtPara_str是早期版本的定义还是怎么回事? 庆科的库说明中,有voidApListCallback(UwtPara_str*pApList)这个函数的说明,其中提到UwtPara_str结构,而在例程中,却使用的是ScanResult。在例程可以找到ScanResult的定义,而找不到UwtPara_str的定义,在编译时,如果使用ScanResult结构,可以编译通过,而使用UwtPara_str结构却不可以,说明即是在lib文件中,也没有UwtPara_str的定义。我的疑问是,文档没 dontium atmel sam_ICE在线调试 最近使用atmelD20Jmcu,用的是官网的atmelsam_ICE调试器,AtmelStudio的编译环境,不太懂在线调试,有使用过相同的工具和环境的,可否说明一下?atmelsam_ICE在线调试http://www.eeworld.com.cn/huodong/201501_Atmel_SAM_D21/楼主下载这个资料看看wgsxsm发表于2015-2-311:52http://www.eeworld.com.cn/huodong/201501_At crystalf 网友正在看 STM32Cube HAL theory GPIO - HAL system peripherals 基于Sobel算法的边缘检测设计与实现(三) AI 摄像头应用的开发 网孔电流法,节点电压法 SUPPLEMENTARY Electron beam lithography:proximity effect 轮转访问MAC协议 贝尔公司如何摆脱经营的困境 无源滤波器(下)