本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 外延概述继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 电源设计小贴士26:高频导体的电流分布 2016 TI 工业研讨会:让工业4.0成为现实——TI无线连接技术解析 RISC-V处理器设计系列 WindowsCE系统开发及bootloader移植 嵌入式Linux图形界面开发 书写机器演示 单次雪崩耐受性 电机和电机控制的简介 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 Arduino YúN 测评 (一) 初识 Arduino YúN 本帖最后由damiaa于2015-8-2521:34编辑 初识ARDUINOYUN自从物联网开始发力后,各种云应运而生,通用云各种各样典型的有阿里云,盛大云,新浪云,腾讯云,百度云,亚马逊云等等很多很多。全国各地的大小智能产品都争先恐后的加上云的功能。在这个大气候下,出现了很多WIFI模组,来支持通过WIFI登录到云服务器。高中低端不等。中高端的主要是通过LINUX+WIFI芯片实现,比如RT damiaa 应用于无线传感网的CC2430芯片问题? 最近碰到个问题,很纠结!最近正在使用一种芯片CC2430,通过阅读说明书了解到有128KB的存储空间,但是为什么现在我发现我只能使用其中的64KB的存储空间,想请教一下高人问题可能出在什么地方?因为只会用64KB的存储空间,因此不得不想法解决,比如扩展该芯片的存储容量啊(虽知道没必要,但不会用啊),但是在硬件扩展方面又不知道该怎么接了,因为本人感觉没有地址寻址线,即使接了,也寻址不到啊?哎,真不明白了!请教高人应用于无线传感网的CC2430芯片问题?CC2430的技术手册以及应用手册 www123 MSP430F149单片机实现的步进电机通用控制器 MSP430F149单片机实现的步进电机通用控制器MSP430F149单片机实现的步进电机通用控制器太不够意思了吧,这些也需要购买,里面没什么东东。失败F149控制步进电机没有优势哦哦哦哦是的,不厚道 pspcxl 看别人写的多功能电子钟,觉得不错,分享 1,可以用来做电子钟2,可以用做报警器(按P3.2时,用做报警)3,可以用做闹钟(按P1.6时,用做闹钟)4,可以显示星期程序如下:#include #defineucharunsignedchar #defineuintunsignedint ucharcodedispcode={0x81,0x9f,0xa4,0x8c,0x9a,0xc8,0xc0,0x9d,0x80,0x88}; ucharcodeDATA={0xfc,0x92,0x9 ma19920829 我用C8051f想编modbus协议 本帖最后由似是而非君于2015-8-117:20编辑 我想问如果编程modbus协议,我用单片机写的串口程序,发的是ASCll模式的,然后用串口助手接收的话收到的对(下边的图),,但是用modbus调试助手收到的就不对(第一张图),有不一样的,还有不是完整收到的。是有可能是什么情况,求大家踊跃发言我用C8051f想编modbus协议modbus可以用RS232作为物理层,但它并不完全是RS232, 似是而非君 《CMake 构建实战-项目开发卷》阅读分享4—构建初探 杂谈CMaker初学者容易犯的一个迷糊就是:CMake调用编译工具链生成可执行文件。其实并不是这样的,在构建流程中,CMake读取CMakeLists.txt文件生成Makefile或者VisualStudio工程或者其他构建工具的配置文件,通过它们来实际调用各种命令完成构建。CMake最常用的命令有如下两条第一条命令,根据生成器生成配置文件,这里指定生成器为UnixMakefilescmake-S.-Bbuild-GUnixMak CoderX9527 网友正在看 组合逻辑电路的特点 Matlab simulink Z轉換 - 1_從傅立葉轉換到z轉換 超声波测距实验--软件编程 元器件与电磁兼容第11讲 PCB封装制作 计算机控制技术 导线及NetLabel的添加