本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 外延概述继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 野火LwIP应用开发实战指南 超低功耗传感应用: 使用 CC13xx / CC26xx 传感器控制器 物联网项目实战制作:蓝牙4.0BLE开发-智能灯泡-万能遥控器 基于ARM平台的嵌入式Linux系统开发 Atmel CryptoAuthentication- 安全保护 · 稳固收益( 二 ) 无人机设计导论 - 南京航空航天大学 SYS BIOS简介(4)——软件中断_1 直播回放: Mouser&TE 解锁智能家居部件新技术,探索连接黑科技 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 过年小礼!两百个模电问题给你啦 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。2、什么是本征半导体和杂质半导体?答:纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电 qwqwqw2088 手机支架的新用途 首先感谢下EEWORLD及泰克看视频、填问卷赢奖品的活动!本人有幸获得手机平板支架,这个手机支架的做工确实很不错,设计也很合理,比我在淘宝上买的19元的支架好很多,在这里和大家分享下手机支架对电工的新用途。由于只是个想法,自己还没有实际做,所以也没有相关的照片。当然,这个想法是完全可以实现的。1.便携小台灯。由于这个手机支架可以很方便的夹在床头,桌边,所以完全可以用它来做个便携的小台灯。供电可以用手机的充电宝,灯头可以用白色的LED和洞洞板。剩下的我就不细说 yayasoso Debug main(){//PB1设置为推挽输出DrvGPIOInit(PB,E_PIN_0,E_GPIO_MODE_OUT_PP_L_SLOW);//使能TIM2的时钟CLK_PCKENR=0x01;//关闭TIM2TIM2_CR1|=0x00;//16分频TIM2_PSCR=0x04;//初始的计数值TIM3_CNTR=0x00;//设置波形的频率,0.125MHZ/(139+1)=900HZ czx2014 想到了一个问题,STM32不用外部晶振 想到了一个问题,STM32不用外部晶振,程序也不对系统时钟初始化,启动后是什么样的?外挂晶振,但是还是不对系统时钟初始化,启动后又是什么样的呢?有没有人试过?想到了一个问题,STM32不用外部晶振对于一般的单片机上电的时候都是以IRC运行,然后由软件配置其他的时钟,,,stm32应该也是这样吧这个不需要试,STM32手册里面有详细说明,上电后都有一个默认状态,默认使用内部的振荡器,最终得到的频率是多少都有说明。其实现在绝大多数MCU都是这样的,内部带一个IRC,上电的时候用的是这个IRC 烹小鲜 【我与TI的结缘】TI伴我成长 提到TI,不得不说,缘分还真近,听我从头说起。其实我的专业是网络工程,这个专业其实与电类专业没啥交集,能有点关系的就是计算机体系结构的基础课程—数字电路与逻辑设计,稍微讲了讲常用数字器件与非门什么的。然而,在内心深处,我确是一个电子爱好者,从小就爱拆卸家用电器中的电子元件。在大学时期,确实没怎么系统的受过电子方面的教育,唯一懂的只有汇编和C编程。出于对电类的崇拜,我打算毕业后从事单片机方面的工作。有幸,我找到了一家实习单位。在这个时候,我对单片机的了解其实就是51,但是51我也 lcofjp Tiva固件库:第十二章脉冲宽度调制(PWM)翻译 Tiva™TM4C1233H6PM不包含PWM模块,我采用Tiva™TM4C123GH6PZMicrocontroller手册,现在翻译完成把Tiva固件库和周立功的Stellaris固件库PWM做了比较,除了表示方法不同,其他基本上一致,我对Tiva固件库的理解可能和周公的翻译有细微差异,不过,绝大多数一致的,我的翻译不便发到网上,这里附上周公的pwm固件库翻译。 Tiva固件库:第十二章脉冲宽度调制(PWM)翻译总共25、26个,剩下的不多了。剩下 平湖秋月 网友正在看 数字图像处理的内容和特点 文件IO(8)波形 以太网传输图像项目总结 PCB布线 - 电源部分的走线 1. TI 汽车仪表方案 最优化控制与脉冲扰动(二) 影响阻抗的因素有哪些 添加钻孔图及出光绘文件