本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 外延概述继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 PIC16F170X/171X 8位单片机系列 jQuery应用视频 低频和直流操作的栅极驱动注意事项 VLSI设计基础(数字集成电路设计基础)(东南大学) [直播回放] TI BMS 专家,针对电动工具,电动自行车专场 直播回放: 使用专属物联网的硬件和软件解决方案,开启嵌入式到云端之旅 电容式触摸屏手机轻松手写中文——Cypress 触摸屏控制器 TI DLP® Labs - 光控制 热门下载 浅谈检测/校准用软件的可靠性验证 基于C8051F激光器驱动电源仿真与设计 8098单片机与免提语音芯片MC34118的接口 AVR单片机+CPLD体系在测频电路中的应用 Altium Designer原理图库 接口器件.SchLib 模块原理图 MK_可编程设计范例大全.pdf 各种排序算法的比较 Sprint-Layout V5.0免安装中文版 JIS K0128-2000 Testing methods for pesticides in industrial water and waste water.pdf 热门帖子 地址怎么得到? #defineU1RBR(*((volatileunsignedchar*)0xE0010000))volatileunsignedchar*ptr;ptr=&U1RBR;指针得到的不是0xE0010000怎么才能得到0xE0010000这个地址呢?地址怎么得到?#defineU1RBR(*((volatileunsignedchar*)0xE0010000))这个是宏,它只是在编译的预处理期就被替换掉了,而且只是简单的文 happy0104 2011 电子设计大赛 元件清单(猜题) 本帖最后由paulhyde于2014-9-1503:11编辑2011年全国竞赛基本仪器和主要元器件清单2011电子设计大赛元件清单(猜题)本帖最后由paulhyde于2014-9-1503:11编辑怎么没人来呢?本帖最后由paulhyde于2014 yueye1235 模拟开关不能传输负电压信号? 模拟开关不能传输负电压信号?研究了一下模拟开关的datasheet,好像传输的电压范围都不能为负,是这样的么?模拟开关不能传输负电压信号?模拟开关有使用单电源的型号,也有使用双电源的型号。通常,模拟开关输入信号范围是从电源负端到电源正端。使用双电源的话,模拟开关是可以传输负电压信号的。回复楼主费米的帖子传输的其实是和”参考地“相关,如果供电都是正的话肯定无法识别例如很常见的CD74HC4051/4052/4053,使用了负电源后,允许模拟输入为负 费米 为什么这么喜欢用QQ呢?我真不明白?!论坛不是挺好吗?收到一个短信留言要Q,汗死... 自从来到eeworld,发了不少文章,转载的,自己调试的过程等,结果很多人就留言要QQ了,不解,下面是我对QQ聊技术的态度。fish.zou21小时前大哥,能不能给个能够更快和你交流的方式,这个前后加起来,也弄了个把星期了,比较着急了我我直接回复了!!!!!!!!!!!!!Wince.Android2秒前.................如果你这样也不行,那我也不会了,我是在Sate210开发板上搞的,要不你自己买个这个板子了。O(∩_∩)O~。偶不喜欢用QQ的。根本没时间 Wince.Android MSP430F5527 ADC12内部参考电压没输出 请教各位老师\\大侠\\专家.前两周一直调试5527这款单片机ADC12部分.查找了TI的资料手册.在论坛上找了很多资料.参考代码.ADC12内部参考电压怎么设置都没输出.用万用表量都是0.3~0.7V左右.请赐教.#includemsp430f5527.hvoidmain(){WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;P3DIR|=BIT2;P5SEL|=0x03;//设置VREFP6SEL|=BIT4;//A4输入ADC12CTL0=A boming 【2024 DigiKey 创意大赛】”双光融合“智能热像仪 作品总结与提交 双光融合智能热像仪作者:JOEYCH 作品简介本项目为一款双光融合智能热像仪,双光融合指的是可见图像与热图像相融合。该设备硬件上基于高性能STM32H7微控制器,软件上基于使用micropython语言的OPENMV开源项目和TensorFlowLiteAI模型框架,实现了图像采集的高效率和手写数字分析的高精度。听取秦天大佬的建议,添加LCD触摸屏提供直观的用户交互体验,支持模式的快速切换和实时监测分析。双光融合智能热像仪在医疗健康领域能够进 JOEYCH 网友正在看 正射校正(选择控制点QB校正) 树莓派OpenCV人脸识别保姆级教程3.3 - 实现人脸识别 感应同步器的工作原理 while循环的基础应用 BootloaderA5.4 DT-FT性質 - 2_離散時間傅立葉轉換的平移性質 系统设计-其它Ⅰ 无线网络协议(下)_1